人物名片
姓 名: 王劍鋼
畢業(yè)院校：吉林大學(xué)半導(dǎo)體系、半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)系
學(xué)位：吉林大學(xué)學(xué)士學(xué)位、清華大學(xué)碩士學(xué)位
職稱(chēng): 教授、碩士生導(dǎo)師
職務(wù)：生物醫(yī)學(xué)工程系系主任
承擔(dān)科研項(xiàng)目及獲獎(jiǎng)狀況
在國(guó)內(nèi)核心期刊或國(guó)際學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文共19篇。目前承擔(dān)項(xiàng)目共4項(xiàng)；其中：國(guó)家級(jí)1項(xiàng)，部（省）級(jí)2項(xiàng)，橫向項(xiàng)目1項(xiàng)。獲得國(guó)家專(zhuān)利6項(xiàng)。
在光器件與應(yīng)用方向承擔(dān)的主要工作和參與的科研項(xiàng)目有：
�。�1）“垂直腔面發(fā)射激光器及其收發(fā)模塊” （教育部重大項(xiàng)目，2003）
�。�2）“超高速主動(dòng)鎖模光纖激光器真自啟動(dòng)及穩(wěn)定性研究”（國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目）。
在非電信號(hào)與檢測(cè)方向承擔(dān)的主要工作和參與的科研項(xiàng)目有：
（1）“硅基微結(jié)構(gòu)濕度傳感器的研究” ；
�。�2）“電磁波屏蔽與吸收結(jié)構(gòu)型復(fù)合材料” ；
�。�3）“前置無(wú)源無(wú)線(xiàn)偵聽(tīng)系統(tǒng)” 。
代表性工作
垂直腔面發(fā)射激光器及其收發(fā)模塊
本項(xiàng)目采用離子注入結(jié)構(gòu)制造工藝的VCSEL作為光源。其主要特點(diǎn)是通過(guò)選擇注入法將離子注入半導(dǎo)體材料中某一深度，控制注入的能量和離子質(zhì)量，可以制作出確定的絕緣區(qū)域，形成高阻區(qū)，實(shí)現(xiàn)對(duì)注入電流的控制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)橫向電流控制，另外還具有較好的熱耗散，器件制作和封裝非常簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。等離子體輔助MOCVD生長(zhǎng)的ZnO薄膜退火改性研究 研究等離子體輔助MOCVD法在藍(lán)寶石上生長(zhǎng)的ZnO薄膜退火后的特性變化，通過(guò)電參數(shù)測(cè)量和利用X光衍射、光致發(fā)光光譜方法對(duì)ZnO薄膜進(jìn)行了表征。測(cè)試了其退火和未退火薄膜的電阻率、電子濃度、遷移率、激光閾值，并通過(guò)X光衍射、光致發(fā)光方法表征了ZnO薄膜的質(zhì)量，其結(jié)果是：退火薄膜的電子濃度低達(dá)1015/cm3量級(jí)、激光閾值降低近30倍、X光衍射峰半高寬是0.29°、在388nm附近的光致發(fā)光譜峰半高寬為0.32nm。這表明退火使ZnO薄膜的質(zhì)量得到大幅度提高。電磁波屏蔽與吸收結(jié)構(gòu)型復(fù)合材料
根據(jù)軍用指揮計(jì)算機(jī)機(jī)殼的多樣性，小批量要求，在“八五”研制的基礎(chǔ)上，采用一種全新的工藝路線(xiàn)，以達(dá)到低成本、高成品率的要求。
技術(shù)關(guān)鍵：
(1)以直流間歇式磁控濺射儀濺射出銅-鎳，不銹鋼-銅-不銹鋼、鋁等膜層，在14KHz-1GHz范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)屏蔽60db以上的屏蔽要求；在1GHz-1.5GHz范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)50db以上的屏蔽要求。
(2)金屬膜層與基體塑料以及金屬膜層間的結(jié)合牢固。
主要內(nèi)容：
(1)建立一套濺射金屬膜層的濺射設(shè)備
(2)研究膜層均勻性、厚度、粒度及反射性能等對(duì)電磁屏蔽性能的影響。
(3)研究掩蔽方法，預(yù)處理工藝及磁控濺射參數(shù)等對(duì)電磁屏蔽性能的影響。
(4)研究膜層的環(huán)境適應(yīng)性及導(dǎo)電性能等。
