研究方向
化合物半導(dǎo)體薄膜材料與器件、能源材料物理與化學(xué)。
個(gè)人簡(jiǎn)介
1961年1月出生于江西省高安縣，1978.10～1984.12在北京航空學(xué)院材料系金屬腐蝕與防護(hù)專業(yè)讀本科和研究生，獲碩士學(xué)位；1985年1月畢業(yè)分配到南昌航空工業(yè)學(xué)院金屬腐蝕與防護(hù)專業(yè)從事教學(xué)與科研工作，1995年晉升副教授，2000年晉升為教授。曾獲航空總公司部級(jí)科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，“航空工業(yè)十佳優(yōu)秀教師”稱號(hào)。2003年7月調(diào)入南開大學(xué)信息技術(shù)學(xué)院光電子所，參加國(guó)家863重點(diǎn)項(xiàng)目“銅銦硒太陽(yáng)能薄膜電池試驗(yàn)平臺(tái)與中試線”課題的研究。
科研項(xiàng)目
成果、獲獎(jiǎng)、專利等情況： 主持過(guò)“電化學(xué)沉積CdS/CIS太陽(yáng)能電池化合物薄膜技術(shù)研究”、“低成本水浴法沉積CuInSe2太陽(yáng)能電池薄膜技術(shù)的研究”等五項(xiàng)省部級(jí)基金課題及“熱噴涂耐高溫涂層研究”等十幾項(xiàng)企業(yè)橫向項(xiàng)目的研究。目前主持國(guó)家863項(xiàng)目“非真空法沉積CIGS薄膜關(guān)健技術(shù)及電池研究”。
撰寫論文
專著、教材等： 1. 敖建平，孫國(guó)忠，閆禮等，一步法電化學(xué)沉積CuInGaSe2薄膜的研究，物理化學(xué)學(xué)報(bào)，2008, 24(6)：1073-1079
2. 李微，敖建平，何青等，襯底對(duì)Cu(In,Ga)Se2薄膜織構(gòu)的影響，物理學(xué)報(bào)，2007，56(8): 5009~5012
3. 敖建平，孫云，王曉玲等，共蒸發(fā)三步法制備的CIGS薄膜性質(zhì)，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2006.27(8),p120
4. 敖建平，孫云，劉琪等，CIGS電池緩沖層CdS的制備工藝及物理性能，太陽(yáng)能學(xué)報(bào)，2006.27(7),p682
5. 敖建平，何青，孫國(guó)忠等，化學(xué)水浴沉積CdS薄膜晶相結(jié)構(gòu)及性質(zhì)的研究，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2005.26(7),p1347
6. 敖建平、孫國(guó)忠，我國(guó)太陽(yáng)電池研究和產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析，太陽(yáng)能，2003年第2期
講授課程
電化學(xué)原理（本科生、研究生）、材料的應(yīng)力腐蝕及氫損傷、奇妙的材料世界
