基本內(nèi)容
裴為華，博士，副研究員。1997年畢業(yè)于山西大學(xué)電子信息技術(shù)系，獲理學(xué)士學(xué)位。工作兩年后再次考入山西大學(xué)電子信息技術(shù)系，于2002年獲光學(xué)工程碩士學(xué)位。2005年畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，獲博士學(xué)位，同年進(jìn)入中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室工作。2006年在德國(guó)馬普微結(jié)構(gòu)物理研究所作為期半年的交流訪問。主要從事的研究方向?yàn)榛诎雽?dǎo)體材料和工藝的傳感器件的研究�！笆濉逼陂g，研究了基于硅基光電探測(cè)器陣列的視網(wǎng)膜修復(fù)用微芯片的設(shè)計(jì)、制作及體外特性測(cè)試和分析。目前的研究方向集中在以為硅為主要材料的神經(jīng)信號(hào)傳感器件上，主要內(nèi)容包括神經(jīng)微電極陣列的制備工藝和測(cè)試、立方體排布的記錄陣列電極封裝及其與微電子電路的集成、硅基器件的長(zhǎng)期植入封裝和電學(xué)改性、以及基于硅探測(cè)器和CMOS電路的視網(wǎng)膜修復(fù)器件的設(shè)計(jì)及制備等相關(guān)問題。