基本內(nèi)容
研究方向
目前主要研究方向包括：
(1):低維體系生長(zhǎng)及其機(jī)理： 涉及利用掃描隧道顯微鏡（STM）等研究異質(zhì)表面生長(zhǎng)，以及低維量子體系，如量子線、量子點(diǎn)生長(zhǎng)中的自組織過(guò)程。
(2):金屬表面及其吸附體系的相互作用與電子性質(zhì)：涉及金屬表面及其吸附體系的相互作用行為，基本物理、化學(xué)性質(zhì)以及電子結(jié)構(gòu)等。
(3):有機(jī)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備及其性質(zhì)：涉及有機(jī)半導(dǎo)體（發(fā)光）等器件中的異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備，界面形成，界面相互作用，電子性質(zhì)，以及器件行為等。
