基本內容
俞躍輝,生于1964年3月,上海人,1985年畢業(yè)于吉林大學電子工程系, 1989年于中科院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所半導體物理與器件物理專業(yè)研究生畢業(yè)、獲得博士學位。1989年11月參加工作,1996年晉升為研究員。長期從事離子注入合成SOI的結構表征、材料質量的改善、宏觀性能與微觀結構的關系研究及SOI器件工藝的研究。 1989年-1993年為中科院上海微系統(tǒng)所助理研究員。其中,1990年至1992年為德國FHG集成電路研究所博士后,從事高能離子注入技術在深亞微米半導體工藝中應用基礎研究。1993年-2002年歷任中科院上海微系統(tǒng)所副研究員、研究員、研究室副主任。(其中:1996年-1997年赴香港訪問學者)。2002年-2005年任上海新傲公司副經理,研究員。作為SOI材料研發(fā)團隊的負責人之一,共同創(chuàng)建了上海新傲公司 - 我國新一代硅基集成電路材料SOI生產基地。實現了SOI技術的重大突破和SOI材料的產業(yè)化并解決了我國SOI“有無”的問題。2005年獲得上海市科技進步一等獎(第三完成人),2006年獲得國家科技進步一等獎(第五完成人)。2006年起任上海微系統(tǒng)所人才教育處處長,研究員。 2009年3月起任上海微系統(tǒng)所所長助理兼人才教育處長,研究員。
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