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  • 寧瑾

    寧瑾

    寧瑾,女,博士,研究員,碩士生導(dǎo)師。1995年畢業(yè)于鄭州大學(xué)電子工程系,獲學(xué)士學(xué)位。2000年于航天科技集團蘭州物理研究所獲碩士學(xué)位。2003年7月在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所畢業(yè)獲博士學(xué)位,同年進入中科院半導(dǎo)體研究所集成技術(shù)中心工作,一直從事新型半導(dǎo)體微電子器件和MEMS(微機電系統(tǒng))器件的研究工作。

    人物簡介

    作為項目骨干和項目負(fù)責(zé)人先后完成和承擔(dān)中科院方向性創(chuàng)新項目、軍工科研項目、國家自然科學(xué)基金和國家863項目。先后成功研制出Si基電容式微傳聲器和SiC基MESFET器件,在國內(nèi)率先開展SiC RF MEMS器件的研究工作并制備出第一個SiC 諧振器,作為科研骨干人員參與并完成了2-4英寸1 m特種半導(dǎo)體工藝線的建立和調(diào)試工作。在國內(nèi)外核心學(xué)術(shù)期刊已經(jīng)發(fā)表學(xué)術(shù)論文10余篇,國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議報告6次。

    研究方向

    目前主要從事新型半導(dǎo)體微電子器件和MEMS(微機電系統(tǒng))器件的研究工作,包括SiC器件、Si器件和SOI器件。

    科研項目

    在研/完成主要項目:?

      1. 國家自然科學(xué)基金:新型級聯(lián)陣列結(jié)構(gòu)的AlN MEMS諧振器及關(guān)鍵機理研究,(2013年-2016年),項目負(fù)責(zé)人?

      2. 國家高技術(shù)研究發(fā)展863計劃項目:高Q值新型RF NEMS 模塊-濾波器的研制,(2006年-2008年),項目負(fù)責(zé)人

    寧瑾

      3. 國家自然科學(xué)基金項目:SiC RF MEMS 器件-高Q值諧振器的研究,(2005年-2007年),項目負(fù)責(zé)人?

    主要論著

    代表性論著:?

      1. ?Ning Jin, Sun Guosheng, Gong Quancheng, Liu Zhongli, Fabrication of Poly Crystalline 3C-SiC Resonator, 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, Oct.23-26, 2006, Shanghai, China, pp572-574.?

      2. ?Ning Jin, Gong Quancheng, Sun Guosheng, Liu Zhong, The ICP etching technology of 3C-SiC films, Journal of Physics: Conference Series 34 (2006) pp511-515?

      3. ?Chaowei?Si, ?Guowei?Han, ?Jin?Ning, Weiwei?Zhong, ?Fuhua?Yang. Quality?factor?optimization?techniques?for?MEMS?gyroscopes?of?frame?structure. Advanced?Materials?Research,?Vol 590 (2012)

      ?4. Chaowei Si, Guowei Han, Jin Ning, Weiwei Zhong, Fuhua Yang. Design?of?a?MEMS?resonant?wind?sensor?on?airplane?wing.?CSMNT 2012

      ?5. G.W. Han, C.W. Si, J. Ning, Y.M. Zhao, G.S. Sun, F.H. Yang,"Optimization for MEMS filter to reduce feed-through and an analysis method based on polar diagram", MNDSCS, (2013).?

      ?6. G.W. Han, C.W. Si, J. Ning, W.W. Zhong, Y.M. Zhao, G.S. Sun, F.H. Yang, "Feed-through cancellation of MEMS filter using difference method and analysis of the induced notch", Journal of semiconductors,vol34, No.4 (2013)?

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