袁建中，江西南昌人，中國(guó)科技大學(xué)半導(dǎo)體分立器專業(yè)本科畢業(yè)，北京大學(xué)固體物理專業(yè)、計(jì)算機(jī)專業(yè)碩士研究生，1986年美國(guó)紐約大學(xué)半導(dǎo)體物理博士，一直從事硅材料的專業(yè)研究。畢業(yè)后在世界著名500強(qiáng)企業(yè)---- 美國(guó)MEMC公司工作5年，熟練掌握多晶硅流化床制造過(guò)程；在世界著名500強(qiáng)企業(yè)-----Intel英特爾公司戰(zhàn)略投資部工作期間，負(fù)責(zé)Intel英特爾公司全球采購(gòu)12英寸硅片和產(chǎn)業(yè)投資計(jì)劃的實(shí)施。袁建中博士精通多晶硅流化床制造工藝和多晶硅、單晶硅切割技術(shù)研究并屢有建樹，并獲得多項(xiàng)國(guó)內(nèi)外發(fā)明專利技術(shù)。袁建中博士現(xiàn)任通用硅太陽(yáng)能電力（香港）集團(tuán)公司董事長(zhǎng)、控股股東；美國(guó)通用硅材料有限公司董事長(zhǎng)、控股股東；通用硅太陽(yáng)能電力（昆山）有限公司董事長(zhǎng)兼CEO首席執(zhí)行官； 江西通能硅材料有限公司董事長(zhǎng)；上海通用硅晶體材料有限公司董事長(zhǎng)兼CEO首席執(zhí)行官；歐蘊(yùn)科技（上海）有限公司董事長(zhǎng)兼CEO首席執(zhí)行官；日本東京大學(xué)21世紀(jì)尖端科學(xué)研究院首席客座教授。