基本內容
袁建中，江西南昌人，中國科技大學半導體分立器專業(yè)本科畢業(yè)，北京大學固體物理專業(yè)、計算機專業(yè)碩士研究生，1986年美國紐約大學半導體物理博士，一直從事硅材料的專業(yè)研究。畢業(yè)后在世界著名500強企業(yè)---- 美國MEMC公司工作5年，熟練掌握多晶硅流化床制造過程；在世界著名500強企業(yè)-----Intel英特爾公司戰(zhàn)略投資部工作期間，負責Intel英特爾公司全球采購12英寸硅片和產業(yè)投資計劃的實施。袁建中博士精通多晶硅流化床制造工藝和多晶硅、單晶硅切割技術研究并屢有建樹，并獲得多項國內外發(fā)明專利技術。袁建中博士現(xiàn)任通用硅太陽能電力（香港）集團公司董事長、控股股東；美國通用硅材料有限公司董事長、控股股東；通用硅太陽能電力（昆山）有限公司董事長兼CEO首席執(zhí)行官； 江西通能硅材料有限公司董事長；上海通用硅晶體材料有限公司董事長兼CEO首席執(zhí)行官；歐蘊科技（上海）有限公司董事長兼CEO首席執(zhí)行官；日本東京大學21世紀尖端科學研究院首席客座教授。
