個(gè)人履歷
1986年和1989年分別獲西北電訊工程學(xué)院半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)學(xué)士與碩士學(xué)位， 2003年6月獲西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)工學(xué)博士學(xué)位。
1989至2005年，任教于空軍工
2006至今，任教于西電微電子學(xué)院微電路與系統(tǒng)系，寬帶隙半導(dǎo)體GaN技術(shù)研究組。
1999年起從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件工藝研究,1999-2003年主要從事SiC-MESFET大功率器件模型和工藝研究，2004-2005年博士后工作期間，主要從事微波大功率AGaN/GaN HEMT器件理論和工藝領(lǐng)域的研究工作和納米CMOS器件可靠性分析課題的研究工作，2007年日本國(guó)立德島大學(xué)工學(xué)部客座教授，從事GaN領(lǐng)域國(guó)際合作研究。近年來(lái)主持和參與了國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、國(guó)防科技預(yù)先研究項(xiàng)目、國(guó)家863重大專項(xiàng)課題的研究，在國(guó)際國(guó)內(nèi)期刊上發(fā)表相關(guān)論文40余篇，被三大索引檢索近30篇。
程大學(xué)電訊工程學(xué)院無(wú)線電通訊系。
2007年到2008年在日本德島大學(xué)做高訪合作研究，主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件工藝的研究 。主持和參與了國(guó)家863高科技VLSI重大專項(xiàng)課題、國(guó)防科技預(yù)先研究、國(guó)家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目。國(guó)際國(guó)內(nèi)期刊上發(fā)表相關(guān)論文30余篇
研究方向
（1）寬帶隙半導(dǎo)體GaN在太赫茲領(lǐng)域的應(yīng)用（國(guó)際最新研究領(lǐng)域）
（2）GaN微波毫米波器件及電路研究
（3）寬帶隙半導(dǎo)體大功率器件模型及工藝研究
主要論文
1. Linan Yang, Yue Hao, Jincheng Zhang, Use of AlGaN in the notch region of GaN Gunn diodes,Applied Physics Letters(accepted).
2. Lin-An Yang ,Chun-Li Yu, Yue Hao, A new model of subthreshold swing for sub-100nm MOSFETs,Microelectronics Reliability48 (2008) 342-347.
3. Yue Hao, Lin-An Yang, Jincheng Zhang, GaN-based Semiconductor Devices for Terahertz Technology，Terahertz Science and Technology, Vol.1, No 2, (2008)51-64.
4. Lin-An Yang , Yue Hao, Chun-Li Yu, An improved substrate current model for ultra-thin gate oxide MOSFETs,Solid-State Electronics50(2006) 489-495.
5. Yue Hao, Lin-An Yang, Chun-Li Yu, An optimization technique for parameter extraction of ultra-deep submicron LDD MOSFETs,Solid-State Electronics50(2006) 1540-1545.
6. Lin-An Yang, Yimen Zhang, Chunli Yu, A compact model describing the effect of p-buffer layer on the I-V characteristics of 4H-SiC power MESFETs,Solid-State Electronics49(2005) 517-523.
7. L.A. Yang, C.L. Yu, Y. Hao, Channel resistance method for parameter extraction of ultra-thin gate oxide LDD MOSFETs,Proceedings of 8 International Conference on Solid-state and Integrated Circuit Technologies,Part II, Oct.23-26,(2006) 1373-1375.
