1964-1970年 清華大學(xué)工程物理系工程物理專業(yè)

　　1978-1981年 清華大學(xué)核能技術(shù)研究所新材料專業(yè)，助教，碩士研究生

　　1986-1987年 清華大學(xué)工程物理系和核能技術(shù)研究所，核材料專業(yè)，博士

　　工作經(jīng)歷

　　1971-1975年 清華大學(xué)核能技術(shù)研究所材料研究室，教師，特殊焊接班副班長兼擴(kuò)散焊接課題組長；

　　1975-1976年 清華大學(xué)核能技術(shù)研究所材料研究室，焊接和腐蝕班負(fù)責(zé)人

　　1976-1981年 清華大學(xué)核能技術(shù)研究所材料研究室，性能測試班班長，助教

　　1981-1987年 清華大學(xué)核能技術(shù)研究所材料研究室，講師，半導(dǎo)體材料中子摻雜課題組副組長

　　1987-1990年 清華大學(xué)核能技術(shù)研究所半導(dǎo)體和陶瓷材料課題組長，室主任，副教授

　　1992-1993年 國家科委工業(yè)科技司

　　1995－2003 清華大學(xué)核能技術(shù)設(shè)計研究院，教授，室主任，博士生導(dǎo)師

　　2004－至今 清華大學(xué)核能技術(shù)設(shè)計研究院，教授，博士生導(dǎo)師

　　研究工作

　　研究方向：材料科學(xué)，半導(dǎo)體材料工藝和性能，半導(dǎo)體物理和應(yīng)用物理，材料和器件的輻照損傷和缺陷

　　1978-現(xiàn)在：從事核材料、半導(dǎo)體材料和器件等的輻照效應(yīng)研究；

　　1970-1978：材料性能測試、特殊焊接、腐蝕。

　　文章著述

　　已先后在國內(nèi)外雜志和會議上上發(fā)表學(xué)術(shù)論文130多篇， 其中列入 SC1 的30多篇、EI的 30多篇

　　1 Hydrogen-defect shallow donors in Si，Xiang-Ti Meng, Ai-Guo Kang and Shou-Ren Bai, Jpn. J. Appl. Phys. ,V40, Part 1, No.4A(2001) 2123-2126 SCI

　　2 Performance Analysis of Gamma-ray Irradiated Color Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Digital Image Sensors, 康愛國 孟祥提 劉井泉 尤政, Jpn. J. Appl. Phys. , Part 1, Vol. 42, No. 4A (2003) 1753-1756 SCI

　　3 Dark Output Characteristic of Gamma-ray Irradiated CMOS Digital Image Sensors, 孟祥提 康愛國, RARE METALS 21-1 (2002)p.79 SCI (網(wǎng)絡(luò)版)

　　4 Degradation of B&W CMOS digital image sensor by Gamma-irradiation，孟祥提 康愛國 尤政，Jpn. J. Appl. Phys. Vol.41 No.8B (2002) pp.L919 - L921 SCI

　　5 Gamma-ray radiation and annealing effects on colour CMOS image sensors，孟祥提 康愛國 王醒宇 尤政, Semiconductor Science and Technology, 18-1(2003) L1-L3 SCI

　　6 Difference in electron- and gamma-irradiation effects on output characteristic of color CMOS digital image sensors， 孟祥提 康愛國 張喜民 李繼紅 黃強(qiáng) 李鳳梅 劉曉光 周宏余，Rare Metals 已經(jīng)接受發(fā)表 SCI (網(wǎng)絡(luò)版)

　　7 Effects of electron and gamma-ray irradiation on CMOS analog image sensors， 孟祥提 康愛國 李繼紅 張海云 于世潔 尤政，Microelectronics Reliability, 43-7(2003) 1151-1155 SCI

　　8 SiGe HBT和Si BJT直流電學(xué)性能與γ射線輻照劑量的關(guān)系，康愛國 孟祥提 王吉林 賈宏勇 陳培毅 錢佩信, 半導(dǎo)體技術(shù)，No. 12( 2002)68-71 核心刊物

　　9 γ射線輻照對SiGe HBT直流電學(xué)性能的影響, 孟祥提 王吉林 陳培毅,第7屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)交流會(2002-10-27，重慶)論文集，2001-11, p.139-142

　　10 一些MEMS應(yīng)用器件粒子輻照效應(yīng)研究綜述, 康愛國 孟祥提,第7屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)交流會(2002-10-27，重慶)論文集，2001-11, p.134-138

　　11 Comparison of neutron irradiation effects on electrical performances of SiGe HBT and Si BJT, 孟祥提 王瑞偏 康愛國, 王吉林 賈宏勇 陳培毅 錢佩信, RARE METALS Vol. 22, N.1 (2003) p.69-74 SCI (網(wǎng)絡(luò)版)

　　12 Effects of Neutron Irradiation on SiGe HBT and Si BJT Devices, 孟祥提 楊宏偉 康愛國, 王吉林 賈宏勇 陳培毅 錢佩信,J Mat. Sci.: Mat. In electronics, 14-4(2003)199-203 SCI

　　13 The dependence of the DC electrical performance of SiGe HBT and Si BJT on γ-ray irradiation dose, 孟祥提 康愛國 郭吉林, Phys. Scripta, ―已經(jīng)接受發(fā)表 SCI　　

　　14 Electron irradiation effects on DC electrical performances of SiGe HBT in a comparison with Si BJT,孟祥提 張喜民 王吉林 黃文韜 陳培毅 賈宏勇 錢佩信,Rare Metals ―已經(jīng)接受發(fā)表 SCI (網(wǎng)絡(luò)版)

　　15 Comparison of electron irritated SiGe HBT and Si BJT－電子輻照SiGe HBT和Si BJT直流特性分析, 黃文韜 王吉林 劉志農(nóng) 陳長春 張磊 陳培毅 孟詳提 錢佩信,材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(JMST)，2003 已經(jīng)接受發(fā)表 SCI (網(wǎng)絡(luò)版)，EI

　　16 Effects of hydrogen on annealing behavior of neutron-radiation-induced defects in Si， X. T. Meng, A. Zecca, R. Brusa, W. Puff Phys. Rev. B Vol. 50, No. (1994) 2657-2660. SCI CDE PA 187

　　17 Interaction of hydrogen with neutron-induced vacancy defects in Si,Meng Xiang-ti，Solid State Commun, 90-7 (1994) 455-460. SCI CDE NK 619 ; EIP 94071332625

　　18 Vacancy-type defects in large-dose neutron-irradiated silicon containing hydrogen， Meng Xiang-ti， Phil. Mag. B 70-4 (1994) 905-911. SCI CDE PK 484

　　19 Positron annihilation study of silicon irradiated by different neutron doses， Meng X T and Puff WJ. Phys. Conden. Matters 6-26 (1994)4971-4980， SCI CDE NV 173; EIP 94091387061， INSPEC (94)4734280 A9418-6180H-002

　　20 Annealing behaviour of defects in neutron-transmutation- doped floating zone Si， Meng Xiang-tiJapan. J. Appl. Phys. 33-5A part 1 (1994) 2444-7. SCI CDE NU 126; EIP 95012508713

　　21 Defects and their specific trapping rates in neutron-irradiated Si,Meng Xiang-ti, Physica Scripta 50-4 (1994) 419-422. SCI CDE PM 390; EI ISSN:0031-8949 CODEN:PHSTBO

　　22 Hydrogen-induced defects in neutron-irradiated silicon,Meng Xiang-ti， Phys. Lett. A 189-5 (1994) 383-389. SCI CDE NU 230; EI ISSN:0721-7250 CODEN: APAMFC