長期從事半導(dǎo)體物理與器件物理，半導(dǎo)體光電子學(xué)，MOCVD生長技術(shù)的研究。自1993年至今，一直從事III-V氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、器件的研制和物理性能的研究。申請國家發(fā)明專利20多項(xiàng)，發(fā)表論文100多篇。作為會(huì)議主席，在1998年和2001年兩次在中國主持召開了國際III-V氮化物半導(dǎo)體專題研討會(huì)，多次作為（氮化物半導(dǎo)體相關(guān)的）重大國際會(huì)議委員會(huì)委員，參加國際學(xué)術(shù)交流。作為第一發(fā)明人，曾獲得國家發(fā)明四等獎(jiǎng)，國家教委科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)勵(lì)。先后在美國，日本，澳大利亞，比利時(shí)開展合作研究。“九五”期間，作為國家“863”計(jì)劃信息光電子主題專家組成員，“十五”期間，作為國家半導(dǎo)體照明工程專家組成員，中國LED行業(yè)協(xié)會(huì)顧問專家，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事，努力為我國的LED照明光源的革命做出貢獻(xiàn)。