人物經(jīng)歷
復(fù)旦大學(xué)物理系物理專業(yè)77級(jí)， 理學(xué)學(xué)士 (1982)；
· 上海交通大學(xué)物理系固體物理專業(yè)碩士 (1984)；
· University of Oxford, Department of Materials
(國家公費(fèi)讀博士，1985－1989) Ph.D (1989)；
· The Royal Institution of Great Britain，
Postdoctoral Research Fellow (1989-1992)；
· National University of Singapore, Department of Physics
Research Fellow, Lecturer, Senior Lecturer (1992-1999)；
·清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系；
教授（1999－）；
博士生導(dǎo)師（2000－）。
全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)副主任委員
中國分析測(cè)試協(xié)會(huì)咨詢委員會(huì)委員
全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員
主講課程
1.《電子顯微分析》，大四課程（清華大學(xué)精品課）
2.《計(jì)算材料學(xué)》，研究生課程
研究方向
主要研究興趣為:納米結(jié)構(gòu)與納米材料、磁阻材料、碳材料、光電材料、 電子顯微術(shù)、計(jì)算材料學(xué)。
主要貢獻(xiàn)
已發(fā)表SCI論文120多篇.
2011年9月16日，章曉中教授研究組的最新研究成果——《硅的低場(chǎng)磁電阻的幾何增強(qiáng)》(Geometrical enhancement of low-field magnetoresistance in silicon)，這是國內(nèi)首次以第一單位在《自然》或《科學(xué)》（Science）雜志上刊登磁電阻領(lǐng)域的研究成果，也是磁電阻領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破。章曉中是本篇論文的通訊作者，他指導(dǎo)的2007級(jí)博士生萬蔡華為第一作者。
