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  • 陳文浚

    陳文浚

    1945年9月出生于北京市朝陽(yáng)區(qū)高碑店,報(bào)送進(jìn)入北京市清華大學(xué)附屬中學(xué)就讀期間獲得華羅庚數(shù)學(xué)競(jìng)賽第三名,于1963年考入清華大學(xué)無(wú)線電電子學(xué)系 半導(dǎo)體材料與器件專業(yè)。


    個(gè)人簡(jiǎn)介

    1982年進(jìn)入美國(guó)南衛(wèi)理公會(huì)大學(xué)Southern Methodist University,訪問(wèn)學(xué)者。

    個(gè)人簡(jiǎn)歷

    2009.03至今:納斯達(dá)克上市公司江蘇林洋新能源有限公司(現(xiàn)更名為韓華新能源有限公司) 首席科學(xué)家

    2007 - 2009:無(wú)錫尚品太陽(yáng)能科技有限公司 總工程師

    1970.04 u2013 2006.12:天津電源研究所(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十八研究所) 專家級(jí)教授

    主要貢獻(xiàn)

    三十九年來(lái),一直在第一線從事物理電源領(lǐng)域內(nèi)的太陽(yáng)電池材料與器件的研究與生產(chǎn)。在涉及硅太陽(yáng)能電池和砷化鎵太陽(yáng)能電池的多項(xiàng)研究課題和技術(shù)攻關(guān)任務(wù)中取得突出成績(jī),為我國(guó)在這一領(lǐng)域內(nèi),特別是空間用太陽(yáng)電池技術(shù)方面的科技進(jìn)步做出了重要貢獻(xiàn)。早在上個(gè)世紀(jì)七十年代末,主要參與研制的硅太陽(yáng)電池就由于成功地應(yīng)用于我國(guó)衛(wèi)星能源系統(tǒng),獲得了國(guó)家產(chǎn)品質(zhì)量銀質(zhì)獎(jiǎng)。在以后的“七五”、“八五”、“九五”和“十五”期間,連續(xù)二十年主持承擔(dān)國(guó)家電子預(yù)研課題及國(guó)家“863”、“934”和“973”重要高技術(shù)基礎(chǔ)研究項(xiàng)目。取得了多項(xiàng)技術(shù)成果,部分成果達(dá)到國(guó)外先進(jìn)水平。為此獲得了多項(xiàng)國(guó)家級(jí)和部、市級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)及個(gè)人榮譽(yù)表彰,并從1992年開始享受由國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)的國(guó)務(wù)院特殊政府津貼。

    獲得獎(jiǎng)項(xiàng)

    部、市級(jí)以上科技成果獎(jiǎng)

    頒發(fā)時(shí)間項(xiàng)目類別/等級(jí)
    1990.12TDJ20x40電池機(jī)械電子部科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)
    1991.11TDJ20x40電池國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)
    1996.12低阻高效硅太陽(yáng)電池研究電子部科學(xué)技術(shù)進(jìn)步三等獎(jiǎng)
    2002.9低成本高效GaAs/Ge太陽(yáng)電池天津市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)
    2002.12空間用GaAs太陽(yáng)電池國(guó)防科工委國(guó)防科學(xué)技術(shù)進(jìn)步三等獎(jiǎng)
    2004.5高效多結(jié)級(jí)連太陽(yáng)電池原理及材料研究中國(guó)電子科技集團(tuán)公司科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)
    2004.9空間主電源─ GaAs/Ge太陽(yáng)電池中國(guó)電子科技集團(tuán)公司科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)
    2005.11“973”子專題:“高效多結(jié)級(jí)連太陽(yáng)電池技術(shù)研究”總裝備部電子設(shè)備局“973”成果進(jìn)步一等獎(jiǎng)
    2007.9國(guó)家安全重大基礎(chǔ)研究致密能源項(xiàng)目中國(guó)電子科技集團(tuán)公司科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)
    2007.9空間用三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池中國(guó)電子科技集團(tuán)公司科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)
    2007.12致密能源項(xiàng)目國(guó)防科工委國(guó)防科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)

    局級(jí)以上授予的個(gè)人榮譽(yù)嘉獎(jiǎng)/稱號(hào)

    時(shí)間批準(zhǔn)單位榮譽(yù)稱號(hào)
    1990/1991/1994天津市電子儀表局局級(jí)先進(jìn)工作者
    1990中國(guó)電子工業(yè)總公司“七五”預(yù)先研究先進(jìn)個(gè)人
    1991機(jī)械電子工業(yè)部突出貢獻(xiàn)專家
    1992天津市總工會(huì)“八五”立功獎(jiǎng)?wù)?/td>
    1992天津市科委“授銜專家”
    1992國(guó)防科工委光華科技基金一等獎(jiǎng)
    1994國(guó)家勞動(dòng)人事部突出貢獻(xiàn)中、青年專家
    2001信息產(chǎn)業(yè)部“934”工程先進(jìn)個(gè)人
    2003信息產(chǎn)業(yè)部全國(guó)信息產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)勞動(dòng)模范
    2005總裝備部電子信息基礎(chǔ)部電子設(shè)備局“973”基礎(chǔ)研究先進(jìn)個(gè)人

    在國(guó)內(nèi)外專業(yè)刊物或?qū)W術(shù)會(huì)議上發(fā)表論文40多篇,代表性論著如下

    1. 硅太陽(yáng)電池的減反射膜”,中國(guó)太陽(yáng)能學(xué)會(huì)1979年年會(huì)

    2. “Large Grain Gallium Arsenide Thin Film”, 17th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, 1984

    3. “硅太陽(yáng)電池的高折射率減反射膜”,全國(guó)第二屆薄膜學(xué)術(shù)會(huì)議,1985

    4. “Surface Passivation Effects on Silicon Solar Cells”, 2nd Photovoltaic Science and Engineering Conference, 1986

    5. “效率高于18%的硅太陽(yáng)電池的設(shè)計(jì)與實(shí)踐”,《電源技術(shù)》1988年第2期

    6. “低阻高效硅太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)及工藝的改進(jìn)”,中國(guó)太陽(yáng)能學(xué)會(huì)1991年年會(huì)

    7. “效率為20%的ugPE硅太陽(yáng)電池研究”,《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》13卷第2期(1992)

    8. “國(guó)外高效硅太陽(yáng)電池研究現(xiàn)狀”,《電源技術(shù)》1992年第3期

    9. “Low Resistivity High Efficiency Silicon Solar Cells for Pottential Space Application”, 23rd IEEE Photovoltaic Specialist Conference, 1993

    10 . “Improved Structuer Design and Processing for Low Resistivity High Efficiency Silicon Solar Cells”, 《Progress in Batteries and Batteries Materials》, Vol. 12(1993)

    11 . “用高速轉(zhuǎn)盤MOCVD系統(tǒng)在Ge襯底上生長(zhǎng)GaAs太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)”,第六屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議,1999

    12. “Bragg Reflector for GaAs solar cells on Ge Substrates”, Proc. SPIE (2001), Vol.4288, P414-412

    13. “GaInP2/GaAs雙結(jié)太陽(yáng)電池”,第七屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議,2001

    14. “與Ge襯底完全晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge三結(jié)太陽(yáng)電池”,第八屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議,2003

    15. “用于四結(jié)電池的InGaAsN材料研究”,《人工晶體學(xué)報(bào)》34卷第4期(2005)

    16. “基于AlInGaAsP材料的應(yīng)變平衡量子阱太陽(yáng)能電池”,《人工晶體學(xué)報(bào)》34卷第4期(2005)

    17. “基于GaAs 的空間太陽(yáng)電池的應(yīng)用與研究現(xiàn)狀”,第九屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議,2005

    18. “R&D on III-V Compound Semiconductor Solar Cells for Space Application at TIPS”, IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2006

    19. “III-V族化合物半導(dǎo)體多結(jié)級(jí)連太陽(yáng)電池---光伏技術(shù)的新突破”,《電源技術(shù)》2007年第2期

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    • 金云銘(1904~1987),號(hào)寧齋,清光緒三十年(1904)生于倉(cāng)前山對(duì)湖。
    • 韓魯華,男,1955年9月出生于山東鄄城,1958年落戶至陜西大荔。
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