范緒筠 - 基本資料

姓名：范緒筠
出生日：1912年7月15日
星座：巨蟹座
性別：男
血型：未知
地區(qū)：中國(guó)
出生�。荷虾�
出生市：上海

范緒筠 - 個(gè)人概述

物理學(xué)家。1912年7月15日生于江蘇省上�？h（今上海市）。1932年畢業(yè)于哈爾濱工業(yè)學(xué)校，同年赴美。1934年在麻省理工學(xué)院獲碩士學(xué)位，1937年于該校獲科學(xué)博士學(xué)位。同年回國(guó)，在清華大學(xué)無線電研究所從事研究�？谷諔�(zhàn)爭(zhēng)爆發(fā)后，學(xué)校遷至昆明，成為西南聯(lián)合大學(xué)一部分。范緒筠在此期間注意到德國(guó)雜志上關(guān)于半導(dǎo)體接觸問題的研究。他對(duì)此問題極為重視，并且進(jìn)一步作理論探討，完成兩篇頗有價(jià)值的論文《固體間電接觸的理論》和《金屬間以及金屬和半導(dǎo)體間的接觸》，均發(fā)表在1942年的《物理學(xué)評(píng)論》上。范緒筠在這兩篇文章里，定性和定量地討論了金屬和半導(dǎo)體的不同特性，特別是半導(dǎo)體中傳導(dǎo)電子的密度可能會(huì)出現(xiàn)偏離正常值相當(dāng)大的現(xiàn)象，對(duì)固體電子學(xué)的發(fā)展，尤其是第二次世界大戰(zhàn)以后的半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用起了十分重要的作用。

1947年，范緒筠乘休假期間又回到美國(guó)麻省理工學(xué)院從事研究工作。普度大學(xué)因?qū)Ψ毒w筠1942年發(fā)表的兩篇理論文章深感興趣，遂邀請(qǐng)他到該校從事研究。范緒筠在普度大學(xué)做了兩年訪問教授以后，繼續(xù)留在那里，1949—1951年任副教授，1951—1963年任教授，1963年起為該校物理學(xué)鄧肯教授，直到1978年退休。1957年加入美國(guó)籍。范緒筠在普度大學(xué)開始階段從事于半導(dǎo)體吸收限的工作，當(dāng)時(shí)最引人注意的半導(dǎo)體是鍺和硅，范緒筠用實(shí)驗(yàn)證明鍺和硅有吸收限，用光的性質(zhì)來證明半導(dǎo)體有禁帶（見固體的能帶）。以后他還進(jìn)行半導(dǎo)體晶體缺陷的研究，他發(fā)表了100多篇論文,曾多次參加半導(dǎo)體物理國(guó)際會(huì)議。

范緒筠是美國(guó)國(guó)家研究委員會(huì)固體科學(xué)小組的成員，曾任美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)和國(guó)家科學(xué)院各種委員會(huì)和評(píng)審小組的成員，1969—1972年曾任國(guó)際純粹物理學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體委員會(huì)的通訊會(huì)員，1959—1961年是美國(guó)物理學(xué)會(huì)固體物理行政委員會(huì)成員。

范緒筠 - 個(gè)人成就

范緒筠（1912—？）從40年代起在昆明清華大學(xué)無線電研究所從事半導(dǎo)體物理的理論與實(shí)驗(yàn)研究，發(fā)現(xiàn)了半導(dǎo)體中導(dǎo)電電子密度可能偏離其正常值相當(dāng)大的現(xiàn)象，并定量地討論了兩個(gè)物體接觸處附近的勢(shì)位和電子密度分布；40年代末，他在當(dāng)時(shí)最為人們重視的鍺與硅半導(dǎo)體方面的研究取得了許多成就。

范緒筠 - 參考資料

1、http://www.chinabaike.com/article/sort0525/js/2007/200712191025525.html
2、http://www.souku.com.cn/viewtitle.jsp?url=4259300