馮·克里津 - 馮·克里津
馮·克利津(又譯馮·克利青Klaus von Klitzing, 1943-)因發(fā)現(xiàn)量子霍耳效應(yīng),獲得了1985年度諾貝爾物理學(xué)獎。
霍耳效應(yīng)是1879年美國物理學(xué)家霍耳(Edwin Hall)研究載流導(dǎo)體在磁場中導(dǎo)電的性質(zhì)時發(fā)現(xiàn)的一種電磁效應(yīng)。他在長方形導(dǎo)體薄片上通以電流,再沿電流的垂直方向加上磁場,然后發(fā)現(xiàn)在導(dǎo)體兩側(cè)與電流和磁場均垂直的方向上產(chǎn)生了電勢差。這個效應(yīng)后來被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體研究。1980年,馮·克利青(圖)從金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)發(fā)現(xiàn)了一種新的量子霍爾效應(yīng)。他在硅MOSFET管上加兩個電極,再把這個硅MOSFET管放到強(qiáng)磁場和極低溫下,發(fā)現(xiàn)霍耳電阻隨柵壓變化的曲線上出現(xiàn)了一系列平臺,與這些平臺相應(yīng)的霍耳電阻Rh=h/(ne2),其中n是正整數(shù)1,2,3……。也就是說,這些平臺是精確給定的,是不以材料、器件尺寸的變化而轉(zhuǎn)移的。它們只是由基本物理常數(shù)h(普朗克常數(shù))和e(電子電荷)來確定。
量子霍耳效應(yīng)是繼1962年約瑟夫森效應(yīng)發(fā)現(xiàn)之后又一個對基本物理常數(shù)有重大意義的固體量子效應(yīng)。它是20世紀(jì)以來凝聚態(tài)物理學(xué)和有關(guān)新技術(shù)(包括低溫、超導(dǎo)、真空、半導(dǎo)體工藝、強(qiáng)磁場等)綜合發(fā)展加上馮·克利青創(chuàng)造性的研究工作所取得的重要成果。
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