武爾楨，半導(dǎo)體專家。中國電子工業(yè)界半導(dǎo)體技術(shù)帶頭人和第一個(gè)半導(dǎo)體研究室和研究所的創(chuàng)建人。先后組織并主持研制出了中國第一只硅超高頻低噪聲晶體管、第一塊ｐ－ｎ結(jié)隔離的單塊集成電路和首種64千位動(dòng)態(tài)隨機(jī) 存取存儲(chǔ)器的超大規(guī)模集成電路，以及中國第一臺(tái)60萬伏高能離子注入機(jī)和高壓單晶爐。在培養(yǎng)人才方面也作出了相應(yīng)的貢獻(xiàn)。

武爾楨 - 簡介

武爾楨，半導(dǎo)體專家。中國電子工業(yè)界半導(dǎo)體技術(shù)帶頭人和第一個(gè)半導(dǎo)體研究室和研究所的創(chuàng)建人。先后組織并主持研制出了中國第一只硅超高頻低噪聲晶體管、第一塊p-n結(jié)隔離的單塊集成電路和首種64千位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的超大規(guī)模集成電路，以及中國第一臺(tái)60萬伏高能離子注入機(jī)和高壓單晶爐。在培養(yǎng)人才方面也作出了相應(yīng)的貢獻(xiàn)。 

1952年，工業(yè)戰(zhàn)線急需人材，武爾楨奉調(diào)到天津廣播器材廠擔(dān)任廠長，從此開始了把畢生精力，包括把科技專長奉獻(xiàn)給電子工業(yè)建設(shè)的歷程。1964年研制出了6類9種鍺器件，并為當(dāng)時(shí)中國自行研制的第一臺(tái)全晶體管化的電子計(jì)算機(jī)（108乙型）提供了配套所必需的兩種開關(guān)晶體管，翌年即1965年，他們又研制出了中國第一支硅超高頻低噪聲晶體管、第一支硅臺(tái)面高頻大功率晶體管和第一塊p-n結(jié)隔離的單塊集成電路，此外還有22種不同型號的硅器件。1969年底，開始研究要有60萬伏的高能離子注入機(jī)，1975年研制成功，如今，這臺(tái)有三層樓房高的機(jī)器仍在正常運(yùn)轉(zhuǎn)，還在發(fā)揮著尚未終結(jié)的關(guān)鍵作用。被稱為第四代半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品的VLSI（超大規(guī)模集成電路），國外是在70年代中期，在經(jīng)歷了中小規(guī)模與大規(guī)模集成電路技術(shù)的演變而發(fā)展起來的。它是半導(dǎo)體技術(shù)、電子技術(shù)、冶金技術(shù)、化工技術(shù)、精密機(jī)械技術(shù)、計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)與分析測試技術(shù)以及超微細(xì)加工技術(shù)等多學(xué)科交叉融合的結(jié)晶。武爾楨選擇的突破口是在當(dāng)時(shí)被標(biāo)志為的一個(gè)重要臺(tái)階的代表產(chǎn)品——64千位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這個(gè)由武爾楨等經(jīng)過周密調(diào)研后作出的決策，在當(dāng)時(shí)既符合基于自力更生的國情，又瞄準(zhǔn)了國際上先進(jìn)水平，遂被上級主管部門列為中國“七五”科技發(fā)展規(guī)劃中的一個(gè)項(xiàng)目。1986年5月13日，即約經(jīng)半年的時(shí)間，中國首批64KDRAM樣品就被他們研制了出來，成為當(dāng)時(shí)正在北京召開的全國“六五”科技成果表彰大會(huì)的一項(xiàng)重大新聞，并被大會(huì)視為水平最高的成果之一。

武爾楨 - 平生

武爾楨又名烏拉，1920年12月20日出生在山東省濰坊市武家村一個(gè)世代務(wù)農(nóng)家庭。他3歲時(shí)喪母、5歲

時(shí)繼母又去世，父親一直單身一人在膠濟(jì)鐵路張店站當(dāng)客車檢票員，故童年時(shí)期全靠伯祖母、姑姑照顧撫養(yǎng)。6歲時(shí)入私塾讀書。11歲時(shí)由于韓（復(fù)渠）閻（錫山）之戰(zhàn)的影響，隨同姑姑去青島投奔一位遠(yuǎn)房親戚。3個(gè)月以后，武爾楨一人去張店和父親一起生活、上學(xué)。不到兩年就隨父親調(diào)差青島在鐵路小學(xué)上學(xué)，半年后轉(zhuǎn)入鐵路中學(xué)學(xué)習(xí)。1937年，武爾楨初中畢業(yè)。時(shí)值“七七”事變驟起，乃隨父親回到濰坊鄉(xiāng)下暫住。一年以后重又到青島禮賢中學(xué)上高中。武爾楨的童年和少年就是在這種失去母愛、缺少父愛，再加上軍閥混戰(zhàn)、日本侵略軍蹂躪的動(dòng)亂年代中渡過的，因而從小就養(yǎng)成了獨(dú)立生活、獨(dú)立思考的能力與自強(qiáng)自立的性格。少年時(shí)期的不安定生活使他看到了舊中國的黑暗，百姓的疾苦，體會(huì)到了“哀民生之多艱”的含義。在他幼小的胸襟中積蓄起來的這種思緒，萌生了日后學(xué)好知識、投入“科學(xué)救國”、“實(shí)業(yè)救國”行列的心志。在高中學(xué)習(xí)期間，武爾楨起早貪黑，發(fā)憤用功。在教室里，每天都是到得最早、走得最晚。3年的高中學(xué)習(xí)成績，在學(xué)校里總是名列前茅，深受當(dāng)時(shí)望重惜才的教師的器重。不甘忍受日本侵略軍欺躪、不愿當(dāng)亡國奴的武爾楨，高中畢業(yè)以后，毅然離開當(dāng)時(shí)已成為淪陷區(qū)的青島，決心去大后方重慶求學(xué)。

1941年夏天，原定7人同去重慶。幾經(jīng)商量之后，其他6人退了下來，剩下武爾楨一人開始了艱難的征程。當(dāng)時(shí)從青島坐火車西去只能通到商丘，于是他在到達(dá)商丘之后，便徒步走到洛陽，再從那里設(shè)法越過日本侵略軍布設(shè)的封鎖線。之后，他用剩下不多的錢買了一匹毛驢，以騎代步，曉行夜宿，比較平安地到達(dá)陜西寶雞。此時(shí)他所帶的川資已經(jīng)花光，為能到達(dá)心目中的大后方，只好賣掉毛驢，再次徒步前進(jìn)。在翻越秦嶺的途中，僅有的一點(diǎn)點(diǎn)行李錢物又被人騙去。在身無分文的情況下，他忍饑挨餓走到了廣元。之后，他便沿著南下的嘉陵江邊打工邊乞討地走到了當(dāng)時(shí)的陪都重慶。在重慶他慶幸自己考入了當(dāng)時(shí)設(shè)在川南李莊的同濟(jì)大學(xué)。飽受戰(zhàn)亂頻仍、日軍欺凌和顛沛流離之苦的武爾楨滿以為到了作為大后方的重慶，從此可以安心讀書。可是，在同濟(jì)大學(xué)過了半年的大學(xué)生活之后，武爾楨所看到的是，國民政府統(tǒng)治下的重慶地區(qū)，社會(huì)黑暗，官場腐敗，失望之感油然而生，遂產(chǎn)生了離開重慶的想法。由于在1941年至1942年之交，云南昆明被許多追求進(jìn)步的青年學(xué)生視為能呼吸到新鮮空氣的地方，他便于1942年10月來到昆明，慕名考入了西南聯(lián)大。長期的流浪，社會(huì)的動(dòng)蕩，武爾楨已和家里失掉聯(lián)系。他在西南聯(lián)合大學(xué)學(xué)習(xí)期間，經(jīng)濟(jì)上失去了來源。為了上完大學(xué)，先在學(xué)校里挑水打工，后在昆明唯一的一家放映美國原版影片的電影院里當(dāng)同聲翻譯，用所得的收入維持繼續(xù)上學(xué)的費(fèi)用。　　

在西南聯(lián)大，他經(jīng)歷了一次又一次的爭民主、反迫害的學(xué)運(yùn)浪潮，目睹了橫行無忌的國民黨警察特務(wù)隨意槍殺李公樸、聞一多等民主志士的血腥罪行，加深了對國民黨統(tǒng)治集團(tuán)的反動(dòng)、腐敗本質(zhì)的認(rèn)識，原本對政治無甚主見的他，通過對比，自然而然地接受了中國共產(chǎn)黨的抗日救國和謀求民族解放的新思想。1945年8月15日，日本帝國主義宣布無條件投降，這場持續(xù)了8年、給中華民族造成深重災(zāi)難的戰(zhàn)爭終于結(jié)束了。1946年，開始復(fù)員的西南聯(lián)合大學(xué)部分北遷，他被分到北京清華大學(xué)物理系學(xué)習(xí)。越一年完成大學(xué)學(xué)業(yè)之后，于1947年投奔冀察熱遼解放區(qū)，參加了中國共產(chǎn)黨領(lǐng)導(dǎo)下的民族解放事業(yè)。1948年10月他加入中國共產(chǎn)黨。也在這一年，經(jīng)歷土地革命鍛練的武爾楨進(jìn)入了新聞戰(zhàn)線，先后擔(dān)任過冀察熱遼分局群眾日報(bào)、天津日報(bào)編輯和天津人民廣播電臺(tái)編輯科長等職務(wù)。1952年，工業(yè)戰(zhàn)線急需人材，他奉調(diào)到天津廣播器材廠擔(dān)任廠長，從此開始了把畢生精力，包括把科技專長奉獻(xiàn)給電子工業(yè)建設(shè)的歷程。1954年，此廠改隸機(jī)械工業(yè)部10局（電子工業(yè)局）管理，任務(wù)大為加重，并獲得了另一廠名（764廠），他仍任廠長職務(wù)。那段時(shí)間，直至1956年，正是中國國民經(jīng)濟(jì)建設(shè)從恢復(fù)生產(chǎn)、支援抗美援朝和調(diào)整充實(shí)到開始執(zhí)行第一個(gè)五年計(jì)劃時(shí)期，全國人民意氣風(fēng)發(fā)，各條戰(zhàn)線凱歌頻奏。勇于開拓、忠于職守的武爾楨，在他所曾任事的單位均作出了令人稱道的成績，而他也從中吸取了許多對于增強(qiáng)才干極為重要的知識與經(jīng)驗(yàn)�！�

1956年，由周恩來總理親自主持制訂的“十二年科學(xué)發(fā)展規(guī)劃”，把半導(dǎo)體技術(shù)作為中國四大發(fā)展重點(diǎn)之一。半導(dǎo)體是美國人于1948年發(fā)明的，中國1956年對半導(dǎo)體的科研工作則是剛剛開始。當(dāng)時(shí)的蘇聯(lián)，其半導(dǎo)體研究水平與美國比較起來還存在著一段差距，中國又正處在大學(xué)蘇聯(lián)的熱潮之中。武爾楨就是在這種歷史背景下，于1956年3月由天津764廠調(diào)到第二機(jī)械工業(yè)部第十一研究所（北京）任副所長，分工主管半導(dǎo)體材料與器件的研究開發(fā)工作。由于他對開辟中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片處女地對于發(fā)展起步中的電子工業(yè)、包括發(fā)展新一代軍用電子裝備的重要意義具有深刻的認(rèn)識，盡管面對的形勢十分嚴(yán)峻，任務(wù)十分艱巨：所能指揮調(diào)動(dòng)的技術(shù)人員，不是和他一樣需要“自覺改行”、就是新近才加入的年輕的大中專學(xué)生，都無例外地要經(jīng)過某種形式的培訓(xùn)；用來制造半導(dǎo)體材料與器件的專門裝備與檢測儀器只能自己動(dòng)手制造和移用改造；所能借鑒的技術(shù)資料也十分稀缺，只能到浩如瀚海的外國文獻(xiàn)中去大海撈針。懷著極強(qiáng)使命感和緊迫感的武爾楨上任伊始，就本著一顆為社會(huì)主義事業(yè)貢獻(xiàn)自己一片忠誠之心，投入了以解決這些問題為中心的半導(dǎo)體研究室的組織工作，并在組建過程中率領(lǐng)這支年輕的技術(shù)隊(duì)伍去當(dāng)時(shí)的中科院應(yīng)用物理所半導(dǎo)體研究室進(jìn)修訪問并參與研制工作。該室于1957年11月研制出的中國第１只鍺三極管，蘊(yùn)涵了他們的辛勞，更重要的是增長了他們的才智。1958年他們回到第十一研究所后把用自己設(shè)計(jì)制造的幾種半導(dǎo)體器件組裝成的首臺(tái)半導(dǎo)體收音機(jī)送到周恩來總理手中。這臺(tái)收音機(jī)在今日看來盡管微不足道，卻奏出了國產(chǎn)半導(dǎo)體整機(jī)從此起步的序曲�！�

武爾楨 - 年份記事　

1920年12月20日　出生在山東省濰坊市武家村。
1941年－1942年　在四川同濟(jì)大學(xué)學(xué)習(xí)。
1942年－1946年　在云南昆明西南聯(lián)合大學(xué)學(xué)習(xí)。
1946年－1947年　畢業(yè)于北京清華大學(xué)。
1947年－1948年　中國共產(chǎn)黨冀察熱遼分局群眾土改工作隊(duì)，隊(duì)員。
1948年－1949年　任冀察熱遼分局群眾日報(bào)社、天津日報(bào)社編輯。
1949年－1952年　任天津人民廣播電臺(tái)編輯科長。
1952年－1954年　任天津廣播器材廠廠長。
1954年－1956年　任國營764廠廠長。
1956年－1959年　任第二機(jī)械工業(yè)部第十一研究所副所長。
1959年－1960年　任第四機(jī)械工業(yè)部第十二研究所副所長。
1960年－1975年　任第四機(jī)械工業(yè)部第十三研究所副所長兼總工程師。
1975年－1979年　任第四機(jī)械工業(yè)部第十三研究所所長兼總工程師。
1979年－1982年　任電子工業(yè)部第十四研究院副院長。
1982年－1986年　任電子工業(yè)部中國電子器件工業(yè)總公司總工程師。
1986年6月5日　在北京逝世。

武爾楨 - 職業(yè)成就

1952年，工業(yè)戰(zhàn)線急需人材，武爾楨奉調(diào)到天津廣播器材廠擔(dān)任廠長，從此開始了把畢生精力，包括把科技專長奉獻(xiàn)給電子工業(yè)建設(shè)的歷程。1964年研制出了6類9種鍺器件，并為當(dāng)時(shí)中國自行研制的第一臺(tái)全晶體管化的電子計(jì)算機(jī)（108乙型）提供了配套所必需的兩種開關(guān)晶體管，翌年即1965年，他們又研制出了中國第一支硅超高頻低噪聲晶體管、第一支硅臺(tái)面高頻大功率晶體管和第一塊p-n結(jié)隔離的單塊集成電路，此外還有22種不同型號的硅器件。1969年底，開始研究要有60萬伏的高能離子注入機(jī)，1975年研制成功，如今，這臺(tái)有三層樓房高的機(jī)器仍在正常運(yùn)轉(zhuǎn)，還在發(fā)揮著尚未終結(jié)的關(guān)鍵作用。被稱為第四代半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品的VLSI（超大規(guī)模集成電路），國外是在70年代中期，在經(jīng)歷了中小規(guī)模與大規(guī)模集成電路技術(shù)的演變而發(fā)展起來的。它是半導(dǎo)體技術(shù)、電子技術(shù)、冶金技術(shù)、化工技術(shù)、精密機(jī)械技術(shù)、計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)與分析測試 技術(shù)以及超微細(xì)加工技術(shù)等多學(xué)科交叉融合的結(jié)晶。武爾楨選擇的突破口是在當(dāng)時(shí)被標(biāo)志為VLSI的一個(gè)重要臺(tái)階的代表產(chǎn)品－64千位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（64KDRAM）。這個(gè)由武爾楨等經(jīng)過周密調(diào)研后作出的決策，在當(dāng)時(shí)既符合基于自力更生的國情，又瞄準(zhǔn)了國際上先進(jìn)水平，遂被上級主管部門列為中國“七五”科技發(fā)展規(guī)劃中的一個(gè)項(xiàng)目。1986年5月13日，即約經(jīng)半年的時(shí)間，中國首批64KDRAM樣品就被他們研制了出來，成為當(dāng)時(shí)正在北京召開的全國“六五”科技成果表彰大會(huì)的一項(xiàng)重大新聞，并被大會(huì)視為水平最高的成果之一。 

武爾楨 - 相關(guān)詞條

何大中	劉宜倫
陳大一	歐陽自遠(yuǎn)

 

武爾楨 - 參考資料

[1] 自動(dòng)化網(wǎng) http://www.zidonghua.com.cn/news/detail.asp?id=3012