基本內(nèi)容
馮毓材 男，1933年生，浙江人。1961年畢業(yè)于西安交通大學(xué)動(dòng)力系，空間科學(xué)與應(yīng)用研究中心研究員。主要成果“表面改性用高能寬束發(fā)散場(chǎng)考夫曼離子源”，獲實(shí)用新型專利。用于材料大面積表面改性，分三型號(hào)，分獲科學(xué)院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、一等獲及國(guó)家級(jí)成果獎(jiǎng)；“材料表面改性用電子束蒸發(fā)金屬離子源”獲國(guó)家發(fā)明專利。研究的“DR-MI-1型雙束動(dòng)態(tài)混合及注入機(jī)”，獲國(guó)家級(jí)成果獎(jiǎng)；用于材料離子注入及動(dòng)態(tài)共混；“GKQF-1型高能強(qiáng)流聚焦離子源”，為國(guó)家級(jí)成果，用于高速濺射鍍膜；“研制的6厘米輔助鍍膜用離子源”，為國(guó)家級(jí)成果，獲中科院科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)�，F(xiàn)正從事材料表面改性及各種離子源的設(shè)計(jì)與研究。
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