1954年，出生于日本日本愛媛縣伊方町；

1965年，愛媛縣小學(xué)轉(zhuǎn)入兵庫縣尼崎市·尼崎市立樁瀨小學(xué)；

1967年，尼崎市立樁瀨小學(xué)畢業(yè)；

1973年，愛媛縣立大洲高等學(xué)校普通科畢業(yè)；

1977年，德島大學(xué)工學(xué)院電子工程學(xué)士畢業(yè)；

1979年，德島大學(xué)電子工程碩士學(xué)位畢業(yè)， 同年進入日亞化學(xué)(Nichia)；

1987年，佛羅里達大學(xué)電子工學(xué)部留學(xué)（1988年9月）；

1988 年，日亞化學(xué)資助中村進入美國佛羅里達州立大學(xué)研究金屬有機物化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)；

1989年，中村教授開始研究基于三族氮材料的藍光LED；

1991年，獲得氮化鎵成長的關(guān)鍵技術(shù)；

1993年，高亮度青色發(fā)光二極管的開發(fā)，開發(fā)了藍色發(fā)光二極管--被稱為世紀發(fā)明、諾貝爾獎級別的發(fā)明--該項技術(shù)曾被認為20世紀不可能的任務(wù)--并商品化；

1994年，日本德島大學(xué)“InGaN高亮度LED青色関研究”獲得電氣工程博士學(xué)位；

1995年，開始研發(fā)藍色激光二極管，InGaN/氮化鎵青色半導(dǎo)體激光的室溫脈沖振蕩實現(xiàn)；

1997年，開發(fā)出紫外LED；

1999年12月，離開日亞公司；

2000年，任美國加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校?材料物性工學(xué)部教授一職，同時以每周一天的頻率指導(dǎo)cree；

2002年，任信州大學(xué)客座教授一職。與赤崎勇、天野浩同時研究“青色發(fā)光半導(dǎo)體設(shè)備的開發(fā)”中；

2005年，從水容易取出氫原理開發(fā)成功；

2006年，愛媛大學(xué)客座教授一職；

2006年5月24日，中村修二博士與加州大學(xué)巴巴拉分校(UCSB)研究小組制造出第一款無極性(non-polar)和半極性(semi-polar)GaN 襯底LED；

2007年1月，世界首次的，無極性青紫色半導(dǎo)體激光開發(fā)了發(fā)表。

中村修二教授的創(chuàng)新使得LED生產(chǎn)商能夠生產(chǎn)三原色（紅、綠和藍）LED，從而使實現(xiàn)1600萬色成為可能�；蛟S最為重要的是，LED行業(yè)利用這種新技術(shù)來開始白色LED（半導(dǎo)體生態(tài)光源）的商業(yè)化生產(chǎn)。

1989年，中村教授開始研究基于三族氮材料的藍光LED。由于在藍光LED方面的杰出成就，中村教授獲得了一系列榮譽，包括仁科紀念獎（1996），IEEE Jack A.莫頓獎，英國頂級科學(xué)獎（1998）；富蘭克林獎?wù)拢?002），2003年中村教授入選美國國家工程院（NAE）院士，2006年獲得千禧技術(shù)獎。 2000年，中村教授加入加州大學(xué)圣芭芭拉分校。他獲得100多項專利，并發(fā)表了200多篇論文。

2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因發(fā)現(xiàn)新型節(jié)能光源而獲得2014年度諾貝爾物理學(xué)獎，他們將平分800萬瑞典克朗（約合111萬美元）的獎金。

獲獎感言

身在美國的中村修二接到獲獎電話后，驚喜之余連道“難以置信”。他隨后發(fā)表聲明，稱對獲獎感到榮幸，“看到我們的LED照明夢想成真非常令人滿意……希望節(jié)能的LED燈有助于減少能源消耗，降低全球范圍的照明成本”。

1996年，仁科紀念獎；

1997年，大河內(nèi)紀念獎；

2001年，獲日本朝日獎；

2002年，獲得美國本杰明·富蘭克林金獎；

2002年，武田獎；

2006年，獲芬蘭千禧技術(shù)大獎；

2008年，阿斯圖利亞斯皇太子獎；

2011年，第63屆艾美獎技術(shù)開發(fā)部門獲獎；

2014年，諾貝爾物理學(xué)獎。