人物履歷
1929年1月30日出生于鹿兒島縣知覽町；
1946年鹿兒島縣立第二鹿兒島初中畢業(yè)；
1952年畢業(yè)于京都大學(xué)理學(xué)部；
1959年-1963年名古屋大學(xué)助手，講師，助教授一職；
1964年在名古屋大學(xué)獲得博士學(xué)位；
1964年就任松下電器產(chǎn)業(yè)東京研究所基礎(chǔ)研究室長；
1981年起任名古屋大學(xué)教授；
1992年起任日本名城大學(xué)教授。
研究領(lǐng)域
赤崎勇曾在神戶工業(yè)公司（現(xiàn)富士通公司）和松下電器產(chǎn)業(yè)公司從事科研工作
赤崎勇在氮化鎵研究中，首次實(shí)現(xiàn)了氮化鎵的PN結(jié)，為利用氮化鎵材料制造藍(lán)色發(fā)光二極管奠定了基礎(chǔ)
低溫沉積緩沖層技術(shù)的高質(zhì)量的制備氮化鎵結(jié)晶成功（1986年）
p型氮化鎵的結(jié)晶化成功，氮化鎵的pn結(jié)的青色發(fā)光二極管（1989年）實(shí)現(xiàn)
從氮化鎵的室溫中紫外光誘導(dǎo)成功釋放（1990年）
氮化鎵/GalnN量子井電流注入誘導(dǎo)放出的觀測成功（1995年）
主要著作
電氣和電子材料（1985年9月，朝倉書店）
III-V族化合物半導(dǎo)體（1994年5月，培風(fēng)館）
青色發(fā)光設(shè)備的魅力―廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域打開（1997年4月，工業(yè)調(diào)查會）
III族氮化物半導(dǎo)體（1999年12月，培風(fēng)館）
諾貝爾獎(jiǎng)
2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因發(fā)現(xiàn)新型節(jié)能光源而獲得2014年度諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)，他們將平分800萬瑞典克朗（約合111萬美元）的獎(jiǎng)金。
獲獎(jiǎng)感言
赤崎勇在獲獎(jiǎng)后舉行的記者會上首先感謝他的研究團(tuán)隊(duì)，稱“我無法一個(gè)人完成這項(xiàng)成果”。
提及成功的秘訣，赤崎勇強(qiáng)調(diào)了研究團(tuán)隊(duì)的執(zhí)著精神。他坦言，不少人之前對他說，他的研究在20世紀(jì)結(jié)束時(shí)也不會取得成果，“但我決沒有這么認(rèn)為……我只是一直在做我希望做的事”。
榮譽(yù)記錄
1989年日本晶體生長學(xué)會論文獎(jiǎng)
1991年中日文化獎(jiǎng)
1994年光電子會議特別獎(jiǎng)
1994年日本學(xué)會創(chuàng)立20周年紀(jì)念晶體生長技術(shù)貢獻(xiàn)獎(jiǎng)
1995年化合物半導(dǎo)體國際研討會獎(jiǎng)
1995年HeinrichWelkerGoldMedal
1996年IEEE激光和電子光學(xué)協(xié)會的工程成就獎(jiǎng)
1996年紫綬獎(jiǎng)?wù)?/p>
1998年井上春成獎(jiǎng)
1998年勞戴斯獎(jiǎng)
1998年應(yīng)用物理學(xué)會會志獎(jiǎng)
1998年IEEE杰克A.莫爾頓獎(jiǎng)
1998年英國排名獎(jiǎng)
1999年固態(tài)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)
2000年朝日獎(jiǎng)
2000年東麗科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)
2002年應(yīng)用物理學(xué)會成就獎(jiǎng)
2002年武田獎(jiǎng)
2002年藤原獎(jiǎng)
2002年三等旭日中綬章勛
2003年日本學(xué)術(shù)會議會長獎(jiǎng)
2003年SSDM獎(jiǎng)
2004年“文化功勞者
2009年11月10日京都獎(jiǎng)（尖端技術(shù)領(lǐng)域）
2011年IEEE愛迪生獎(jiǎng)牌
2011年科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)知識產(chǎn)權(quán)特別貢獻(xiàn)獎(jiǎng)
2011年文化勛章
2014年日本學(xué)士院獎(jiǎng)·恩賜獎(jiǎng)
2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)
