人物履歷
1929年1月30日出生于鹿兒島縣知覽町；
1946年鹿兒島縣立第二鹿兒島初中畢業(yè)；
1952年畢業(yè)于京都大學理學部；
1959年-1963年名古屋大學助手，講師，助教授一職；
1964年在名古屋大學獲得博士學位；
1964年就任松下電器產(chǎn)業(yè)東京研究所基礎(chǔ)研究室長；
1981年起任名古屋大學教授；
1992年起任日本名城大學教授。
研究領(lǐng)域
赤崎勇曾在神戶工業(yè)公司（現(xiàn)富士通公司）和松下電器產(chǎn)業(yè)公司從事科研工作
赤崎勇在氮化鎵研究中，首次實現(xiàn)了氮化鎵的PN結(jié)，為利用氮化鎵材料制造藍色發(fā)光二極管奠定了基礎(chǔ)
低溫沉積緩沖層技術(shù)的高質(zhì)量的制備氮化鎵結(jié)晶成功（1986年）
p型氮化鎵的結(jié)晶化成功，氮化鎵的pn結(jié)的青色發(fā)光二極管（1989年）實現(xiàn)
從氮化鎵的室溫中紫外光誘導成功釋放（1990年）
氮化鎵/GalnN量子井電流注入誘導放出的觀測成功（1995年）
主要著作
電氣和電子材料（1985年9月，朝倉書店）
III-V族化合物半導體（1994年5月，培風館）
青色發(fā)光設(shè)備的魅力―廣泛的應用領(lǐng)域打開（1997年4月，工業(yè)調(diào)查會）
III族氮化物半導體（1999年12月，培風館）
諾貝爾獎
2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因發(fā)現(xiàn)新型節(jié)能光源而獲得2014年度諾貝爾物理學獎，他們將平分800萬瑞典克朗（約合111萬美元）的獎金。
獲獎感言
赤崎勇在獲獎后舉行的記者會上首先感謝他的研究團隊，稱“我無法一個人完成這項成果”。
提及成功的秘訣，赤崎勇強調(diào)了研究團隊的執(zhí)著精神。他坦言，不少人之前對他說，他的研究在20世紀結(jié)束時也不會取得成果，“但我決沒有這么認為……我只是一直在做我希望做的事”。
榮譽記錄
1989年日本晶體生長學會論文獎
1991年中日文化獎
1994年光電子會議特別獎
1994年日本學會創(chuàng)立20周年紀念晶體生長技術(shù)貢獻獎
1995年化合物半導體國際研討會獎
1995年HeinrichWelkerGoldMedal
1996年IEEE激光和電子光學協(xié)會的工程成就獎
1996年紫綬獎章
1998年井上春成獎
1998年勞戴斯獎
1998年應用物理學會會志獎
1998年IEEE杰克A.莫爾頓獎
1998年英國排名獎
1999年固態(tài)科學技術(shù)獎
2000年朝日獎
2000年東麗科學技術(shù)獎
2002年應用物理學會成就獎
2002年武田獎
2002年藤原獎
2002年三等旭日中綬章勛
2003年日本學術(shù)會議會長獎
2003年SSDM獎
2004年“文化功勞者
2009年11月10日京都獎（尖端技術(shù)領(lǐng)域）
2011年IEEE愛迪生獎牌
2011年科學技術(shù)振興機構(gòu)知識產(chǎn)權(quán)特別貢獻獎
2011年文化勛章
2014年日本學士院獎·恩賜獎
2014年諾貝爾物理學獎
