余金中1992和2001年作為訪問學者在美國硅谷和德國斯圖加特大學工作和講學。

余金中現(xiàn)任中國科學院半導體研究所學術委員、研究生院研究員，博士生導師。兼任浙江大學、山東大學、廈門大學、北京工業(yè)大學、華僑大學和河北大學兼職教授，《半導體光電子》、《飛通光電子技術》雜志編委。美國國際光子工程協(xié)會(SPIE)、中國光學學會會員和中國電子學會高級會員。

余金中長期從事半導體光電子學研究，著重研究硅基光電子集成、硅基光波導器件和SiGe/Si異質結和器件的生長、制備和特性表征。

主要學術業(yè)績：

一、首先在國內實現(xiàn)了短波長激光器的長壽命工作，促進了我國光通信的起步發(fā)展。主持長波長激光器實用化研發(fā)，成功地轉化為高技術產(chǎn)品。

二、開展低能量無損傷干法刻蝕研究，創(chuàng)新采用低能量大離子束流，實現(xiàn)了無損傷高速率刻蝕，為低閾值長壽命半導體激光器的研制奠定了重要基礎。

三、1996年致力于硅基光電子學研究，合作設計加工出高水平的UHV/CVD系統(tǒng)，指導研究生外延出高質量SiGe/Si量子結構和器件，相關結果已被國外多次進行報道，并多次在國際會議上作邀請報告。

四、在國內率先主持開展SOI光波導研究，成功做出MMI耦合器和MZI熱光型和電光型光開關，響應速度快，為國際先進水平。

完成/在研主要項目

國家基金委重大項目“光子集成基礎研究" 課題"IV族基能帶工程材料和器件應用研究”（1998-2002）。

國家基金委重大項目"WDM全光網(wǎng)基礎研究"，課題"WDM全光網(wǎng)關鍵器件及基礎材料研究"（1999-2003）。

科技部973項目"支撐高速、大容量信息網(wǎng)絡系統(tǒng)的光子集成基礎研究" 課題"OXC關鍵集成器件及增益非線性與噪聲動力學"（2001-2005）。

科技部863項目"通信用光電子材料、器件與集成技術" 課題"硅基高速波導光開關及其集成技術" （2002-2005）。

代表性論著

余金中，《半導體光電子技術》，2003，北京：化工出版社。

YU Jinzhong, Wei Hongzhen, Yan Qingfeng, Xia Jinsong, Zhang Xiaofeng, “Integrated MMIoptical couplers and optical switches in Silicon-on-insulator techlonogy”, J. of The Graduatte School of The Chinese Acadamy of Sciences, 2003，20（1）：1-4.

余金中，嚴清峰，夏金松，王小龍，王啟明，“SOI光電子集成”，功能材料和器件學報，2003，9（1）：1-7.

Jinzhong Yu, Changjun Huang, Buwen Cheng, Yuhua Zuo, Liping Luo and Qiming Wang，Type-II SiGe/Si MQWs (multi-quantum Wells) and Self-Organized Ge/Si Islands Grown by UHV/CVD System，International J. Modern Phys. ，2002，16(28&29): 4228-4233。

Erich Kasper 主編，余金中譯，王杏華，王莉，夏永偉校，《硅鍺的性質》，2002年9月第1版，北京：國防工業(yè)出版社。

Yu Jinzhong, Yu Zhou , Cheng Buwen , Li Daizhong , Lei Zhenlin , Wang Qiming，GeSi/Si heterostructures grown by a home-made UHV/CVD，Science Foundation In CHINA，1999，7（7）: 40-43。

J. Z. Yu, N. Masui, Y. Yuba, T. Hara, M. Hamagaki, Y. Aoyagi, K. Gamo, and S. Namba，Induced defects in GaAs etched by low energy ions in electron beam excited plasma (EBEP) system，Jpn. Appl. Phys.，1989，28(11): 2391-2395。

J. Z. Yu, T. Hara, M. Hamagaki, T. Yoshinaga, Y. Aoyagi and S. Namba，High-rate ion etching of GaAs and Si at low ion energy by using an electron beam excited plasma system，J. Vac. Sci. & Technol.，1988，B6(6): 1626-1631。

J. Z. Yu, T. Hara, M. Hamagaki, Y. Aoyagi and S. Namba，Damageless ion etching by high current low energy ion beam，Application of Ion Beams in Materials Science，1987: 271-276。

J. Z. Yu, Y. Aoyagi, S. Iwai, K. Toyada and S. Namba，Anodic oxidation of AlGaAs，J. Appl. Phys.，1985，56(6):1895-1896。