分別于1987年和1990年在日本東京大學(xué)工學(xué)部電子工學(xué)科獲工學(xué)碩士與博士學(xué)位，1990年4月-1992年3月在日本光計(jì)測(cè)技術(shù)開(kāi)發(fā)株式會(huì)社中央研究所任研究員。1992年4月回國(guó)，同年因?qū)W術(shù)成就突出被破格提升為清華大學(xué)電子工程系教授，1995年晉升為博士生導(dǎo)師�，F(xiàn)擔(dān)任集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室主任、清華大學(xué)實(shí)驗(yàn)區(qū)主任(該重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在2002年由科技部組織的包括計(jì)算機(jī)、軟件、信息材料與器件等所有36個(gè)信息類國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的評(píng)估中獲第一名)。曾任國(guó)際電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)主辦的量子電子學(xué)雜志編委(Associate Editor of IEEE Journal of Quantum Electronics，1996-1998)，教育部長(zhǎng)江特聘教授。

2002年，羅毅教授負(fù)責(zé)的2500萬(wàn)元的GaN藍(lán)光發(fā)光管的研究與開(kāi)發(fā)項(xiàng)目通過(guò)了鑒定；建設(shè)了包括德國(guó)AIXTRON公司MOCVD設(shè)備在內(nèi)的GaN材料與器件研究基地，自行研制的藍(lán)色發(fā)光二極管獲得突破，15000余個(gè)器件的測(cè)試結(jié)果表明，器件的典型工作特性與國(guó)際上高亮度發(fā)光二極管的市場(chǎng)水平基本相當(dāng)。

2003年，正式在深圳研究生院建立了以羅毅教授為實(shí)驗(yàn)室主任的半導(dǎo)體照明實(shí)驗(yàn)室，主要從事大功率照明用LED的封裝技術(shù)研究，從而建成了從芯片外延到器件封裝的一整套研究平臺(tái)�？萍疾繂�動(dòng)了半導(dǎo)體照明工程后，羅毅教授被選為專家組成員。

羅毅教授主要從事半導(dǎo)體光電子器件方面的研究工作，其中包括器件物理與設(shè)計(jì)，化合物半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)技術(shù)、全息光柵的制作技術(shù)、器件制作工藝技術(shù)、材料與器件特性的評(píng)價(jià)技術(shù)。

近幾年來(lái)的研究重點(diǎn)是分布反饋半導(dǎo)體激光器及單片光子集成器件，是增益耦合DFB激光器——國(guó)際公認(rèn)的優(yōu)秀光源的開(kāi)創(chuàng)者之一，他也是國(guó)內(nèi)最早從事DFB激光器與電吸收調(diào)制器單片集成研究的科學(xué)家。

他入選了國(guó)家教委首批跨世紀(jì)優(yōu)秀人才計(jì)劃、獲得霍英東教育基金會(huì)青年教師基金、自然科學(xué)基金優(yōu)秀中青年人才專項(xiàng)基金、自然科學(xué)基金杰出青年基金A類項(xiàng)目以及C類項(xiàng)目的資助、作為負(fù)責(zé)人正在承擔(dān)國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目“半導(dǎo)體光子集成基礎(chǔ)研究”子課題“含Bragg光柵反射器的光子集成器件的基礎(chǔ)研究”、“863計(jì)劃”項(xiàng)目“10Gbit/s DFB半導(dǎo)體激光器/電吸收調(diào)制器單片光子集成器件”。國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的二次建設(shè)項(xiàng)目。作為首席科學(xué)家正在主持國(guó)家重大基礎(chǔ)研究項(xiàng)目“支撐高速、大容量信息網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的光子集成基礎(chǔ)研究”。

共發(fā)表各類論文300余篇，其中有國(guó)際著名雜志論文超過(guò)90篇，國(guó)際會(huì)議論文超過(guò)近115篇。獲得40多項(xiàng)專利，包括18項(xiàng)日本專利，一項(xiàng)歐洲專利，一項(xiàng)美國(guó)專利，國(guó)內(nèi)專利若干。