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  • 彭英才

    彭英才

    彭英才,男,教授,博士生導(dǎo)師,畢業(yè)于河北大學(xué)無線電系(現(xiàn)在為電子信息工程學(xué)院)。自1974年畢業(yè)留校任教以來,一直從事半導(dǎo)體技術(shù)與微電子學(xué)的教學(xué)與科研工作。1990-1991年作為訪問學(xué)者赴日本豐橋技術(shù)科學(xué)大學(xué)進(jìn)行Al膜的光化學(xué)全相沉積研究。2000-2001年,作為訪問研究員,赴日本廣島大學(xué)進(jìn)行Si納米量子點(diǎn)的低壓化學(xué)氣相沉積研究。


    研究成果

    1、由本人所主持的“非晶si 及 si 化物薄膜的光化學(xué)沉積機(jī)理與特性研究”河北省自然科學(xué)基金項目,獲河北省科學(xué)進(jìn)步三等獎 (2000年)

    2、先后在“J.APPI.phys”, “Chinese Science Bulletion” “物理學(xué)報”等20余種國內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上,共獨(dú)立和合作發(fā)表論文100余篇。并有多篇被“SCI”,“EI”,“SA”,“CSCI”和“新華文摘”收錄。

    3、先后參加了《現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)知識辭典》,《現(xiàn)代科技綜述大辭典》和《現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)概論》三部著作的編寫。

    4、在納米硅膜(nc-Si)的等離體化學(xué)氣相沉積生長研制中,首次觀測到了該結(jié)構(gòu)中的共振隧川現(xiàn)象,并給出了圓滿物理解釋,本工作發(fā)表在1998年的《半導(dǎo)體學(xué)報》上。由本人所提出的Si基納米材料的三種發(fā)光模型,得到了同行們的認(rèn)可,該工作發(fā)表在2002年的《Chinese ScienceBullenin》和《科學(xué)通報》上。對于晶體有序Si基納米材料的自組織化生長,提出了兩類六種生長模式,已得到同行認(rèn)可,并準(zhǔn)備于2004年在《材料研究學(xué)報》上發(fā)表。

    發(fā)表論文

    1.LPCVD 自組織生長 Si 納米量子點(diǎn)的發(fā)光機(jī)制分析.發(fā)光學(xué)報

    彭英才

    2.納米晶粒多晶硅薄膜的低壓化學(xué)氣相沉積.人工晶體學(xué)報,

    3.納米薄膜材料的藍(lán)光發(fā)射特性及其研究進(jìn)展.人工晶體學(xué)報,

    4.實現(xiàn)受激光發(fā)射的Si基納米材料與結(jié)構(gòu).人工晶體學(xué)報,

    5. 晶粒有序Si基納米發(fā)光材料的自組織化生長. 材料研究學(xué)報,

    6. 實現(xiàn)受激光發(fā)射探索Si基激光器.人工晶體學(xué)報,

    7.提高摻鉺Si基納米材料發(fā)光效率的探索. 人工晶體學(xué)報,

    8. Si 基納米發(fā)光材料的研究發(fā)展.科學(xué)通報,

    9. Si 納米量子點(diǎn)的 LPCVD 自組織化形成及其生長機(jī)理研究.物理學(xué)報,

    10. SiO 2 膜的薄層化對自組織生長 Si 納米量子點(diǎn)發(fā)光特性的影響.半導(dǎo)體學(xué)報,

    其他

    在長期的教學(xué)工作中,先后共開設(shè)<集成電路工藝原理>等六門本科生課程和<凝聚態(tài)物理學(xué)導(dǎo)論>等三門碩士研究生課程,并取得了良好的教學(xué)效果。在科研工作中,先后從事Si-SiO2界面的電學(xué)特性,薄膜的光化學(xué)氣相沉積,Si基納米材料的制備與發(fā)光特性研究,共發(fā)表學(xué)術(shù)論文100余篇,先后主持完成河北省自然科學(xué)基金項目和河北省教委基金項目各一項,目前主持和主研河北省自然科學(xué)基金各一項,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所開放課題各一項。

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