人物生平
嚴(yán)榮良
，男，1935年12月生，江蘇省無錫縣人，中國科學(xué)院新疆物理研究所研究員。1957年畢業(yè)于北京大學(xué)技術(shù)物理系。早期從事核子計(jì)測(cè)技術(shù)的研究應(yīng)用，并在蘭州大學(xué)和新疆大學(xué)任教。 1957年來新疆，1959年進(jìn)入中科院新疆分院，從事核技術(shù)和輻射物理學(xué)研究。早期研究核子計(jì)測(cè)技術(shù)，在各種液位、密度和元素測(cè)控分析儀器方面，取得了多項(xiàng)成果。70年代末，為發(fā)展我國航天、微電子與國防高技術(shù)，率先在國內(nèi)開展半導(dǎo)體輻射物理研究，針對(duì)衛(wèi)星、航大器抗電離輻射加固技術(shù)，做了開創(chuàng)性工作。
主持了中科院、國防科技、國家基金和國際合作等項(xiàng)目，深入系統(tǒng)地指示出MOS半導(dǎo)體電離輻照損傷機(jī)理和器件失效模式，提出了氧化電荷與界面態(tài)微觀參數(shù)輻射響應(yīng)與工藝結(jié)構(gòu)變量的依賴關(guān)系，輻射陷阱電荷的增長退火規(guī)律及及抑制方法等，奠定了理論基礎(chǔ)，使第一代鋁柵和第二代硅柵CMOS電路總劑量加固技術(shù)獲得重大突破，達(dá)到了國際先進(jìn)水平，其推廣應(yīng)用成效顯著。發(fā)表學(xué)術(shù)論文90余篇。對(duì)開辟形成邊緣學(xué)科固體輻射物理，促進(jìn)抗輻射電子學(xué)發(fā)展，建立專業(yè)實(shí)驗(yàn)室和培養(yǎng)科研人才等，作出了應(yīng)有的貢獻(xiàn)。
先后獲得了國家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，中科院科技進(jìn)步一、二、三等獎(jiǎng)和航天部科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)等�；皙�(jiǎng)二等獎(jiǎng)和自治區(qū)優(yōu)秀科技工作者一等獎(jiǎng)的獲得者。并獲自治區(qū)先進(jìn)工作者、中科院先進(jìn)工作者和國家四委國防軍工協(xié)作配套先進(jìn)工作者等稱號(hào)。
獲得榮譽(yù)
70年代起，率先在國內(nèi)開展MOS半導(dǎo)體輻射物理和微電子抗輻射加固技術(shù)研究，建立了先進(jìn)水平的輻射效應(yīng)研究實(shí)驗(yàn)室。
主持完成的科研成果先后獲得了國家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)和中國科學(xué)院科技進(jìn)步一、二、、三等獎(jiǎng)等。
在學(xué)術(shù)刊物和會(huì)議上發(fā)表論文90多篇。
系光華科技基金獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)和新疆優(yōu)秀科技工作者一等獎(jiǎng)獲得者，享受政府特殊津貼。
并獲得“中國科學(xué)院先進(jìn)工作者”、“新疆自治區(qū)先進(jìn)工作者”和“國防軍工協(xié)作配套先進(jìn)工作者”榮譽(yù)稱號(hào)。