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  • 王陽(yáng)元

    王陽(yáng)元

    王陽(yáng)元院士現(xiàn)任北京大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師、中國(guó)科學(xué)院院士,北京大學(xué)微電子學(xué)研究院院長(zhǎng),微電子學(xué)系主任,中國(guó)電子學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng),《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》和《電子學(xué)報(bào)》(英文版)副主編,《微電子學(xué)科學(xué)叢書》主編。國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策專家咨詢委員會(huì)委員,信息產(chǎn)業(yè)部科技委委員(電子),美國(guó)IEEE Fellow和英國(guó)IEE Fellow 等。中國(guó)共產(chǎn)黨黨員,浙江寧波人。1958年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系;1958年至今在北京大學(xué)工作,1982年至1983年美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校高級(jí)訪問學(xué)者。1995年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院信息技術(shù)科學(xué)部院士。王陽(yáng)元現(xiàn)為北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院教授(1985年)、微電子學(xué)研究院首席科學(xué)家。

    王陽(yáng)元 - 人物簡(jiǎn)介

    從事微電子學(xué)領(lǐng)域中新器件、新工藝和新結(jié)構(gòu)電路的研究。二十世紀(jì)70年代主持研究成功我國(guó)第一塊3種類型1024位MOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是我國(guó)硅柵N溝道MOS技術(shù)開拓者之一。80年代提出了多晶硅薄膜"應(yīng)力增強(qiáng)"氧化模型、工程應(yīng)用方程和摻雜濃度與遷移率的關(guān)系,被國(guó)際同行認(rèn)為"在微電子領(lǐng)域處理了一個(gè)對(duì)許多研究者都有重要意義的問題","對(duì)實(shí)踐有重要的指導(dǎo)意義"。研究了亞微米和深亞微米CMOS電路的硅化物/多晶硅復(fù)合柵結(jié)構(gòu);發(fā)現(xiàn)磷摻雜對(duì)固相外延速率增強(qiáng)效應(yīng)以及CoSi2柵對(duì)器件抗輻照特性的改進(jìn)作用;

    90年代在SOI/CMOS器件模型和電路模擬工作方面,提出了SOI器件浮體效應(yīng)模型和通過改變器件參量抑制浮體效應(yīng)的工藝設(shè)計(jì)技術(shù),擴(kuò)充了SPICE模擬軟件。在SOI/CMOS新結(jié)構(gòu)電路研究方面,開發(fā)了新的深亞微米器件模型和電路模擬方法,研究成功了多種新型器件和電路。;與合作者一起提出了超高速多晶硅發(fā)射極晶體管的新的解析模型,開發(fā)了成套的先進(jìn)雙極集成電路工藝技術(shù);這對(duì)獨(dú)立自主發(fā)展我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)具有重要意義。90年代后期開始研究微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS),任微米/納米加工技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任,主持開發(fā)了五套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MEMS工藝,開發(fā)了多種新型MEMS器件并向產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化,獲得一批發(fā)明專利。近期又致力于研究亞0.1μm器件和集成技術(shù)。

    在1986 - 1993年任全國(guó)ICCAD專家委員會(huì)主任和ICCAT專家委員會(huì)主任期間,領(lǐng)導(dǎo)研制成功了我國(guó)第一個(gè)大型集成化的ICCAD系統(tǒng),使我國(guó)繼美國(guó)、日本、歐共體之后進(jìn)入能自行開發(fā)大型ICCAD工具的先進(jìn)國(guó)家行列;在研究集成電路發(fā)展規(guī)律基礎(chǔ)上提出了我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略建議。為推動(dòng)我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為發(fā)起人之一,創(chuàng)建了中芯國(guó)際(SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation)集成電路制造(上海)有限公司。

    王陽(yáng)元 - 人生經(jīng)歷

    1935年1月1曰出生于浙江寧波鎮(zhèn)?h,1941年開始在柴橋小學(xué)學(xué)習(xí),1947年就讀于寧波中學(xué),1953年考入北京大學(xué),1958年畢業(yè)后留校任教,F(xiàn)任北京大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師、中國(guó)科學(xué)院院士,北京大學(xué)微電子學(xué)研究所所長(zhǎng),中國(guó)電子學(xué)會(huì)常務(wù)理事,《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》和《電子學(xué)報(bào)》(英文版)副主編,《微電子學(xué)科學(xué)叢書》主編。國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策專家咨詢委員會(huì)委員,信息產(chǎn)業(yè)部科技委委員(電子),國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)遠(yuǎn)東程序委員會(huì)委員,美國(guó)IEEEFellow和英國(guó)IEEFellow等。

    70年代主持研制成功我國(guó)第一塊1024位MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器,是我國(guó)硅柵N溝道技術(shù)開拓者之一,此后在多晶硅薄膜物理和氧化動(dòng)力學(xué)研究方面提出了新的多晶硅氧化模型和氧化動(dòng)力學(xué)工程應(yīng)用方程和特征參數(shù)。被國(guó)際同行認(rèn)為"在微電子領(lǐng)域處理了對(duì)許多工作者都有重要意義的課題",“對(duì)現(xiàn)實(shí)工藝過程研究具有重要的指導(dǎo)意義。”在絕緣襯底上生長(zhǎng)硅單晶薄膜(SiliconOnInsulator-SOI)和TFSOI/CMOS電路研究中,發(fā)現(xiàn)了磷摻雜對(duì)固相外延速率的增強(qiáng)效應(yīng)以及CoSi2柵對(duì)器件抗輻照特性的改進(jìn)作用。

    在SOI/CMOS器件模型和電路模擬工作方面,提出了SOI器件浮體效應(yīng)模型和通過改變器件參量抑制浮體效應(yīng)的工藝設(shè)計(jì)技術(shù),擴(kuò)充了SPICE模擬軟件。在SOI/CMOS新結(jié)構(gòu)電路研究方面,開發(fā)了新的深亞微米器件模型和電路模擬方法,研究成功了多種新型器件和電路。在MOS絕緣層物理與小尺寸器件物理研究,與合作者一起提出新的預(yù)測(cè)深亞微米器件可靠性的分析和測(cè)試方法。首次在國(guó)際上實(shí)現(xiàn)了有關(guān)陷阱電荷三個(gè)基本參量(俘獲截面、面密度和矩心)的直接測(cè)量和在線檢測(cè)。

    在80年代和90年代分別研究亞微米/深亞微米CMOS復(fù)合柵結(jié)構(gòu)和多晶硅發(fā)射極超高速電路,與合作者一起在理論上提出了一個(gè)新的、能夠更準(zhǔn)確反映多晶硅發(fā)射極晶體管物理特性的解析模型,被國(guó)際同行列為國(guó)際上有代表性的模型之一。對(duì)中國(guó)獨(dú)立自主發(fā)展超大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)和改變我國(guó)雙極集成電路技術(shù)落后面貌均有重要意義。

    王陽(yáng)元

    在1986-1993年任全國(guó)ICCAD專家委員會(huì)主任和ICCAT專家委員會(huì)主任期間,領(lǐng)導(dǎo)研制成功了我國(guó)第一個(gè)大型集成化的ICCAD系統(tǒng),使我國(guó)繼美國(guó)、曰本、歐共體之后進(jìn)入能自行開發(fā)大型ICCAD工具的先進(jìn)國(guó)家行列;在研究集成電路發(fā)展規(guī)律基礎(chǔ)上提出了我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展方向;組織參與了國(guó)家微電子"七·五","八·五"國(guó)家科技攻關(guān)。

    現(xiàn)從事微電子學(xué)領(lǐng)域中新器件、新工藝和新結(jié)構(gòu)電路的研究,發(fā)表科研論文160多篇,出版著作6部,現(xiàn)有16項(xiàng)重大科技成果。獲全國(guó)科學(xué)大會(huì)獎(jiǎng)、國(guó)家發(fā)明獎(jiǎng)、國(guó)家教委科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、光華科技基金一等獎(jiǎng)等共16項(xiàng)國(guó)家級(jí)和部委級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)。

    王陽(yáng)元 - 早年生活

    1935年的元旦,在每戶人家歡慶節(jié)日的時(shí)候,寧波柴橋鎮(zhèn)一個(gè)普通勞動(dòng)者的家庭還在慶祝著另一件事情,那就是小陽(yáng)元的出生,由于是在陽(yáng)歷年元旦出生,祖父為他起名陽(yáng)元。

    王陽(yáng)元從上小學(xué)起,就知道刻苦用功,各科學(xué)習(xí)成績(jī)年年都名列前茅。1947年,王陽(yáng)元小學(xué)畢業(yè),并且以寧波市鎮(zhèn)海區(qū)統(tǒng)考第一名的成績(jī)考上了省立寧波中學(xué)。從此開始了獨(dú)立求學(xué)之旅。

    王陽(yáng)元回想起培養(yǎng)自己的中學(xué)時(shí),如數(shù)家珍。他曾經(jīng)說(shuō)過:“就其對(duì)我一生影響最深的學(xué)校來(lái)說(shuō),除了北京大學(xué)之外,就數(shù)我的中學(xué)——浙江寧波中學(xué)了!币?yàn)樵谥袑W(xué)時(shí)期,他不僅養(yǎng)成了健康的生活和學(xué)習(xí)習(xí)慣,還樹立了要成為一個(gè)對(duì)祖國(guó)、對(duì)人民有貢獻(xiàn)的科學(xué)家的堅(jiān)定理想。

    曾經(jīng)的一件事,為王陽(yáng)元的科學(xué)家之路增添了動(dòng)力。在寧波中學(xué)的時(shí)候,王陽(yáng)元以其《未來(lái)的科學(xué)家——宇耕在成長(zhǎng)》一文聞名于全班!坝罡笔峭蹶(yáng)元為自己起的筆名,意為“宇宙的耕耘者”。一個(gè)十幾歲的中學(xué)生說(shuō)自己要耕耘宇宙,引起了很多人的驚訝,但更多的卻是不屑,很多同學(xué)認(rèn)為他是癡人說(shuō)夢(mèng)。但王陽(yáng)元仍在默默地堅(jiān)持著,他堅(jiān)信這就是他的理想,他將要為之奮斗一生的理想。

    為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)夢(mèng)想,王陽(yáng)元總是鼓勵(lì)自己:“不能停下,繼續(xù)向前,堅(jiān)持一下,就是勝利!痹谶@樣的信念的支持下,王陽(yáng)元通過自己的努力成為北京大學(xué)物理系的一名大學(xué)生。

    進(jìn)入大學(xué),“堅(jiān)持一下”的信念仍然支持著王陽(yáng)元,同時(shí)也為之帶來(lái)了難得的發(fā)展機(jī)遇:1956年,周恩來(lái)總理親自主持制定了12年科學(xué)規(guī)劃后,半導(dǎo)體作為五大門類學(xué)科之一得以重點(diǎn)發(fā)展。北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、南京大學(xué)、廈門大學(xué)和東北人民大學(xué)五校聯(lián)合在北京大學(xué)舉辦半導(dǎo)體專門化教育,北大再一次云集了一大批優(yōu)秀的半導(dǎo)體專家。王陽(yáng)元作為第一批學(xué)生被重點(diǎn)培養(yǎng)。其間,他學(xué)習(xí)了有關(guān)半導(dǎo)體理論與技術(shù)的多方面知識(shí),為長(zhǎng)期在微電子領(lǐng)域開展工作奠定了扎實(shí)的基礎(chǔ)。

    王陽(yáng)元 - 人物轉(zhuǎn)折

    1958年,是王陽(yáng)元人生的一個(gè)關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn),因?yàn)樵谶@一年他畢業(yè)留校,再一次選擇了微電子事業(yè)。這也印證了王陽(yáng)元“傳家有道唯存厚,處事無(wú)奇但執(zhí)真”的家訓(xùn)。

    留校的王陽(yáng)元把工作重心放在了如何促進(jìn)國(guó)家微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展上,經(jīng)過深入的調(diào)查研究,他和同事們確定了“硅柵N溝道技術(shù)”的研究方向。經(jīng)過近7年堅(jiān)韌不拔的奮斗,1975年,我國(guó)第一塊1024位MOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器問世,這被稱為是我國(guó)MOS集成電路技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中具有里程碑意義的事件,它比Intel公司研制的硅柵N溝道MOSDRAM只晚了4年,因此獲得了1978年全國(guó)科學(xué)大會(huì)獎(jiǎng)。從此,王陽(yáng)元更加認(rèn)定了集成電路技術(shù)對(duì)信息社會(huì)的重要作用。

    微電子學(xué)和集成電路技術(shù)在上世紀(jì)80年代得到了較大的發(fā)展,集成電路的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)技術(shù)(ICCAD)與軟件工具成為制約其發(fā)展的障礙。鑒于中國(guó)當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平和科研條件,中國(guó)政府試圖通過技術(shù)引進(jìn)解決這個(gè)問題,但是為了不讓我國(guó)發(fā)展戰(zhàn)略高技術(shù),西方國(guó)家在技術(shù)和設(shè)備上對(duì)我國(guó)實(shí)行封鎖禁運(yùn),技術(shù)引進(jìn)的問題經(jīng)過多方面的努力與談判都沒能成功,中國(guó)決心自己開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)。在這一關(guān)鍵時(shí)刻,王陽(yáng)元當(dāng)時(shí)作為訪問學(xué)者從美國(guó)回國(guó)不久,即擔(dān)任起北大微電子研究所所長(zhǎng)的職務(wù),并被聘請(qǐng)擔(dān)任全國(guó)ICCAD委員會(huì)主任,主持組織集成化ICCAD三級(jí)系統(tǒng)的研發(fā)工作,開始了我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)自主創(chuàng)新的新階段。

    經(jīng)過6年奮戰(zhàn),中國(guó)第一個(gè)按軟件工程方法開發(fā)的、集成化的超大規(guī)模集成電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)研制成功了。它的研制成功使中國(guó)繼美國(guó)、日本、西歐之后進(jìn)入到能自行開發(fā)大型集成電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)的先進(jìn)行列,具有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

    對(duì)于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),直到現(xiàn)在,王陽(yáng)元還是十分重視,他說(shuō),知識(shí)產(chǎn)權(quán)是原始創(chuàng)新的具體體現(xiàn),一個(gè)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展必須有足夠的知識(shí)產(chǎn)權(quán)作為其堅(jiān)強(qiáng)后盾。在針對(duì)客觀需求開展系統(tǒng)研究工作的時(shí)候,我們決不能亦步亦趨地沿著已有的技術(shù)路線走下去,必須立足于創(chuàng)新,有所發(fā)明、有所創(chuàng)造。

    王陽(yáng)元曾任國(guó)家級(jí)微米/納米加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的主任。在實(shí)驗(yàn)室建設(shè)之初,王陽(yáng)元就強(qiáng)調(diào):“真正的關(guān)鍵技術(shù)是買不來(lái)的,我們必須自主研發(fā),從基礎(chǔ)層面上提升我國(guó)微機(jī)電系統(tǒng)的研制和開發(fā)水平!苯(jīng)過近十年的努力,這個(gè)實(shí)驗(yàn)室建立了中國(guó)第一個(gè)與集成電路加工工藝兼容的微機(jī)電系統(tǒng)加工平臺(tái)和設(shè)計(jì)技術(shù)平臺(tái)。到目前為止,已經(jīng)自主開發(fā)了3套加工工藝,有6項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新,已獲11項(xiàng)發(fā)明專利的授權(quán),還正在申請(qǐng)29項(xiàng)發(fā)明專利。

    王陽(yáng)元 - 院士文集

    匯集了王陽(yáng)元院士在1998年到2004年期間發(fā)表的重要論文和論述,內(nèi)容涉及微電子學(xué)科的發(fā)展戰(zhàn)略研究、發(fā)展前沿綜述、學(xué)術(shù)論文、科學(xué)研究方法論、產(chǎn)業(yè)建設(shè)和人才培養(yǎng)等多個(gè)方面。在此期間里,他與合作者以及研究生共同發(fā)表了70余篇學(xué)術(shù)論文。本書從中精選了發(fā)表在國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上的有關(guān)SOI/CMOS器件與電路、超深亞微米器件研究、MEMS研究和電路研究等方面的36篇有代表性的學(xué)術(shù)論文。這些論文和論述在國(guó)內(nèi)外微電子領(lǐng)域的學(xué)術(shù)界、教育界和工業(yè)界產(chǎn)生了深刻影響,推動(dòng)了我國(guó)微電子科學(xué)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,反映了王陽(yáng)元院士作為一位“仁智雙馨”的戰(zhàn)略科學(xué)家的風(fēng)貌。

    本書可作為高等學(xué)校信息技術(shù)及微電子專業(yè)師生的參考書,也可供相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員、科研人員及科技管理人員學(xué)習(xí)參考。

    王陽(yáng)元 - 中芯國(guó)際

    幾十年如一日的研究、實(shí)踐,使王陽(yáng)元深刻地體會(huì)到微電子學(xué)最終還要服務(wù)于實(shí)踐。于是,中芯國(guó)際應(yīng)時(shí)而生。中芯國(guó)際成立于2000年,擁有3座芯片代工廠,包括一座具有后端銅互連工藝的代工廠。2003年,中芯國(guó)際被世界知名的《半導(dǎo)體國(guó)際》(SemiconductorInternational)雜志評(píng)為全球“2003年度最佳半導(dǎo)體廠”之一,并在2004年建成了我國(guó)第一條大型12英寸納米級(jí)集成電路大生產(chǎn)線。

    對(duì)于中芯國(guó)際,王陽(yáng)元有自己的評(píng)價(jià):“中芯國(guó)際既是中國(guó)芯片制造業(yè)的又一個(gè)里程碑,也不全是中國(guó)集成電路芯片制造業(yè)的里程碑!

    他解釋說(shuō),說(shuō)它是里程碑是因?yàn)樗阎袊?guó)集成電路技術(shù)水平與全球先進(jìn)水平的差距由原來(lái)的4~5個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)縮小到1~2個(gè),實(shí)現(xiàn)了中國(guó)芯片制造業(yè)的歷史性突破;說(shuō)它不是里程碑,則是因?yàn)橹行緡?guó)際還沒有真正能夠掌握一大批具有世界前沿水平的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。但是,我們希望將來(lái)的中芯國(guó)際能夠掌握國(guó)際前端技術(shù),能在某些領(lǐng)域引領(lǐng)世界潮流,成為又一個(gè)真正的里程碑。

    在談到這個(gè)話題的時(shí)候,王陽(yáng)元認(rèn)為目前中國(guó)的風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)制尚不完善。因?yàn)榭蒲性核目萍汲晒⒉坏扔诋a(chǎn)品,而產(chǎn)品又不等于商品,其中要有一個(gè)中間環(huán)節(jié),即風(fēng)險(xiǎn)投資。他引用馬克思《資本論》中的一句話“產(chǎn)品變?yōu)樯唐肥求@險(xiǎn)的一躍,其結(jié)果要么是產(chǎn)生利潤(rùn),要么是摔死資本家”。這也是風(fēng)險(xiǎn)投資的真實(shí)寫照,所以,現(xiàn)在的風(fēng)險(xiǎn)投資必須建立退出機(jī)制。同時(shí)國(guó)家應(yīng)相應(yīng)地降低企業(yè)上市的門檻,尤其是高新技術(shù)企業(yè),讓更多的企業(yè)可以得到融資。目前,我國(guó)高新技術(shù)企業(yè)的平均壽命是兩年左右,其中很重要的因素是沒有資金的支持。

    作為微電子學(xué)界的一位領(lǐng)軍人物,王陽(yáng)元對(duì)中國(guó)微電子技術(shù)的發(fā)展充滿信心,他說(shuō),未來(lái)我國(guó)微電子技術(shù)將通過與其他學(xué)科更密切的結(jié)合產(chǎn)生新的產(chǎn)業(yè)。微電子技術(shù)的強(qiáng)大生命力在于它可以低成本、大批量地生產(chǎn)出具有高可靠性和高精度的微電子芯片。這種技術(shù)一旦與其他學(xué)科相結(jié)合,便會(huì)誕生出一系列嶄新的學(xué)科和重大的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn),作為與微電子技術(shù)成功結(jié)合的典型例子便是MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)或稱微系統(tǒng)技術(shù)和生物芯片等。前者是微電子技術(shù)與機(jī)械、光學(xué)等領(lǐng)域結(jié)合而誕生的,后者則是與生物工程技術(shù)結(jié)合的產(chǎn)物。

    微電子機(jī)械系統(tǒng)就是微電子技術(shù)的拓寬和延伸,它將微電子技術(shù)和精密機(jī)械加工技術(shù)相互融合,實(shí)現(xiàn)了微電子與機(jī)械融為一體的系統(tǒng)。MEMS將電子系統(tǒng)和外部世界聯(lián)系起來(lái),它不僅可以感受運(yùn)動(dòng)、光、聲、熱、磁等自然界的外部信號(hào),把這些信號(hào)轉(zhuǎn)換成電子系統(tǒng)可以認(rèn)識(shí)的電信號(hào),而且還可以通過電子系統(tǒng)控制這些信號(hào),發(fā)出指令并完成該指令。從廣義上講,MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器、信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信系統(tǒng)以及電源于一體的微型機(jī)電系統(tǒng)。MEMS技術(shù)是一種典型的多學(xué)科交叉的前沿性研究領(lǐng)域,它幾乎涉及到自然及工程科學(xué)的所有領(lǐng)域,如電子技術(shù)、機(jī)械技術(shù)、光學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)、能源科學(xué)等。

    集成電路作為一項(xiàng)技術(shù)發(fā)明,極大地改變了人類的生活方式和生產(chǎn)方式,對(duì)社會(huì)的進(jìn)步起到了重大作用。目前,我國(guó)集成電路的市場(chǎng)規(guī)模世界第一、市場(chǎng)增長(zhǎng)速度世界第一,但是外貿(mào)逆差也是國(guó)內(nèi)第一。

    王陽(yáng)元 - 成果榮譽(yù)

    發(fā)表科研論文230多篇,出版著作6部,現(xiàn)有17項(xiàng)重大科技成果。獲全國(guó)科學(xué)大會(huì)獎(jiǎng)、國(guó)家發(fā)明獎(jiǎng)、國(guó)家教委科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、光華科技基金一等獎(jiǎng)等共16項(xiàng)國(guó)家級(jí)和部委級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)。

    為推動(dòng)我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為發(fā)起人之一,創(chuàng)建中芯國(guó)際集成電路制造有限公司,領(lǐng)導(dǎo)建設(shè)成功了我國(guó)第一條12英寸納米級(jí)集成電路生產(chǎn)線,使我國(guó)集成電路大生產(chǎn)技術(shù)水平處于國(guó)際先進(jìn)水平。共培養(yǎng)百名碩士、博士和博士后。發(fā)表科研論文230多篇,出版著作6部。

    王陽(yáng)元有20項(xiàng)重大科技成果。1978年獲全國(guó)科學(xué)大會(huì)獎(jiǎng),1991年獲國(guó)家教委科技進(jìn)步一等獎(jiǎng),2003年獲何梁何利科技進(jìn)步獎(jiǎng),2007年獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng),等19項(xiàng)國(guó)家級(jí)和部委級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)。

    王陽(yáng)元長(zhǎng)期擔(dān)任中國(guó)電子學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng),《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》和《電子學(xué)報(bào)》(英文版)副主編。信息產(chǎn)業(yè)部科技委委員(電子),美國(guó)IEEEFellow和英國(guó)IEEFellow等。

    其著作《集成電路工業(yè)全書》、《集成電路工藝基礎(chǔ)》、《多晶硅薄膜及共在集成電路中的應(yīng)用》、《多晶硅發(fā)射極晶體管及其集成電路》、《半導(dǎo)體器件》現(xiàn)存于寧波市圖書館“地方文獻(xiàn)·甬籍名人名作庫(kù)”。

    王陽(yáng)元 - 努力建設(shè)

    中國(guó)集成電路技術(shù)和產(chǎn)業(yè)從20世紀(jì)五六十年代剛剛起步的半導(dǎo)體研究,到“文革”時(shí)期與國(guó)際學(xué)術(shù)界基本隔離,再到八九十年代艱辛地挑戰(zhàn)國(guó)際前沿,現(xiàn)在終于開始了飛躍式地發(fā)展,引起了世界的關(guān)注。

    面對(duì)中國(guó)集成電路令人興奮的成績(jī),作為中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的開拓者之一,中國(guó)科學(xué)院院士王陽(yáng)元有自己的看法:“中國(guó)集成電路能取得這樣的成績(jī)固然令人興奮,但是我們也面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)缺少、科技成果產(chǎn)業(yè)化率低、研究人員缺乏等都是我們現(xiàn)在亟須解決的問題。”

    自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)是形成集成電路產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵。集成電路產(chǎn)業(yè)是資金高投入、技術(shù)高密集、高度國(guó)際化的產(chǎn)業(yè),但真正阻礙后發(fā)國(guó)家進(jìn)入國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的是技術(shù)。不能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)上擁有一批自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),就永遠(yuǎn)難以在國(guó)際市場(chǎng)中生存與發(fā)展。

    在我國(guó)建設(shè)創(chuàng)新型國(guó)家的背景下,自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、技術(shù)產(chǎn)業(yè)化尤為重要,在微電子領(lǐng)域,王陽(yáng)元提出了“產(chǎn)前研發(fā)聯(lián)盟”的設(shè)想。產(chǎn)前研發(fā)聯(lián)盟,將實(shí)行“官、產(chǎn)、學(xué)、研、用”相結(jié)合,背靠高校與科研機(jī)構(gòu)的基礎(chǔ)和應(yīng)用基礎(chǔ)研究,面向產(chǎn)業(yè)發(fā)展大生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)需要,能提高自主創(chuàng)新的核心競(jìng)爭(zhēng)力,開發(fā)為下一代集成電路發(fā)展(當(dāng)前可定位在45~22納米)提供企業(yè)所需要的產(chǎn)前核心技術(shù)、專利,并培養(yǎng)相應(yīng)的人才。

    王陽(yáng)元認(rèn)為,科技創(chuàng)新的背后是體制、機(jī)制創(chuàng)新的問題,科技創(chuàng)新與機(jī)制創(chuàng)新互為動(dòng)力、互為因果,新的科技創(chuàng)新會(huì)催生與之相適應(yīng)的新型機(jī)制,同時(shí)也要依賴于機(jī)制的不斷進(jìn)步;而新的機(jī)制創(chuàng)新所形成的有利因素也可以促使更多的科技創(chuàng)新成果不斷涌現(xiàn)。所以,產(chǎn)前研發(fā)聯(lián)盟要想做好,首先要在體制與運(yùn)作模式上下功夫。

    產(chǎn)前研發(fā)聯(lián)盟會(huì)采取不以盈利為主要目的公司運(yùn)作機(jī)制。以政府為主導(dǎo)(包括中央政府和地方政府),實(shí)行企業(yè)、大學(xué)、研究所及主要應(yīng)用部門等共同組建的股份制獨(dú)立法人單位。產(chǎn)前研發(fā)聯(lián)盟采用開放模式,不僅向國(guó)內(nèi)企業(yè)、研究單位開放,而且向國(guó)際開放,以提高國(guó)際間合作。它能夠激發(fā)原始創(chuàng)新能力、能夠通過整合資源形成集成創(chuàng)新能力和通過引進(jìn)消化吸收形成再創(chuàng)新能力的較好組織形式;是符合自主創(chuàng)新戰(zhàn)略目標(biāo)的,企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的集約化技術(shù)創(chuàng)新體系;是能夠在較短的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)和核心技術(shù)突破的、控制和降低對(duì)國(guó)外資源依賴程度的有效戰(zhàn)略舉措;是加速科技成果向現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化的新型紐帶和橋梁。

    王陽(yáng)元說(shuō):“關(guān)于產(chǎn)前研發(fā)聯(lián)盟我已經(jīng)呼吁了很長(zhǎng)時(shí)間,但是由于相關(guān)方面的體制問題,還沒有得到落實(shí),但是我還會(huì)堅(jiān)持呼吁,我相信堅(jiān)持到最后一定是成功!”

    王陽(yáng)元 - 相關(guān)詞條

    梁思禮 匡定波 李衍達(dá) 雷嘯霖 林尊琪
    干福熹 黃宏嘉 李啟虎 陸汝鈐 劉盛綱
    郭雷 黃民強(qiáng) 李未 侯洵 劉永坦
    郭光燦 黃琳 簡(jiǎn)水生 李志堅(jiān) 劉頌豪
    高慶獅 何積豐 侯朝煥 林惠民 闕端麟

    王陽(yáng)元 - 參考資料

    1、http://www.pku.edu.cn/about/yuanshi/wyy.htm

    2、http://www.lib.szu.edu.cn/szulibhtm/ad_xkzt/bd_txydz/scholar/wangyangyuan.htm

    3、http://www.cnr.cn/jy/zhmx/bjdx/yxxz/200709/t20070926_504580710.html

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