王圩 - 人物簡(jiǎn)介

王圩1937年12月25日生，河北文安人。1960年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體專業(yè)，同年到中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作至今，現(xiàn)任中科院半導(dǎo)體研究所研究員。1987年赴日本東京工業(yè)大學(xué)訪問(wèn)研究一年。60年代，他率先在國(guó)內(nèi)研制成功無(wú)位借硅單晶；參與開(kāi)拓并負(fù)責(zé)建立了Ⅲ—V族化合物外延方法，解決了高摻雜和結(jié)偏位等關(guān)鍵問(wèn)題，為使我國(guó)GaAs激光器的工作溫度從77度K提高到室溫作出了貢獻(xiàn)：70年代，率先在國(guó)內(nèi)研制成功單異質(zhì)結(jié)室溫脈沖大功率激光器和面發(fā)射高亮度發(fā)光管，成功地應(yīng)用在夜視、引信、打靶和精密測(cè)距儀上，并推廣到工廠生產(chǎn)，為后來(lái)室溫連續(xù)工作的短波長(zhǎng)雙異質(zhì)結(jié)激光器的發(fā)展打下了基礎(chǔ)。

80年代，他又率先在國(guó)內(nèi)研制出室溫連續(xù)工作的1．55微米四元激光器，為國(guó)內(nèi)第三代光纖通信研究提供了長(zhǎng)波長(zhǎng)光源。1987年在日本東京工業(yè)大學(xué)創(chuàng)新地提出了一種內(nèi)島條形眼流結(jié)構(gòu)的集束導(dǎo)波分布反射（BIG－KBR）激光器，獲得了當(dāng)時(shí)先進(jìn)水平的4兆赫線寬單縱橫輸出；隨后回國(guó)主持研制成功國(guó)內(nèi)首批1．55微米動(dòng)態(tài)單頻分布反饋（DFB）激光器，解決了國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代長(zhǎng)途干線大容量光纖通信的急需。他在90年代，在國(guó)內(nèi)首先研制成功應(yīng)變量子階1．55微米DFB激光器，使中國(guó)光通信用激光器的研究和國(guó)際新一代能帶工程研究接軌；近年來(lái)指導(dǎo)研究生開(kāi)展了DFB主振激光器與扇形結(jié)構(gòu)光放大器的單片集成研究，并與香港中文大學(xué)合作，創(chuàng)新地提出了含扇形光柵的雙段DFB激光器，在國(guó)際上首次獲得峰值功率4瓦的3皮秒超短光脈沖。他發(fā)表學(xué)術(shù)論文30余篇。先后獲國(guó)家科技成果獎(jiǎng)。國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，國(guó)家“六五”科技攻關(guān)獎(jiǎng)和863計(jì)劃“七五”攻關(guān)獎(jiǎng)、中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)等。1997年當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。

目前負(fù)責(zé)在研的項(xiàng)目是：國(guó)家“973”項(xiàng)目:“新型量子阱功能材料和器件”（2001-2005）
國(guó)家自然基金重大項(xiàng)目:“光網(wǎng)絡(luò)用光放大器、電吸收調(diào)制器和模斑轉(zhuǎn)換器串接集成材料與器件的研究”（2002-2004）

王圩 - 研究?jī)?nèi)容

近十年來(lái)在應(yīng)變量子阱激光器、電吸收調(diào)制器及其集成以及半導(dǎo)體光放大器等方面取得的主要成績(jī)：在國(guó)內(nèi)首先研制成功應(yīng)變量子阱1.55微米DFB激光器；隨后，指導(dǎo)研究生采用周期埋島結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技術(shù)，研制成功2.5Gb/sEA-MD/DFB-LD單片集成模塊，并成功地在400公里標(biāo)準(zhǔn)光纖上進(jìn)行了2.5Gb/s碼率的傳輸、采用應(yīng)變漸變結(jié)構(gòu)研制成功偏振不靈敏的寬帶1550nm波段半導(dǎo)體光放大器以及電吸收調(diào)制器和模斑轉(zhuǎn)換器單片集成器件等。所負(fù)責(zé)的研究項(xiàng)目獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)兩次；中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)一次、二等獎(jiǎng)兩次。目前負(fù)責(zé)在研的項(xiàng)目是：1.國(guó)家“973”項(xiàng)目:“新型量子阱功能材料和器件”（2001-2005）2.國(guó)家自然基金重大項(xiàng)目:“光網(wǎng)絡(luò)用光放大器、電吸收調(diào)制器和模斑轉(zhuǎn)換器串接集成材料與器件的研究”（2002-2004）

王圩 - 獻(xiàn)計(jì)獻(xiàn)策

王圩院士為半導(dǎo)體所的戰(zhàn)略發(fā)展獻(xiàn)計(jì)獻(xiàn)策，他的對(duì)半導(dǎo)體所的現(xiàn)狀、未來(lái)、危機(jī)，表達(dá)了自己的看法，并提出了許多很好的建議，他們的建議對(duì)半導(dǎo)體所的發(fā)展提供了科學(xué)依據(jù)。

按照科學(xué)院新時(shí)期的辦院方針，研究所應(yīng)面向國(guó)家戰(zhàn)略需求，面向世界科技前沿，加強(qiáng)原始性創(chuàng)新，加強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)集成，攀登世界科學(xué)高峰，為經(jīng)濟(jì)發(fā)展、國(guó)家安全、社會(huì)進(jìn)步做出基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性、前瞻性的創(chuàng)新貢獻(xiàn)。為了更好地為我國(guó)做出具有三性的創(chuàng)新貢獻(xiàn)，同時(shí)發(fā)揮半導(dǎo)體所兩院院士的聰明才智，經(jīng)廣泛征求意見(jiàn)、所務(wù)會(huì)討論通過(guò)，于今年2月成立了《半導(dǎo)體所發(fā)展戰(zhàn)略研究會(huì)》。

研究會(huì)為常設(shè)機(jī)構(gòu)，由半導(dǎo)體所的兩院院士組成，同時(shí)設(shè)秘書長(zhǎng)一名(從院士中產(chǎn)生)，研究所將為其配備學(xué)術(shù)秘書和行政秘書。研究會(huì)的職責(zé)為：經(jīng)過(guò)充分的調(diào)研，定期或不定期為研究所提出戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃、建議或意見(jiàn)。

院士分別做的報(bào)告是：《對(duì)中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所戰(zhàn)略規(guī)劃建議》(陳良惠院士)；《未來(lái)信息科學(xué)研究的機(jī)遇與挑戰(zhàn)(工作匯報(bào)與對(duì)電子所未來(lái)科學(xué)研究工作方法的思考)》；(王守覺(jué)院士)；《5-10年內(nèi)半導(dǎo)體光電子器件研究的戰(zhàn)略發(fā)展設(shè)想》(王圩院士)；《中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究發(fā)展建議》(夏建白院士)；《對(duì)所戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃的若干建議》(王啟明院士)；《關(guān)于"我們想做、會(huì)做與國(guó)家需要做什么？"的思考——重視系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)對(duì)提升研究所戰(zhàn)略地位的作用》(鄭厚植院士)；《半導(dǎo)體所發(fā)展方向建議》(王占國(guó)院士)；《對(duì)制定半導(dǎo)體所戰(zhàn)略發(fā)展計(jì)劃的幾點(diǎn)建議》(梁駿吾院士)。

王圩在國(guó)際經(jīng)濟(jì)激烈的競(jìng)爭(zhēng)中，在半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域，在社會(huì)主義市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的大環(huán)境下，半導(dǎo)體所人已經(jīng)清醒的認(rèn)識(shí)到：如不能圍繞國(guó)家現(xiàn)代化建設(shè)、國(guó)家安全和社會(huì)發(fā)展的需求，做出受到國(guó)家和社會(huì)公眾認(rèn)可的重要貢獻(xiàn)，就會(huì)危及自身存在的價(jià)值。如何提升半導(dǎo)體所的科技創(chuàng)新水平和能力？如何發(fā)展半導(dǎo)體所新的生長(zhǎng)點(diǎn)，發(fā)展新的關(guān)鍵技術(shù)，注重技術(shù)集成？如何發(fā)揮現(xiàn)有的綜合優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大研究領(lǐng)域，注重學(xué)科交叉？如何提升半導(dǎo)體所的戰(zhàn)略地位？如何作出原始性創(chuàng)新的成果？國(guó)家的需要就是半導(dǎo)體所的需要，國(guó)家的任務(wù)就是半導(dǎo)體所的任務(wù)，作為國(guó)家級(jí)的研究所必須與時(shí)俱進(jìn)，不斷創(chuàng)新，才能在競(jìng)爭(zhēng)中立于不敗之地。這些戰(zhàn)略性的思考和建議正是出自半導(dǎo)體所的院士們?cè)诎雽?dǎo)體所發(fā)展戰(zhàn)略報(bào)告會(huì)上的發(fā)言。

王圩 - 代表論著

W.Qiu,　王圩　J.Dong,　J.Dong,　F.ZhoJ.Y.ZhangH.L.Zhu,andL.J.Zhao，“Selective-areaMOCVDgrowthfordistributedfeedbacklasersintegratedwithverticallytaperedself-alignedwaveguide”　J.CrystalGrowth,Vol.250,No.3-4,pp583-587,2003

Y.Lu,王圩,H.L.Zhu,F.Zhou,B.J.Wang,J.Y.Zhang,L.J.Zhao,“TunableDBRLaserFabricatedbyBundleIntegratedGuide”(inEnglish)，ChineseJournalofSemiconductorVol.24,No.2,PP113-116,2003

W.Qui,王圩,J.Dong,J.Y.Zhang,H.L.Zhu,F.Zhou,“SpotsizeConverterIntegratedDFBLaserDiodeUsingSelectiveAreaGrowthMOCVD”(inEnglish)，ChineseJournalofSemiconductor，Vol.23,No.5,pp459-463,May2002

王圩,R.Y.Zhang,J.Dong,Z.W.Feng,F.Zhou“Polarization-insensitivesemiconductoropticalamplifierwithgradedtensilebulk-likeactivestructure”O(jiān)ECC2002(invitedpaper)2002.7,Japan.

G..L.Liu,王圩,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,X.H.Hu,Y.Lu,J.Zhang,“Self-alignedCoupledWaveguideDBRLasers”(inEnglish)，ChineseJ.Lasers,Vol.B11,No.2,pp87-90,2002

Y.Sun,王圩,W.X.Chen,G.L.Liu,F.Zhou,H.L.Zhu,“HighExtinctionRatioPolarizationIndependentEA-Modulator”(inEnglish),ChineseJ.Semiconductors,Vol.22,No.11,pp1374-1376,2001

王圩,G.L.Liu,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,“HighSpeedDFBLaserandEMLs”Proc.SPIE,Vol.4850,pp26-34,2001
B.Chen,W.Wang,X.J.Wang,J.Y.Zhang,F.Zhou,“ANovel1.3-mmHighT0AlGaInAs/InPStrainedMulti-QuantumWellComplex-CoupledDFBLaserDiode”JpnJ.Appl.Phys.Vol.38,pp5096-5100,1999

王圩,J.Y.Zhang,H.L.Tian,Y.B.Miao,X.J.Wang,C.H.Ma,L.M.Wang,H.Lu,J.H.Gao,H.H.Gao,“1.5mmInGaAsP/InPRW-DFBLaser”InternationalJ.Optoelectronics,Vol.7,No.1,pp63-69,1992

王圩,M.T.Pang,K.Komori,K.S.Lee,S.Arai,Y.Suematsu,“AModified1.5mmGaInAsP/InPBIG-DBRLaserwithanInnerIslandSubstrate”,JpnJ.Appl.Phys.,Vol.27,No.7,ppL1313-L1316,1988