胡漢泉 - 簡(jiǎn)歷

1918年5月17日 生于北京。

1936-1940年 上海交通大學(xué)電機(jī)系電訊專(zhuān)業(yè)學(xué)習(xí)，獲工學(xué)士學(xué)位。

1940-1941年 美國(guó)密歇根大學(xué)電機(jī)系學(xué)習(xí)，獲碩士學(xué)位。

1942年10月-1943年12月 任美國(guó)斯巴登無(wú)線(xiàn)廠米波車(chē)載無(wú)線(xiàn)發(fā)射機(jī)、接收機(jī)、定向機(jī)測(cè)試工程師。

1944年1月-1946年8月 任美國(guó)RCA電子管廠磁控管研究工程師。

1946年9月-1949年9月 任美國(guó)依利諾大學(xué)電機(jī)樂(lè)電子管試驗(yàn)室研究講師，進(jìn)修博士，獲博士學(xué)位。

1949年9月-1949年11月 由美國(guó)抵達(dá)天津回國(guó)。

1950年3月-1955年2月 任鐵道部鐵道研究所電工組研究員。

1955年2月-1956年 冬調(diào)入二機(jī)部十局技術(shù)處任三級(jí)工程師，籌備電真空研究所，參加1956～1967年12年科學(xué)發(fā)展規(guī)劃電真空技術(shù)發(fā)展規(guī)劃工作。

1956年冬-1984年2月 任北京真空電子技術(shù)研究所（12所）總工程師，副所長(zhǎng)，所長(zhǎng)。

1984年2月-1989年9月 任北京真空技術(shù)研究所教授級(jí)高級(jí)工程師，部聘技術(shù)顧問(wèn)。

1989年9月-2004年6月 任北京真空電子技術(shù)研究所所聘顧問(wèn)。

2005年7月22日 病逝于美國(guó)德州達(dá)拉斯。

胡漢泉 - 生平

胡漢泉，1918年5月17日出生于北京。父親胡鴻猷（又名胡徵若）是1896年建立的南洋公學(xué)校早期畢業(yè)生，由清末的郵傳部派送去美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)Wharton管理學(xué)院學(xué)習(xí)，1909年畢業(yè)回國(guó)后曾任交通大學(xué)北京分校教授。母親孫卓如曾任無(wú)錫某女中教員，會(huì)吟詩(shī)作畫(huà)。父母的勉勵(lì)和教育，對(duì)子女刻苦學(xué)習(xí)，努力成才，有極大影響。

1924～1930年胡漢泉在北京讀小學(xué)；1930年隨父母去上海；1930～1936年先后在上海民治中學(xué)、上海青年中學(xué)、上海南洋模范中學(xué)接受中學(xué)教育。在此期間愛(ài)好無(wú)線(xiàn)電，自裝礦石收音機(jī)、真空管單管收音機(jī)。1936～1940年在上海交通大學(xué)電機(jī)系學(xué)習(xí)。在南洋模范中學(xué)及上海交通大學(xué)的名師教導(dǎo)下，數(shù)理化基礎(chǔ)課打下了扎實(shí)的基礎(chǔ)。1940年秋交通大學(xué)畢業(yè)后自費(fèi)留學(xué)美國(guó)，在密歇根大學(xué)電機(jī)系攻讀碩士學(xué)位。1942年，美國(guó)政府發(fā)現(xiàn)，發(fā)展雷達(dá)裝備需要大量人才，急需實(shí)施繼續(xù)工程教育，各大學(xué)電機(jī)系紛紛用油印講義，快速發(fā)行微波技術(shù)文章。IEEE的前身美國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)A.I.E.E及無(wú)線(xiàn)電工程師學(xué)會(huì)I.R.E的出版物，也刊登微波技術(shù)入門(mén)文章。胡漢泉作為兩個(gè)學(xué)會(huì)的學(xué)生會(huì)員，通過(guò)這些媒介學(xué)習(xí)了大量的微波知識(shí)，還學(xué)習(xí)了Stratton的電磁波專(zhuān)著。1942年10月他進(jìn)入Sparks Withington公司任米波（100～154MHz）軍用車(chē)載發(fā)射機(jī)、接收機(jī)、定向機(jī)的測(cè)試工程師，直到1943年12月；1944年1月～1946年8月在RCA Lancaster工廠任微波管研究工程師。第二次世界大戰(zhàn)結(jié)束后，依利諾大學(xué)電機(jī)系需要有微波管工作經(jīng)驗(yàn)的工程師來(lái)建立電子管試驗(yàn)室，胡漢泉作為半工半讀研究助教進(jìn)修博士，1949年9月獲依利諾大學(xué)博士學(xué)位，其博士論文《寬范圍可調(diào)諧速調(diào)管的諧振腔研究》，1950年在依利諾大學(xué)出版，該論文中的一部分《兩個(gè)簡(jiǎn)并模式在諧振腔壁上所開(kāi)槽的耦合》于1949年9月在芝加哥舉行的全國(guó)電子學(xué)會(huì)議上宣讀。

1949年9月，離美回國(guó)，11月到達(dá)天津；1950年3月到唐山鐵道研究所任研究員，并在唐山交通大學(xué)兼課，講授大學(xué)二年級(jí)交流電路課程；1951年隨唐山鐵道研究所遷至北京，應(yīng)廠務(wù)局要求，他去長(zhǎng)辛店鐵路工廠幫助修復(fù)日本遺留的火花塞式高頻爐并進(jìn)行機(jī)車(chē)月牙板高頻淬火試驗(yàn)；1953～1954年在北方交通大學(xué)兼職講授大學(xué)電工原理課程，1954年與傅柏生及化學(xué)組共同研制鐵氧體磁性材料。

1955年2月由鐵道研究院調(diào)至二機(jī)部十局，籌備北京電真空器件研究所。1956年春夏與吳祖愷、吳鴻適組成電真空器件12年（1956～1967年）科學(xué)規(guī)劃小組，負(fù)責(zé)編寫(xiě)超高頻管、電真空器件、電光源器件，電真空工藝材料、設(shè)備的發(fā)展規(guī)劃。1956年冬在二機(jī)部十局技術(shù)處成立第12研究所籌備處，起草計(jì)劃任務(wù)書(shū)；1957年計(jì)劃任務(wù)書(shū)得到二機(jī)部、國(guó)務(wù)院計(jì)劃委員會(huì)批準(zhǔn)，開(kāi)始建所。作為主要負(fù)責(zé)人，為了培養(yǎng)人才，胡漢泉親自安排第一批大學(xué)生到772廠、774廠實(shí)習(xí)，規(guī)定學(xué)生每月寫(xiě)進(jìn)展報(bào)告。為做好培養(yǎng)工作，他對(duì)每份報(bào)告都進(jìn)行認(rèn)真審閱，并給予指導(dǎo)。對(duì)于設(shè)計(jì)院工藝設(shè)計(jì)室的工藝設(shè)計(jì)，胡漢泉明確動(dòng)力要求，堅(jiān)持定期審查，使之符合工藝流程，布置科學(xué)合理。

四機(jī)部12所于1957年3月正式成立，胡漢泉任副所長(zhǎng)兼總工程師，全面負(fù)責(zé)12所的科研和技術(shù)發(fā)展工作。1977～1984年任12所所長(zhǎng)兼總工程師。1984年以后任12所技術(shù)顧問(wèn)。自1982～1990年，胡漢泉一直擔(dān)任中國(guó)電子學(xué)會(huì)理事、教育工作委員會(huì)主任委員、真空電子學(xué)分會(huì)主任委員。1993年他發(fā)起成立了電氣電子工程師學(xué)會(huì)電子器件學(xué)會(huì)（IEEE EDS）北京分部（Beijing Chapter），被選為主席。胡漢泉于1979年12月加入中國(guó)共產(chǎn)黨，1978年被推舉為第五屆全國(guó)人民代表大會(huì)代表。

胡漢泉在科學(xué)技術(shù)上的成就，尤其表現(xiàn)在新中國(guó)成立初期和20世紀(jì)60年代，創(chuàng)建和主持了中國(guó)唯一的大功率真空電子器件研究所的建設(shè)和發(fā)展，為中國(guó)真空電子學(xué)的現(xiàn)代化發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)；在推動(dòng)捷變頻磁控管、冷陰極前向波放大管和彈載陶瓷三極管等關(guān)鍵真空電子器件的研制中起了重要的領(lǐng)導(dǎo)作用；在國(guó)防重點(diǎn)工程研制中的貢獻(xiàn)突出，1985年榮立國(guó)防科工委331 工程二等功。

胡漢泉 - 技術(shù)開(kāi)拓

12所成立之前，中國(guó)除772廠于1955年仿制一個(gè)磁控管外，沒(méi)有微波管制造業(yè)。大功率微波管是雷達(dá)、通信等軍事電子裝備的心臟，對(duì)國(guó)防建設(shè)十分重要。1957年12所一邊進(jìn)行基本建設(shè)，一邊開(kāi)展微波管研究。1958年蘇聯(lián)160研究所代表團(tuán)由費(fèi)多洛夫帶領(lǐng)來(lái)12所訪(fǎng)問(wèn)，指導(dǎo)建所并提供一些設(shè)備。其后委派磁控管、速調(diào)管、陰極和計(jì)劃4位專(zhuān)家來(lái)12所指導(dǎo)科研。12 所在初始階段以仿制磁控管（課題編號(hào)2001，仿美4J29）、行波管（編號(hào)3001，仿蘇YB-1）、氫閘流管（編號(hào)4001，仿蘇1000/25）為主。胡漢泉參與了早期2001磁控管的研制工作，進(jìn)行技術(shù)指導(dǎo)，制造了炭塊焊接機(jī)、開(kāi)口鐘罩氫氣釬焊機(jī)等基本設(shè)備。當(dāng)時(shí)因?yàn)閲?guó)內(nèi)根本不生產(chǎn)無(wú)氧銅材料，不得不自己試驗(yàn)土法冶煉無(wú)氧銅。整管冷測(cè)、熱測(cè)、陽(yáng)極加工，4J29管的反設(shè)計(jì)等都是從無(wú)到有，依靠自己的力量進(jìn)行探索。3001行波管的螺旋線(xiàn)石英夾持桿要求的平行度、外徑公差很緊，在石英桿供給廠提供的一大堆原材料中挑選，也達(dá)不到要求，只能將蘇聯(lián)夾持桿在制管熱測(cè)后拆管再用。針對(duì)這一個(gè)技術(shù)瓶頸，胡漢泉查閱了大量行波管英文文獻(xiàn)，注意到國(guó)外用無(wú)心磨床加工的報(bào)道，立即與磨工師傅一起試驗(yàn)，經(jīng)過(guò)不斷的改進(jìn)努力，成功地使石英桿立足于國(guó)內(nèi)自給。4001閘流管的熱測(cè)設(shè)備按25kV高壓、1000A大電流設(shè)計(jì)，在當(dāng)時(shí)的條件下根本不可能制造出那樣大的大功率電源，胡漢泉科學(xué)地提出用兩個(gè)小功率電源來(lái)替代，這個(gè)等效測(cè)試電源提供了相當(dāng)于大功率電源的熱測(cè)條件，及時(shí)地完成了制管任務(wù)。

1958年，12所開(kāi)始大功率速調(diào)管的自行設(shè)計(jì)，包括米波段中功率1001速調(diào)管，2m高的巨型米波段大功率1004速調(diào)管。為了完成巨大管型的研制任務(wù)，胡漢泉組織突破了高鋁陶瓷制造、瓷件金屬化工藝的技術(shù)難關(guān)，組建了電子陶瓷研究室；動(dòng)員全所力量，設(shè)計(jì)制造了陶瓷金屬化和制管焊接必需的3個(gè)高溫巨型氫爐；為制造速調(diào)管的研究室成功地研制出了大型調(diào)制器、大功率水負(fù)載，滿(mǎn)足了測(cè)試的必需。同時(shí)在他的指導(dǎo)下，還在國(guó)內(nèi)首創(chuàng)使用了真空密封累積氦檢漏技術(shù)。

胡漢泉身為領(lǐng)導(dǎo)，以其在國(guó)外工作的豐富經(jīng)驗(yàn)，發(fā)揚(yáng)自力更生、艱苦奮斗的精神，組織各研究室、制造車(chē)間努力克服基礎(chǔ)技術(shù)發(fā)展不足的弱勢(shì)和障礙，為國(guó)防建設(shè)提供了許多新的重要產(chǎn)品。僅在60年代，718測(cè)量船用的1006大功率速調(diào)管、154工程用的2008B同軸磁控管、6016彈載小型鈦陶瓷三極管、2014 前向波放大管、154工程用的1007、1008靜電聚焦速調(diào)管、3065無(wú)截獲柵控行波管等，都為國(guó)防建設(shè)作出了不可磨滅的貢獻(xiàn)。12所已經(jīng)成為中國(guó)大功率微波管研制的重要基地，40多年來(lái)為國(guó)防裝備的建設(shè)，提供了一系列關(guān)鍵大功率真空電子器件。由軍品所形成的技術(shù)基礎(chǔ)，也使12所民品得到發(fā)展，如醫(yī)用加速器、微波治癌設(shè)備、低成本俄歇能譜儀、低成本回旋質(zhì)譜儀等。這些成就的取得，都是與胡漢泉在真空電子器件領(lǐng)域里的卓越領(lǐng)導(dǎo)和開(kāi)拓性工作分不開(kāi)的。

胡漢泉 - 技術(shù)突破

微波真空器件是一種高技術(shù)產(chǎn)品。作為中國(guó)第一代微波管技術(shù)的突破，需要器件的設(shè)計(jì)研究工作與基礎(chǔ)工藝研究工作的共同協(xié)同、努力。在胡漢泉的具體領(lǐng)導(dǎo)下，嚴(yán)格按照科學(xué)規(guī)律，進(jìn)行科學(xué)研究，器件研究室進(jìn)行設(shè)計(jì)計(jì)算，通過(guò)電解槽進(jìn)行電子槍內(nèi)電子軌跡的模擬；用電子注分析器實(shí)際觀察電子注的聚焦情況；通過(guò)冷測(cè)進(jìn)行高頻結(jié)構(gòu)內(nèi)電場(chǎng)分布和色散特性的測(cè)量；設(shè)計(jì)低損耗、寬頻帶的輸入輸出耦合器；通過(guò)熱測(cè)試驗(yàn)，研究抑制干擾模式，進(jìn)行參數(shù)改進(jìn)�；�礎(chǔ)研究室及機(jī)械加工車(chē)間實(shí)現(xiàn)精密零件加工、精密定位裝架模制造、大電流密度陰極的提供、管內(nèi)殘余氣體的分析、完善的排氣處理、封離后整管的密封性、用Ti泵和Zr-Al泵吸除釋放氣體，保持真空度的穩(wěn)定。胡漢泉作為所長(zhǎng)兼總工程師，組織和具體指導(dǎo)基礎(chǔ)研究室協(xié)同器件研究室突破技術(shù)難關(guān)，提供重要的攻關(guān)思路，如高達(dá)2m的大功率速調(diào)管對(duì)中芯桿的設(shè)計(jì)、大型器件的夾封技術(shù)、累積氦檢漏新技術(shù)的應(yīng)用等。

2008B同軸磁控管的衰減陶瓷，可以抑制干擾的內(nèi)腔隙縫模。2008B在熱測(cè)中曾出現(xiàn)過(guò)伏安工作曲線(xiàn)測(cè)至某處發(fā)生拐點(diǎn)，這種管子不能用于整機(jī)，因?yàn)樗�減陶瓷抑制不了隙縫模，衰減瓷環(huán)必須在磨床上磨到精密公差緊貼內(nèi)腔，衰減瓷環(huán)的制備是在碳中埋燒滲碳，再上磨床磨去余量到規(guī)定尺寸緊貼內(nèi)腔，所余滲碳在360°方位上，有的方位衰減量不夠，使熱測(cè)管出現(xiàn)拐點(diǎn)。胡漢泉積極參與和領(lǐng)導(dǎo)國(guó)家國(guó)防重點(diǎn)需要用管，直接深入課題組，建議將瓷環(huán)放在上端開(kāi)口的圓筒內(nèi)靠近于筒的底端處，在一直徑的兩端開(kāi)耦合孔，作為信號(hào)的輸入與輸出，監(jiān)測(cè)每個(gè)方位的插入損耗并與合格的瓷件比較，保證了各方向的衰減量，制出了合格管，解決了當(dāng)時(shí)的技術(shù)難題。

1975年，用戶(hù)急需供彈載用的拇指型小型鈦陶瓷微波三極管6016，該管陰極基金屬為鎢（W）4%、鈣（Ca）0.2%、鎳（Ni）余量，陰極電流密度在1μs時(shí)間內(nèi)必須激活到10A/cm2才能達(dá)到用戶(hù)要求的1kW脈沖功率輸出。當(dāng)時(shí)冶金廠提供的材料，制出的多數(shù)器件，功率都達(dá)不到1kW，冶金廠要求12所給出試驗(yàn)二極管復(fù)驗(yàn)報(bào)告后再提供新的材料。當(dāng)時(shí)工作秩序尚未正常，制備試驗(yàn)管需要時(shí)間，易造成陰極中毒，因此復(fù)驗(yàn)結(jié)果不能確定是否系材料的問(wèn)題。胡漢泉查閱了大量資料后創(chuàng)新地提出用微區(qū)微量的離子探針（IMA）法探測(cè)新材料，再與廣州出口商品交易會(huì)的合格展品作比較的思路和方法。結(jié)果是在250μ×250μ視野中，廣交會(huì)展品每個(gè)視野都看到了Ca，而冶金廠提供的批號(hào)料，多數(shù)無(wú)Ca，少數(shù)有Ca。此后，冶金廠在交貨前也用微區(qū)微量的離子探針?lè)�檢查產(chǎn)品，最終提供了批號(hào)為7558的合格材料，使12所生產(chǎn)正常，保證了國(guó)防急需用管。胡漢泉提出的用微區(qū)微量離子探針?lè)ㄨb定陰極基金屬的方法，革新了自20世紀(jì)20年代以來(lái)電子管陰極投入生產(chǎn)線(xiàn)前用試驗(yàn)二極管檢驗(yàn)的陳舊方法。

在研制2014冷陰極前向波放大器時(shí)，用工作比為0.001的前級(jí)磁控管激勵(lì)，工作比為0.040的該管熱測(cè)。2014冷陰極前向波放大器與前級(jí)行波管構(gòu)成整機(jī)放大鏈。在研制階段的熱測(cè)時(shí)，前級(jí)行波管也正在研制中，尚不能用于2014的熱測(cè)，工作比為0.001的前級(jí)磁控管已經(jīng)制出，可作為激勵(lì)源啟動(dòng)冷陰極工作，但怎樣實(shí)現(xiàn)0.040工作比的測(cè)試，技術(shù)人員一籌莫展。胡漢泉經(jīng)過(guò)深思熟慮，建議采用窄脈沖結(jié)束后，回授一些輸出到0.001工作比的前級(jí)磁控管，回授的訊號(hào)使冷陰極繼續(xù)工作并測(cè)試到0.040工作比，完成了被認(rèn)為是不可能完成的測(cè)試工作，從而為國(guó)防用管爭(zhēng)取了寶貴的時(shí)間。

用少量資金把舊雷達(dá)改造為捷變頻雷達(dá)是很實(shí)惠的途徑，其關(guān)鍵是突破捷變頻磁控管支撐調(diào)頻片在陽(yáng)塊端部空間旋轉(zhuǎn)的自潤(rùn)滑軸承。2033 X波段捷變頻磁控管的軸承需要離子鍍銀，當(dāng)時(shí)鍍銀設(shè)備市場(chǎng)價(jià)為15萬(wàn)元人民幣，而當(dāng)時(shí)全所儀器預(yù)備費(fèi)年度預(yù)算僅為30萬(wàn)元，所以15萬(wàn)元的數(shù)額太大，不能實(shí)施。胡漢泉提出一個(gè)思路：建議用退庫(kù)的舊真空蒸鍍?cè)O(shè)備改造鐘罩的內(nèi)部，而利用其鐘罩、電源及控制臺(tái)改造成二極式離子滾動(dòng)鍍膜機(jī)。二極式離子滾動(dòng)鍍膜機(jī)在70年代具有獨(dú)創(chuàng)性和先進(jìn)性，僅用幾千元便解決了課題組突破技術(shù)關(guān)鍵所急需的設(shè)備。他的思路和思想在以后很長(zhǎng)的一段時(shí)間里指導(dǎo)著12所的科技人員主動(dòng)、積極地創(chuàng)造科研生產(chǎn)條件，在國(guó)防科研生產(chǎn)中發(fā)揮了重要的作用。

進(jìn)入80年代，由于微觀微區(qū)檢測(cè)儀器的出現(xiàn)，使真空電子工藝材料的檢測(cè)，在技術(shù)途徑上由宏觀經(jīng)驗(yàn)途徑逐步進(jìn)入微觀科學(xué)觀察途徑，這些儀器是俄歇能譜儀、掃描電鏡、電子探針、離子探針等，然而進(jìn)口的俄歇能譜儀要40萬(wàn)～50萬(wàn)美元。胡漢泉深知科研基礎(chǔ)條件的重要性，他支持陰極試驗(yàn)室自制低成本俄歇能譜儀，大部分部件自制，僅進(jìn)口必需的鎖相放大器。自制的俄歇能譜儀使12所能對(duì)陰極進(jìn)行表面分析，更深刻地理解陰極機(jī)理。除12所自用外，還能供給高校用于教學(xué)及研究，如北京大學(xué)的吳全德教授就曾用之于研究銀氧銫（Ag-O2-Cs）光電陰極。

胡漢泉 - 學(xué)術(shù)交流

1950年胡漢泉應(yīng)邀到唐山交通大學(xué)兼課，1953年至1954年又應(yīng)邀到北方交通大學(xué)講授電工原理課。1958年清華大學(xué)開(kāi)創(chuàng)電真空專(zhuān)業(yè)，他每周去清華大學(xué)1次，指導(dǎo)畢業(yè)設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)室建設(shè)。1982年1月至1986年9月，他在本所給全所技術(shù)骨干講授英文和現(xiàn)代物理，用英語(yǔ)講授康奈爾大學(xué)物理課本，每周1次。80年代以后，胡漢泉在12所擔(dān)任研究生導(dǎo)師，結(jié)合科研任務(wù)為國(guó)家培養(yǎng)真空技術(shù)、微波管、氣體激光器的碩士生，造就了大量人才。

胡漢泉還與774廠總工程師王遷合編了《真空技術(shù)在電子器件中的應(yīng)用》一書(shū)（上下冊(cè)共100余萬(wàn)字），親自撰寫(xiě)了其中《真空擊穿的物理》一章。80年代，美國(guó)喬治亞理工學(xué)院毫米波研究學(xué)者Gallagher、McMillan兩位來(lái)中國(guó)訪(fǎng)問(wèn)，中國(guó)電子學(xué)會(huì)請(qǐng)胡漢泉接待。這兩位學(xué)者認(rèn)為中國(guó)的毫米波研究已有一定成果，提出在中國(guó)召開(kāi)國(guó)際會(huì)議的倡議。在胡漢泉積極創(chuàng)導(dǎo)下，1990年首屆國(guó)際毫米波遠(yuǎn)紅外會(huì)議ICMWFT在北京舉行，1992年、1994年、1996年第二屆至第四屆會(huì)議相繼舉行，并發(fā)展成為微波毫米波國(guó)際系列會(huì)議（ICMMT），促進(jìn)了國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)交流。電氣電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）在五大洲共有會(huì)員30萬(wàn)人，中國(guó)的北京分部成立于1985年，但電子器件專(zhuān)業(yè)分會(huì)未成立。1993年胡漢泉籌備成立了IEEE電子器件分會(huì)（IEEE/ED Beijing Chapter），并邀請(qǐng)國(guó)外專(zhuān)家來(lái)中國(guó)做報(bào)告。胡漢泉還和IEEE/ED總部聯(lián)系，要求他們以?xún)?yōu)惠價(jià)提供IEDM（International Electron Device Meeting）會(huì)議錄。經(jīng)總部理事會(huì)討論決定，向中國(guó)贈(zèng)送1995～1999年間5年的IEDM會(huì)議錄，使中國(guó)電子器件研究者能更多地了解國(guó)際發(fā)展動(dòng)向。顯示器件是傳遞信息不可缺少的器件，信息與顯示學(xué)會(huì)SID （Society of Information Display）是世界范圍的學(xué)會(huì)。1994年胡漢泉又籌備了SID Beijing分會(huì)，使會(huì)員可以以較低的會(huì)費(fèi)入會(huì)，一份會(huì)費(fèi)可供4個(gè)會(huì)員入會(huì)，共享一份刊物。2000年10月在西安交通大學(xué)舉辦了首屆亞洲信息顯示會(huì)議ASID’00（Asian Symposium Information Display 2000），使中國(guó)顯示技術(shù)工作者有機(jī)會(huì)更深入地了解了國(guó)際發(fā)展動(dòng)向。

胡漢泉是中國(guó)資深的繼續(xù)工程教育工作者。第二次世界大戰(zhàn)以后，科技發(fā)展日新月異，科技工作者離校后不再補(bǔ)充和更新知識(shí)，幾年后就可能知識(shí)落伍，因此世界上出現(xiàn)了終身教育的概念。職業(yè)教育可及時(shí)保持職業(yè)活力，是現(xiàn)代概念的終身教育。工程師、科學(xué)家可以補(bǔ)充和更新至?xí)r代前沿的職業(yè)活力，產(chǎn)業(yè)可以補(bǔ)充和更新至有推出前沿產(chǎn)品的企業(yè)活力。胡漢泉于1980年率12所代表團(tuán)赴美考察微波管時(shí)注意到所訪(fǎng)的企業(yè)都在開(kāi)展繼續(xù)工程教育。1983年2月他隨中國(guó)電子學(xué)會(huì)繼續(xù)工程教育考察團(tuán)赴美考察，美方IEEE安排了10個(gè)城市的考察，胡漢泉對(duì)美國(guó)繼續(xù)工程教育的發(fā)展有了更加全面和深入的了解。1984年中國(guó)繼續(xù)工程教育協(xié)會(huì)在北京成立，胡漢泉擔(dān)任對(duì)外交流工作。1986 年5月他參加在美國(guó)Orlando舉行的第三屆世界繼續(xù)工程教育會(huì)議，會(huì)后他又順訪(fǎng)了相關(guān)的繼續(xù)工程教育單位。1987年4月再隨中國(guó)科協(xié)代表團(tuán)赴美考察繼續(xù)工程教育。1988年10月由中國(guó)電子學(xué)會(huì)等6個(gè)學(xué)會(huì)組成的中國(guó)電與信息技術(shù)聯(lián)合會(huì)的繼續(xù)教育委員會(huì)在成都舉行首次會(huì)議，來(lái)自美國(guó)工程教育學(xué)會(huì)、IEEE、IBM公司、亞利桑那大學(xué)的4位知名學(xué)者來(lái)中國(guó)交流。胡漢泉為推動(dòng)中國(guó)繼續(xù)工程教育事業(yè)的發(fā)展作出了貢獻(xiàn)。

胡漢泉 - 參考資料

[1] 逸名網(wǎng) http://www.uname.cn/top/celeb_94821.html

[2] 中國(guó)電子學(xué)會(huì)網(wǎng) http://www.dzbl.com.cn/viewContent.jsp-tableName=1&id=806.htm