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  • 蔡勇

    蔡勇(研究員)

    蔡勇,1993年于東南大學(xué)電子工程系畢業(yè),獲得半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)學(xué)士學(xué)位。同年加入南京電子器件研究所五中心,從事硅雙極型微波功率晶體管研究工作。1998年考入北京大學(xué)微電子所碩士研究生,2000年轉(zhuǎn)為博士研究生,于2003年獲得微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)博士學(xué)位。

    人物經(jīng)歷

    2003年至2006年在香港科技大學(xué)電子電機系做博士后,致力于III族氮化物器件與集成電路研究。2006年至2008年在香港應(yīng)用科技研究院有限公司LED器件組任研發(fā)經(jīng)理,帶領(lǐng)研究小組進行大功率、高亮度GaN LED器件的研究與開發(fā)。2008年12月加入蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所,現(xiàn)為項目研究員,碩士生導(dǎo)師。

    研究方向

    1、半導(dǎo)體光電器件;2、固態(tài)高頻器件與電路。

    科研成果

    率先發(fā)現(xiàn)了氟離子對AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)二維電子氣的調(diào)制現(xiàn)象,并提出了物理解釋;基于這一新發(fā)現(xiàn),成功地研制出高性能增強型AlGaN/GaN HEMTs。開發(fā)出GaN基單片集成新技術(shù),研制出可在375 ℃ 高溫下正常工作的GaN基DCFL電路。發(fā)明了利用化學(xué)機械研磨(CMP)實現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)大功率GaN LED的新技術(shù)。在國內(nèi)外專業(yè)期刊及會議發(fā)表學(xué)術(shù)論文三十余篇,申請美國專利六項,其中兩項處于公告期,申請中國專利兩項。

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