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  • 趙俊亮

    趙俊亮

    趙俊亮,男,天津大學(xué)理學(xué)院物理系副教授,1980年3月生,專業(yè)為材料物理與化學(xué),主要研究方向為:透明導(dǎo)電氧化物薄膜及應(yīng)用、納米晶發(fā)光材料與固態(tài)照明器件、智能節(jié)能薄膜與器件。

    學(xué)習(xí)與工作簡歷:

    2010年7月至今,天津大學(xué)理學(xué)院物理系,副教授

    2007年3月-2010年10月,新加坡南洋理工大學(xué)電子電氣工程系, Research Fellow

    2004年4月-2007年3月,博士,材料物理與化學(xué)專業(yè),中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,

    2001年9月-2004年3月,碩士,材料科學(xué)與工程專業(yè),西安交通大學(xué)

    1997年9月- 2001年7月,本科,材料科學(xué)與工程專業(yè),西安交通大學(xué)

    趙俊亮

    代表性論文與著作:

    1.J. L. Zhao, X. W. Sun, S. T. Tan. “Bandgap-Engineered Ga-Rich GaZnO Thin Films for UV Transparent Electronics”, IEEE Transactions on Electron Devices, 56, 2995-2999 (2009).

    2.趙俊亮,李效民,古彥飛,于偉東, 楊長. “籽晶層對噴霧熱分解法生長ZnO薄膜結(jié)晶質(zhì)量和光電性能的影響”,發(fā)光學(xué)報, 27 (2006) 933-938.

    3.趙俊亮,李效民,邊繼明,張燦云,于偉東, 高相東. “噴霧熱解法生長N摻雜ZnO薄膜機理分析”,無機材料學(xué)報, 20 (2005) 959-964.

    正在承擔(dān)項目:

    國家自然科學(xué)基金項目,“全無機半導(dǎo)體量子點發(fā)光二極管及其光譜可控性研究”,項目編號:61006037。

    中國科學(xué)院高性能陶瓷與超微結(jié)構(gòu)國家重點實驗室開放基金項目,“氧化物納米陣列增強大功率GaInN基LED出光效率的研究”,項目編號:SKL201012SIC。

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