1931年1月28日，陳星弼出生在一個官宦之家，祖籍浙江省浦江縣青塘鎮(zhèn)。祖父曾為清朝武舉人，父親陳德征因家庭貧窮靠勤工儉學(xué)就讀于杭州之江大學(xué)化學(xué)系。母親徐呵梅是浙江余姚人，由于小時聰穎過人，外祖父不僅特許不纏小腳，還允許讀書，直至進入上海大學(xué)讀文學(xué)。五四運動時，陳星弼的父親成了杭州學(xué)生領(lǐng)袖之一，從此進入政界，也曾算得一個紅人。但不久得罪于蔣介石，被摘了烏紗帽，且被軟禁。這時陳星弼出生了，因此取有小名“難兒”。陳星弼3歲時，眼見哥哥姐姐上學(xué)，吵嚷著要讀書，居然獲得特許，進了小學(xué)。此后，父母年年勸其留級，他卻能堅持著學(xué)下去。6歲時，日寇侵華烽火蔓至上海，他隨父母先遷至余姚，后又至浦江，最后輾轉(zhuǎn)到重慶。不久，為躲避日機轟炸，舉家遷到合川。他從8歲開始就離家在鄉(xiāng)下小學(xué)住宿，養(yǎng)成了能吃苦和獨立生活的習慣，也深受抗日救國的思想教育。

小學(xué)畢業(yè)時，他成績名列前茅。抗戰(zhàn)時生活極為艱苦，他也曾想停止讀正規(guī)學(xué)校，早點謀出路。但父親因宦海沉浮之經(jīng)歷，堅持讓他繼續(xù)讀書，學(xué)到科學(xué)技術(shù)而為國家做實事。再加上他一直進的是國立中學(xué)，包括生活費在內(nèi)一概公費，因此沒有中斷學(xué)習。

家庭對他最大的影響是，學(xué)問必須靠自己努力取得。當抗戰(zhàn)勝利第二年他從內(nèi)地轉(zhuǎn)讀上海敬業(yè)中學(xué)時，許多功課都很吃力。但有一天教物理的居小石老師突然向全班說：“你們都應(yīng)該向陳星弼學(xué)習。他的習題明顯都是自己一人做的。不管做得錯或?qū)�，都有他特別的做法，而且愈做愈好�！彼�還鼓勵陳星弼一輩子要做傻瓜(老實人)。老師的這些話使陳星弼受用一輩子。

1947年，他考取了同濟大學(xué)電機系，并獲得獎學(xué)金。他的學(xué)習從來不拘一格。人在電機系，卻去旁聽物理系及機械系的課，而工程力學(xué)及畫法幾何又學(xué)得比電機系的主要課程還好。他學(xué)過小提琴，而且能背出許多古典交響樂的曲譜。他也看過唯心主義的哲學(xué)書籍，以致在新中國成立后他經(jīng)過一番艱難思想斗爭才接受了唯物主義。他對別人說，他相信自己的唯物主義思想比較牢固，因為這是經(jīng)過斗爭得來的。

1952年畢業(yè)于同濟大學(xué)電機系。電子科技大學(xué)教授。

1952年大學(xué)畢業(yè)后，他被分配到廈門大學(xué)電機系當助教。第二年，遇二次院系調(diào)整，轉(zhuǎn)到南京工學(xué)院無線電系。在那里，他輔導(dǎo)了幾年電工基礎(chǔ)課。

1956年，黨中央號召向科學(xué)進軍。當時他已被指定到新成立的成都電訊工程學(xué)院(簡稱“成電”，現(xiàn)電子科技大學(xué))去工作，同時也給了他進修新學(xué)科的機會。他選擇了到中國科學(xué)院應(yīng)用物理研究所進修半導(dǎo)體。這一決定確定了他以后的發(fā)展方向。他在該所兩年半的時間內(nèi)，一邊工作，一邊自學(xué)了從物理系四大力學(xué)到半導(dǎo)體有關(guān)的專業(yè)課，寫出了當時才出現(xiàn)的漂移晶體管中關(guān)于存儲時間的論文。該文后來出現(xiàn)在Prichard著書的參考文獻中，由此可知是該方面最早的工作。

1959年，他回到成電。改革開放前，由于家庭出身原因，他始終是受命去教書。他認為要教好書，不僅要把所教內(nèi)容融會貫通，還要考慮學(xué)生如何能最好地接受。他甚至為講一句話或一段話都要事先琢磨很久。因此他上課時不需講稿，只帶一張香煙盒大小的紙，寫一點備忘綱要即可，他的教課深受學(xué)生稱道。教書也使他自己打下了更好的科學(xué)基礎(chǔ)。

1970年，國家電視攻關(guān)中，他被派往工廠支援研制氧化鉛攝像管，得知國外已研制硅靶攝像管，建議研制這種新攝像管并獲四機部批準。但是好景不長，才初見該管可出圖像，他就被首批點名去五七干校勞動，直至愛人病發(fā)而調(diào)回。

1980年，他被派往美國俄亥俄州大學(xué)做訪問學(xué)者，但因?qū)�業(yè)不吻合，于1981年初轉(zhuǎn)到加州大學(xué)伯克利點校，開始進行新型半導(dǎo)體功率器件的研究。1983年回國后被選為系主任，不久建立了微電子研究所。他為了國家及本單位的需要，徹底放棄了從事基礎(chǔ)物理的念頭，以MOS型功率器件為主要研究方向。在他率領(lǐng)下，在中國首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件并開發(fā)了相關(guān)技術(shù)。

1980年美國俄亥俄州大學(xué)作訪問學(xué)者。

1981年加州大學(xué)伯克萊分校作訪問學(xué)者、研究工程師。

1983年任電子科技大學(xué)微電子科學(xué)與工程系系主任、微電子研究所所長。曾先后被聘為加拿大多倫多大學(xué)電器工程系客座教授，英國威爾斯大學(xué)天鵝海分校高級客座教授。

1993年后，他從事功率集成電路的研究。在10年前有人提出過將半導(dǎo)體微電子電路與功率器件同時做在一塊芯片上會帶來容易實現(xiàn)各種保護及控制的好處。由于世界上有近四分之三的電能是通過半導(dǎo)體功率器件來轉(zhuǎn)換其形式后才可以使用的，因此國外有人預(yù)言做在一塊芯片上會引起所謂“第二次電子革命”。它和集成電路的發(fā)展引起的信息時代的到來——又被稱做第一次電子革命，有同樣的重要性。但是國際上制造的功率集成電路采用了復(fù)雜的工藝，而且電學(xué)性能不夠好，造成其性能價格比甚低，從而第二次電子革命的進展甚慢。他的兩個表面耐壓層結(jié)構(gòu)的新發(fā)明解決了在普通集成電路上做功率器件的問題，不僅制造功率器件的工藝與普通集成電路的工藝全兼容，而且所做功率器件電學(xué)性能特別優(yōu)良，阻礙第二次電子革命迅速發(fā)展的桎梏也將會因此而被打破。他最大的希望是這個成就在中國開花結(jié)果，使中國在該領(lǐng)域居于世界領(lǐng)先的地位。

1999年當選中國科學(xué)院院士。5月10日至14日，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最頂級的學(xué)術(shù)年會——第二十七屆國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會（IEEE ISPSD 2015）在中國香港舉行。我校陳星弼院士因?qū)Ω邏汗β蔒OSFET理論與設(shè)計的卓越貢獻獲得大會頒發(fā)的最高榮譽“國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎”（ISPSD 2015 Pioneer Award），成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家。

五十年代末，對漂移晶體管的存貯時間問題在國際上最早作了系統(tǒng)的理論分析。提出新的電荷法基本方程、不均勻介質(zhì)中鏡象電荷方程等。八十年代以來，從事半導(dǎo)體電力電子器件的理論與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新方面的研究。從理論上解決了提高p- n結(jié)耐壓的平面及非平面工藝的終端技術(shù)問題，作出了一些迄今唯一的理論分析解。在解決MOS功率管中降低導(dǎo)通電阻與提高耐壓之間的矛盾問題上作出了系列重要貢獻。發(fā)明了耐壓層的三種新結(jié)構(gòu)，提高了功率器件的綜合性能優(yōu)值，其中橫向耐壓層新結(jié)構(gòu)在制備工藝上與常規(guī)CMOS和BiCMOS工藝兼容，有利于發(fā)展耐高壓的功率集成電路。1999年當選為中國科學(xué)院院士。

陳星弼著　南京:東南大學(xué)出版社出版日期:1990

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陳星弼任教四十多年來，教過多種課。他親自教過及培養(yǎng)過近千名的學(xué)生，普遍反映受影響最深，他對學(xué)生要求嚴格。這些至今有口皆碑。他公開出版五本書，不少書迄今仍是許多大學(xué)的教材。

1 OptimizationoftheDriftRegionofPowerMOSFET`swithLateralStructuresandDeepJunctions

2 一維不均勻媒質(zhì)中的景象法

3 小注入下晶體管Ic-V_be特性的指數(shù)因子的研究

4 論晶體管電荷控制法的基礎(chǔ)

5 關(guān)于圓柱邊界突變結(jié)的擊穿電壓

6 關(guān)于半導(dǎo)體漂移三極管在飽和區(qū)工作的儲存時間問題

7 TheoryoftheSwitchingResponseofCBMOST

8 Theoryofoptimumdesignofreverse-biasedp- njunctionssuingresistivefieldplatesandvariationlateraldoping

9 OptimumVLDmakesSPICBetterandCheaper

10 OptimumDopingProfileofPowerMOSFETEpitaxialLayer

11 OptimumDesignParametersforDifferentPatternsofCB-Structure

12 OptimizationoftheSpecificOn-ResistanceoftheCOOLMOS~TM

13 New“siliconlimit”ofpowerdevices

14 Lateralhigh-voltageusinganoptimizedvariationallateraldoping

15 Breakthroughtothe“Siliconlimit”ofPowerDevices

16 Analysisanddesignguidelinesofjit`susedinplanartechnology

17 AnAnalyticalModelforElectricFieldDistributionofPositivelyBeveledAbruptPNJunctions

18 ATheoryofFloatingField-LimitingRingsRegardingtheEffectofSurfaceCharges

19 Asimpledescriptionofdiffusedimpuritydistributionofaninstantaneoussourcethroughawindowofamask

20 ANovelHigh-VoltageSustainingStructurewithBuriedOppositelyDopedRegions

陳星弼在新型功率（電力電子）器件及其集成電路這一極其重要領(lǐng)域中，做出了一系列重要的貢獻與成就。他率先在中國提出立項并作為第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有關(guān)技術(shù)。他對垂直型功率器件耐壓層及橫向型功率器件的表面耐壓區(qū)唯一地作出了優(yōu)化設(shè)計理論且得到實際應(yīng)用。對功率器件的另一關(guān)鍵技術(shù)——結(jié)終端技術(shù)——作出了系統(tǒng)的理論分析及最優(yōu)化設(shè)計方法并應(yīng)用在各種電力電子器件的設(shè)計中取得良好的效果。他還提出了斜坡場板這一新結(jié)構(gòu)的理論。他的三項重要發(fā)明能使電力電子器件在一個新的臺階上發(fā)展。這些發(fā)明打破了傳統(tǒng)極限理論的約束，使器件的電學(xué)性能得到根本性的改進。第一種第二種發(fā)明突破了高速功率MOS高壓下導(dǎo)通電阻極限理論，得到新的極限關(guān)系。第一種發(fā)明被Siemens公司實現(xiàn)，98年在國際電子器件會議（舊金山）發(fā)表。第二種發(fā)明及第三種發(fā)明已在國內(nèi)實驗成功。根據(jù)第三種發(fā)明來制造高壓（功率）集成電路中的橫向器件，可以在工藝上和常規(guī)的CMOS及BiCMOS工藝兼容，使這種電路不僅性能優(yōu)越，而且成本節(jié)省，可立足國內(nèi)，并正在走向產(chǎn)品開發(fā)。他作為唯一（或第一）作者（或主研）已在IEEE等學(xué)術(shù)刊物發(fā)表論文40多篇，出版著作五種（六冊），取得美國及中國發(fā)明專利權(quán)七項，獲得國家發(fā)明獎及國家科技進步獎二項，省部級獎十三項。

陳星弼還負責過“八五”國家科技攻關(guān)重點項目、國家自然科學(xué)基金重點項目、國防科工委及各種省部級項目近20項，其中，兩項獲美國發(fā)明專利，三項獲中國發(fā)明專利獎，兩項獲國家發(fā)明獎及科技進步獎，13項獲國家教委及省部級獎。1999年，陳星弼當選為中科院院士。

1991年起享受國務(wù)院特殊津貼，1997年被電子工業(yè)部授予優(yōu)秀教師獎項，1998年被評為全國優(yōu)秀教師、四川省學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人、成都市勞模。

他是中國電子學(xué)會會士，美國IEEE高級會員，中國國家自然科學(xué)基金評審員，美國紐約科學(xué)院（并入選其出版的世界名人錄Marquisswhointheworld”中），半導(dǎo)體學(xué)報編委，中國電子學(xué)會半導(dǎo)體與集成技術(shù)委員會委員，中國電子學(xué)會四川省分會理事兼半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會主任委員，曾連續(xù)擔任國際SSICT程序委員及分會主席及一屆中德友好電子周分會主席。

陳星弼是中國電子學(xué)會會員，美國IEEE高級終身會員，

陳星弼教授是中國電子學(xué)會會士、美國IEEE高級會員。多次出訪國外進行科技學(xué)術(shù)交流。他熱愛祖國、忠誠黨的教育事與科學(xué)事業(yè)。學(xué)識淵搏、治學(xué)嚴謹、工作刻苦。有堅實的基礎(chǔ)理論，能及時抓住新方向，很快深入，既能發(fā)現(xiàn)問題有能解決問題。