1945年3月，君浩出生在江蘇宜興一個書香家庭，父親是老師，新中國成立后在華師大從事地理工作。從小受父親影響，褚君浩對理科特別感興趣，尤其是上中學(xué)之后，更是迷戀上了物理。初三時他開始閱讀天文學(xué)書籍，高中時閱讀了《相對論ABC》和原子物理學(xué)方面的書籍，還看了好多科普書和科學(xué)家傳記。

1962年高考時，褚君浩連續(xù)填報(bào)了復(fù)旦大學(xué)物理系、華師大物理系和上海師院（上師大前身）物理系三個志愿，非物理系不上。那年，雖然物理考了滿分，但由于作文失誤，總分被拉了下來，就進(jìn)了第三志愿——上海師院。

1966年，畢業(yè)于上海師范學(xué)院（現(xiàn)上海師范大學(xué)）物理系，1981年和1984年先后獲得中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所碩士、博士學(xué)位。

1984年12月起，褚君浩擔(dān)任中科院技術(shù)物理研究所物理室副主任。

1986年3月至1988年11月，他赴德國慕尼黑技術(shù)大學(xué)物理系從事博士后研究，為洪堡研究成員。回國后，褚君浩擔(dān)任中科院技術(shù)物理研究所副研究員、紅外物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，1992年晉升為研究員，1993年成為博士生導(dǎo)師。

1997年起，褚君浩應(yīng)德國Springer-verlag邀請參加修訂國際Landolt-bornstein大型科學(xué)手冊：“科學(xué)技術(shù)中的數(shù)據(jù)與函數(shù)關(guān)系”Ⅲ/41B。

褚君浩院士長期從事紅外光電子材料和器件的研究，開展了用于紅探測器的窄禁半導(dǎo)體碲鎘汞（HgCdTe）和鐵電薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁帶寬等關(guān)系式；被國際上稱為CXT公式，廣泛引用并認(rèn)為與實(shí)驗(yàn)結(jié)果最符合；建立了研究窄禁帶半導(dǎo)體MIS器件結(jié)構(gòu)二維電子氣子能帶結(jié)構(gòu)的理論模型；發(fā)現(xiàn)了HgCdTe的基本光電躍遷特性，確定了材料器件的光電判別依據(jù)；開展了鐵電薄膜材料物理和非冷紅外探測器研究，研究成功PZT和BST鐵電薄膜非制冷紅外探測器并實(shí)現(xiàn)了熱成像，為中國物理科學(xué)和研究作出了重大貢獻(xiàn)。

主要研究固體物理、窄禁帶半導(dǎo)體物理。系統(tǒng)研究了窄禁帶半導(dǎo)體的基礎(chǔ)物理，在光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)、能帶結(jié)構(gòu)、晶格振動、雜質(zhì)缺陷、二維電子氣研究方面取得系統(tǒng)的研究成果，HgCdTe基礎(chǔ)物理部分研究成果具有國際領(lǐng)先水平。提出的禁帶寬度公式被國際上稱為CXT公式（褚、徐、湯）。

褚君浩培養(yǎng)博士生30余名，已經(jīng)獲得博士學(xué)位22名，其中有兩名獲得全國百篇優(yōu)秀博士論文獎。2004年評為國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室計(jì)劃先進(jìn)個人、國家973計(jì)劃先進(jìn)個人。他擔(dān)任紅外物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任期間，實(shí)驗(yàn)室在1997年和2002年國家評估中兩次評為優(yōu)秀。

發(fā)表論文200余篇，研究結(jié)果被國內(nèi)外廣泛引用并被大篇幅寫進(jìn)美國、英國、荷蘭、前蘇聯(lián)等出版的科學(xué)手冊和專著中。被國際權(quán)威的Landolt-Bornstein科技數(shù)據(jù)集特邀為“含Hg化合物部分”修訂負(fù)責(zé)人。

1�瘪揖�浩，窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué)， 科學(xué)出版社，2005。

2�盝unhao Chu and Arden Sher,Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors，Springer，2007��

3�盝unhao Chu and Arden Sher,Devices Physics of Narrow Gap Semiconductors， Springer，2007��

4�盧�盉lachnik,J�盋hu,R�盧�盙alazka,J�盙eurts,J�盙utowski,B�盚onerlage,DE�盚ofm ann,J�盞ossut,R�盠evy,P�盡ichler,U�盢eukirch,D�盨trauch,T�盨tory,A�盬aag,Landol t-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/41B Semiconductors: II-VI and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds， Edited By U Rossler,Springer， 1999��

5�盝�盋hu,T�盌ietl,W�盌obrowolski,J�盙utowski,B�盞�盡eyer,K�盨ebald,T�盨tory,T �盫oss， Landolt-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/44B: New Data and Updates and Updates for II-VI Compounds，Springer， 2008：347��

6�盝unhao Chu,Pulin Liu,Yong Chang Editors,Proceedings of Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol��4086,World Scientific， 2000��

7�盝unhao Chu,Zongsheng Lai,Lianwei Wang,Shaohui Xu Editors,Proceedings of Fifth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol ��5774,World Scientific， 2004��

8�盝unhao Chu,Shiqiu Xu,and Dingyuau Tang,Energy Gap Versus Alloy Composition and Temperature in HgCdTe Appl�盤hys�盠ett��,1983,43(11)：1064��

9�盋hu Junhao,Xu shiqiu,Tang Dingyuan,The Energy Band Gap of Ternary Semiconductor HgCdTe Kexe Tongbao,1983,8(6)：851��

10�盝unhao Chu,Dingrong Qian,and Dingyuan Tang,Burstein Moss Effect in HgCdTe Physics Scripta,Vol�盩14,1986,37��

11�盝unhao Chu,R�盨izmann,R�盬ollrab,F�盞och,J�盳iegle,H�盡aier,The Study of Capacitance Spectroscopy of Resonant Defect States in HgCdTe,J�盜nfrared & Millim�盬aves,1989,8(5)：395��

12�盋hu Junhao,Mi Zhengyu,Study on Two Dimensional Electron Gas for P-HgCdTe MIS Heterostructures,J�盜nfrared ,Millim�盬aves,1989,8(6)：54~63��

13�盝unhao Chu,R�盨izmann,F�盞och,Dispersion Relation and Landau Levels of Inversion Layer Subband on P-HgCdTe,Science in China,1990,A 33(10)：1192��

14�盝unhao Chu,Zhengyu Mi,Subband Structure Models of N-inversion Layer in Narrow Gap Semiconductors,J�盜nfrared & Millim�盬aves,1990,9(3)：209��

15�盝unhao Chu,S�盋�盨hen,R�盨izmann,F�盞och,J�盳iegler,H�盡aier,Subband Electron Cyclotron Resonance and Spin Resonance P-HgCdTe MIS Heterostructures,Surface Science,1991,241：204～210.

16�盝unhao Chu,Xuechu Shen,R�盨izmann,F�盞och,Magneto Optical Resonance of Subband Electron for HgCdTe,J�盜nfrared Millim�盬aves,1991,10(1)：50��

17�盝unhao Chu,Zhengyu Mi and Dingyuag Tang,Intrinsic Absorption and Related Quantities in HgCdTe,Infrared Physics,1991,32：195��

18�盝�盚�盋hu,Z�盰�盡i,R�盨izman,and F�盞och,Subband Structure in the Electric Cuantum Limit in HgCdTe,Phys�盧ev��，1991,B44：1717��

19�盝unhao Chu,Zhengyu Mi and Dingyuan Tang,Band to Band Optical Absorption in Narrow-gap HgCdTe Semiconductors,J�盇ppl�盤hys��,1992,71(8)：3955��

20�盝�盚�盋hu,Z�盰�盡i,R�盨izmann,F�盞och,R�盬ollrab,J�盳iegler,H�盡aier,Influe nce of Resonant Defect States on Subband Structure in HgCdTe J�盫ac�盨ci�盩ech ��,1992,B 10(4)：1569��

21�盝�盚�盋hu and S�盋�盨hen,The Study of Far-infrared Phonon Spectra on HgCdTe Semicond,Sci��& Tech��,1993,8:S86~S89��

22�盝�盚�盋hu,B�盠i,K�盠iu,and D�盰�盩ang,Empirical Rule of Intrinsic Absorption-spectroscopy in HgCdTe,J�盇ppl�豹盤hys��,1994,1234��

23�盝unhao Chu,Dingyuan Tang,Recent Progress on HgCdTe at the National Laboratory for Infrared Physics in China,J�盓lectronic Materials,1996,25 (8):1176��

24�盝unhao Chu,Yongsheng Gui,Biao Li ,Dingyuan Tang,Determination of Cut-off Wavelength and Composition Distribution in Hg1- xCdxTe,J�盓lectron�盡ater��1998,27(6):718��

德國慕尼黑技術(shù)大學(xué)篁系洪堡研究成員。兼任“紅外與毫米波學(xué)報(bào)”主編，并兼任上海應(yīng)用物理研究中心副主任、中國物理學(xué)會光物理專業(yè)委員會副主任、上海物理學(xué)會光物理專業(yè)委員會主任、上海激光學(xué)會副理事長。上海市第11屆人民代表。

從1996年起，褚君浩先后擔(dān)任中國物理學(xué)會光物理專業(yè)委員會副主任、上海激光學(xué)會副理事長、上海物理學(xué)會副理事長、上海市紅外遙感學(xué)會副理事長。他曾擔(dān)任國家攀登計(jì)劃項(xiàng)目和國家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目的專家委員會委員，2002年起擔(dān)任國家973項(xiàng)目“量子結(jié)構(gòu)量子器件研究”專家委員會委員。

現(xiàn)任中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所科技委副主任、《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》主編。

1993-2003年擔(dān)任紅外物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。擔(dān)任上海市紅外與遙感學(xué)會理事長，中國物理學(xué)會光物理專業(yè)委員會副主任，上海技術(shù)物理研究所－華東師范大學(xué)成像信息聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室共主任。他是第十屆全國人大代表。

褚君浩是中國自己培養(yǎng)的第一個紅外物理博士，發(fā)現(xiàn)了最完整的用于研制紅外探測器的碲鎘汞紅外本征光吸收光譜；獲得最具有直接物理意義的碲鎘汞禁帶寬度和組分、溫度的關(guān)系式，被國際上稱為褚―徐―湯表達(dá)式他取得的一些科研成果引起了世界同行的關(guān)注。

美國學(xué)術(shù)界在評論褚君浩研究組的工作時寫道：“現(xiàn)在他們不僅已經(jīng)趕上世界，并且在一些領(lǐng)域走在前面”。