威廉·肖克利 - 基本資料

中文譯名：威廉·肖克利

英文姓名：William Shockley

 機構(gòu)與職務(wù)：1955年在硅谷創(chuàng)辦肖克利半導體實驗室，擔任主任

出生年月：1910年2月13日

出生國家、地點：英國倫敦

教育背景：1932年，在加州理工學院獲學士學位；1936年，麻省理工學院 (MIT)獲固體物理學博士學位

威廉·肖克利 - 生平

威廉·肖克利在英國倫敦出生，父母是美國人。3歲隨父母舉家遷往加州，從事礦業(yè)的雙親從小灌輸科學，加上中學教師斯拉特的熏陶，他考入了加州理工學院，并于1932年本科畢業(yè)于加州理工學院。

1936年他獲得了麻省理工學院博士學位，其博士論文題目為計算氯化鈉晶體內(nèi)的電子密度函數(shù)。1936-1955年期間他在貝爾實驗室工作，曾任晶體管物理部主任。1938年獲第一個專利“電子倍增放電器”。

1947年，威廉·肖克利與另兩位物理學家共同發(fā)明了晶體管。這個用來代替真空管的電子信號放大元件，成為電子工業(yè)的強大引擎，被媒體和科學界稱為“20世紀最重要的發(fā)明”。1951年他成為美國國家科學院院士。

1955年，他在加州山景城創(chuàng)立了“肖克利實驗室股份有限公司”，聘用了很多年輕優(yōu)秀的人才。但很快威廉·肖克利個人的管理方法因其公司內(nèi)部不合，八名主要員工于1957年集體跳槽成立了仙童半導體公司，后來開發(fā)了第一塊集成電路。而威廉·肖克利實驗室則每況愈下，兩次被轉(zhuǎn)賣后于1968年永久關(guān)閉。

威廉·肖克利以自己慘痛的失敗成全了硅谷的繁榮。但也有人說，威廉·肖克利對硅谷來說是一種報應。因為在肖克利之后，原先由HP創(chuàng)立的標準從此走向消亡，肖克利留下的東西彌漫在硅谷上空：貪婪、天才、忠誠瓦解、野心、悲劇和突然的毀滅，正是這些構(gòu)成了未來硅谷周期性的特征。

這位老科學家發(fā)財夢徹底破滅，被迫棄商就教，于1963年到斯坦福大學做教授。70年代，肖克利公開宣稱：并不是所有的人在遺傳上都是在同等水平的，也不是在同等的基礎(chǔ)上進化的。他承認自己為“諾貝爾精液庫”作了貢獻。這些極具爭議的活動，經(jīng)過宣傳媒體的廣泛報道，不幸地掩去了威廉·肖克利的科學成就和他對硅谷所做的貢獻。

威廉·肖克利于1989年因前列腺癌去世。

威廉·肖克利 - 評價

1）HP無疑是硅谷最早的電子公司。這家成立于30年代的著名公司成了硅谷歷史的源頭。但是真正點燃硅谷之火，使這塊土地燃起壯觀的電子之光的還要等到五十年代另一位大名鼎鼎的人物駕到，這就是威廉·肖克利。是物理學家肖克利博士非凡的商業(yè)眼光，成就了硅谷，也是肖克利博士拙劣的企業(yè)才能創(chuàng)造了硅谷。他是硅谷的第一公民。

2）威廉·肖克利，既是20世紀最具才華的人物之一，也是最讓人難以捉摸的人物之一。他的個性和才能注定了他只能充當硅谷一小段故事的主角，雖然十分精采、重要，但依然讓后人感到一股濃郁的悲劇氣息。