李佐宜

男，1933年出生，江西南昌人。1957年畢業(yè)于清華大學(xué)機(jī)械系，分配到北京航空材料研究所工作。1973年調(diào)入華中工學(xué)院。1981年6月至1984年1月以客座研究員身份在日本大阪大學(xué)基礎(chǔ)工學(xué)部從事高密度磁存儲薄膜及其應(yīng)用研究。首次在輕稀土-鐵族合金中研制成功Sm-Co非晶垂直磁化膜，開辟了高密度磁記錄材料的新系列，受到國際學(xué)術(shù)界的重視，其論文“低溫高頻濺射法制造Sm-Co薄膜的特性”、“磁場中戮射非晶Sm-Co薄膜”，分別在1982年日本應(yīng)用物理學(xué)會年會、日本應(yīng)用磁學(xué)學(xué)會年會發(fā)表。綜合論文“非晶Sm-Co濺射薄膜及其磁各向異性”，刊登在《日本應(yīng)用磁學(xué)會志》1983年第二期，研究成果列入日本文部科學(xué)省特定研究非晶材料、物性研究成果報(bào)告書，1983年獲日本大阪大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位。1986年晉升為教授，1989年被批準(zhǔn)為博士生指導(dǎo)教師�，F(xiàn)招收電子材料與元件學(xué)科碩士生和博士生多名，1991年進(jìn)入電子學(xué)與通信博士后科研流動站任導(dǎo)師。