鄭厚植
院士（1995） 研究員 博士生導(dǎo)師,自1979年以來長期從事半導(dǎo)體低維量子結(jié)構(gòu)物理及新器件探索，目前主要研究方向包括：
○低維量子結(jié)構(gòu)物理和納米量子器件
○半導(dǎo)體自旋電子學(xué)和自旋量子器件
○半導(dǎo)體中的量子相干過程、波函數(shù)工程和量子相干器件
所在的半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室具備先進(jìn)而齊全的超薄半導(dǎo)體材料生長，光學(xué)／電學(xué)測試手段。包括：4臺分子束外延系統(tǒng)（MBE）（1新、3舊）；各種穩(wěn)態(tài)、時間分辨和非線性光譜系統(tǒng)（飛秒瞬態(tài)激光光譜，拉曼光譜，付里葉光譜，PL、PLE光譜，磁光和時間分辨法拉第旋轉(zhuǎn)光譜）；低溫強磁場系統(tǒng)和各種電學(xué)測試手段。研究所新建的“半導(dǎo)體集成技術(shù)中心”可以提供先進(jìn)而配套的納米加工手段。
他在半導(dǎo)體低維量子結(jié)構(gòu)領(lǐng)域內(nèi)作出了系統(tǒng)而重要的成果。他最早報道了量子霍耳效應(yīng)的尺寸效應(yīng)；他與英國學(xué)者同時獨立地在國際上最早提出了分裂柵控技術(shù)，并用它實現(xiàn)了具有高遷移率的一維異質(zhì)結(jié)量子線；首次報道了局域化由二維至一維的維度變換行為；首次從實驗上證實了相位損失時間與電導(dǎo)的重要理論關(guān)系；提出了空穴反常磁阻效應(yīng)新理論；報道了二維至二維共振隧穿模式的特異性；發(fā)展了測量量子霍耳區(qū)電子擴散系數(shù)、量子阱中電子隧穿逃逸時間和利用雙勢壘結(jié)構(gòu)磁電容譜測量朗道態(tài)密度的新原理、新方法；研制了可調(diào)諧量子點微腔探測器、光存儲探測器等新器件。曾獲1994、1995年度中國科學(xué)院自然科學(xué)一等獎、二等獎。
完成／在研主要項目
- 國家攀登計劃重大項目“半導(dǎo)體超晶格物理及材料、器件探索”（1991－1995）首席專家。 國家攀登計劃重大項目“半導(dǎo)體超晶格、低維量子結(jié)構(gòu)物理、材料和器件探索”（1996－2000）首席專家。 國家自然科學(xué)基金重點項目“半導(dǎo)體／非半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)物理及其應(yīng)用”（1998－2001）首席專家。 中科院重要方向項目“量子結(jié)構(gòu)、量子器件的基礎(chǔ)研究”（2001.10－2006.10）首席專家。 “973”項目“IT前沿中的固態(tài)量子結(jié)構(gòu)、量子器件及其集成技術(shù)”（2002－2006）首席專家。
代表性論著
- H.Z.Zheng,K.K.Choi and D.C.Tsui, “Observation of size effect in the quantum Hall regime”, Phys.Rev.Lett.55,1144,(1985) H.Z.Zheng, H.P.Wei and D.C.Tsui, “Gate-controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures”, Phys.Rev.B34,5635(1986) H.Z.Zheng, H.P.Zhou, “Influences of particle-hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two-dimensional hole systems”, Phys.Rev.B39,3817(1989) H.Z.Zheng, F.H.Yang and Z.G.Chen, “Nonresonant magneto-tunneling in asymmetric GaAs/AlAs double barrier structures”, Phys.Rev.B42,5270 (1990) H.Z.Zheng, A.M.Song, F.H.Yang and Y.X.Li, “Density of states of Two-Dimensional Electron Gas Studied by Magnetocapacitance of Biased Double Barrier Structures”, Phys.Rev.B49,1802(1994) H.Z.Zheng, H.F.Li, Y.M.Zhang, Y.X.Li, X.P.Yang, P.H.Zhang, Wei Zhang, J.F.Tan, “Experimental study of tunneling escape through double barrier resonant tunneling structures”, Phys.Rev.B51,11128(1995) K.J.Luo, H.Z.Zheng, Z.D.Lu,J.Z.Xu, Z.Y.Xu, T.Zhang, C.F.Li, X.P.Yang, J.F.Tian, “Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells”, Appl.Phys.Lett.70,1155(1997) J.Q.You, H.Z.Zheng and W.L.Wang, “Magnetoexciton Polaritons in Planar Semiconductor Microcavities”, Phys.Rev.B59.1(1999) Yan Tang, Houzhi Zheng, Fuhua Yang, Ping heng Tan, Chengfang Li and Yuexia Li, “Electrical Manifestation of Quantum-Confined Stark Effect by Quantum Capacitance Response in an Optically Excited Quantum Well”,Phys.Rev.B63,113305(2001) Lixiang Cen, Xinqi Li, Yijing Yan, Houzhi Zheng, Shunjin Wang, “Evaluation of holonomic quantum computation:Adiabatic versus nonadiabatic”, Phys.Rev.Lett.90,14,147902(2003)
