鄒世昌 - 簡介

中國科學院院士，材料學家。1931年7月出生，江蘇太倉人。1952年畢業(yè)于唐山交通大學冶金工程系，1954年赴蘇留學，1958年在前蘇聯(lián)莫斯科有色金屬學院獲副博士學位�；貒�后一直在上海冶金所（現(xiàn)上海微系統(tǒng)所）工作，歷任離子束開放實驗室主任、所長。先后擔任離子注入和材料改性兩個國際學術(shù)會議的國際委員會委員。曾受聘為德國慕尼黑弗朗霍夫?qū)W會固體技術(shù)研究所客座教授。1986年當選為中共上海市第五屆委員會候補委員。1991年當選為中國科學院學部委員（院士）。1992年當選為中共第十四屆中央委員會候補委員�，F(xiàn)任上海微系統(tǒng)所研究員，博士生導師，并任上海市集成電路行業(yè)協(xié)會會長、上海華虹 NEC電子有限公司副董事長。

鄒世昌在六十年代曾負責國防重點任務甲種分離膜（代號真空閥門）的加工成形工作，是成功研制甲種分離膜的第二發(fā)明人。七十年代以后在離子束材料改性、合成、加工和分析等方面進行了系統(tǒng)的研究工作，獨創(chuàng)了用二氧化碳激光背面輻照獲得離子注入損傷的增強退火效應，用全離子注入技術(shù)研制成我國第一塊120門砷化鎵門陣列電路，用反應離子束加工成我國第一批閃光全息光柵，研究SOI材料并制成CMOS/SOI電路，發(fā)展了離子束增強沉積技術(shù)并合成了氮化硅、氮化鈦薄膜。

鄒世昌獲國家發(fā)明一等獎和中國科學院自然科學、科技進步等14項獎勵，發(fā)表文章200多篇，培養(yǎng)博士生30多名，2003年被評為上海浦東開發(fā)建設杰出人才，2008年被國際半導體設備材料協(xié)會SEMI授予中國半導體產(chǎn)業(yè)開拓獎。

鄒世昌 - 簡歷

1931年7月27日 出生于上海市。

1949-1950年 在上海中國紡織工學院學習。

1950-1952年 在北方交通大學唐山工學院學習。

1952-1953年 任中國科學院上海冶金陶瓷研究所研究實習員。

1953-1954年 在北京俄語專修學校學習。

1954-1958年 在莫斯科有色金屬學院學習。

1958-1983年 任中國科學院上海冶金研究所助研、副研究員，室主任、大組長。

1979-1980年 任西德慕尼黑弗朗霍夫?qū)W會固體技術(shù)研究所客座教授。

1983-1997年 任中國科學院上海冶金研究所研究員、所長。

1991年 當選為中國科學院院士。

1997年- 任中國科學院上海冶金研究所研究員。

鄒世昌 - 生平

鄒世昌，1931年7月27日出生于上海市。當他開始懂事的時候，“八一三”戰(zhàn)爭爆發(fā)。目睹日本侵略軍掠奪成性的罪惡行徑，在他幼小的心靈上埋下了痛切的創(chuàng)傷和悲憤的怒火。在十分艱難的條件下，鄒世昌依靠助學金得以繼續(xù)求學，殷切盼望著抗日戰(zhàn)爭的勝利，懂得了國家經(jīng)濟實力強大與科學技術(shù)進步是取得戰(zhàn)爭主動權(quán)的重要因素，中國之所以受侵略與壓迫，國力不強與技術(shù)落后是一個很重要的原因。1945年抗戰(zhàn)勝利，但上海的社會依然是“朱門酒肉臭，路有凍死骨”，人民仍然處于水深火熱之中。當時鄒世昌在格致中學求學，學校老師的薪水低得十分可憐，連生計都成問題，要靠典當過日子。夢想的破滅使鄒世昌又悟出了一個道理，中華民族要走上康莊大道，必須建立一個由人民當家作主的國家和政權(quán)。

1949年初，鄒世昌從上海格致中學畢業(yè)后考入了由申新紗廠創(chuàng)辦的中國紡織工學院，從該校畢業(yè)后可以直接進入申新所屬工廠就業(yè)。上海解放以后，鄒世昌開始接觸新的思想，迫切追求進步，萌生了要投身到國家經(jīng)濟建設高潮中去的決心。于是決定舍近求遠，轉(zhuǎn)學北方交通大學冶金工程系，這是鄒世昌應國家建設與重工業(yè)發(fā)展的需要作出的一次重新選擇。1952年從北方交通大學畢業(yè)，有幸地成為新中國培養(yǎng)的第一批大學生并被分配到中國科學院上海冶金研究所，開始了自己科學研究的生涯。1954-1958年他在莫斯科有色金屬學院學習并獲副博士學位。

60年代初，由于蘇聯(lián)撕毀協(xié)議，國家要冶金所聯(lián)合國內(nèi)有關(guān)單位承擔一項由周恩來總理親自關(guān)注的用于制備濃縮鈾的甲種分離膜項目，抽調(diào)副所長吳自良兼任這個研究室的主任，當時已是研究室主任的鄒世昌擔任該室工藝大組的組長。在任務緊急、資料匱乏、國外封鎖等一系列困難面前，夜以繼日，奮力拼搏，終于研制成功性能完全合格的甲種分離膜，并立即投入了生產(chǎn)，為發(fā)展中國的原子能工業(yè)作出了重要的貢獻。從70年代起。鄒世昌開展離子束材料改性、合成、加工與分析的研究工作，研究了離子束與固體相互作用的物理過程，發(fā)展了一系列新技術(shù)，創(chuàng)建了離子束開放實驗室。鄒世昌于70年代初起就從事半導體材料與器件的研究，由于種種原因，一直到90年代中期中國尚未建立起規(guī)模生產(chǎn)的半導體集成電路產(chǎn)業(yè)，比起步晚的國家和地區(qū)還落后了一大截。他抱著不甘落后、奮發(fā)圖強的決心，在卸任研究所所長以后，又接受委任投身到在上海浦東建設中國微電子產(chǎn)業(yè)的高潮中。

面對國外優(yōu)厚的物質(zhì)待遇和工作條件，鄒世昌心地坦然，絕不留戀，他認為祖國再窮也是我們自己的，改變她的落后面貌，正是我們的責任。回顧自己的經(jīng)歷，鄒世昌慶幸自己在好的學校中得到了嚴格的訓練與教育，出了校門又投身到嚴師的門下，老一輩科學家的獻身精神和言傳身教促使他沿著正確的軌道健康成長。隨著時間的推移，鄒世昌也被推上了領(lǐng)導科研工作和培養(yǎng)青年科技人員的崗位，他深感自己對年輕一代科技人員所負的責任，決心盡快將自己多年積累的知識與經(jīng)驗傳授給他們，幫助他們走上為祖國科技事業(yè)而奮斗的軌道。

是上海交通大學陳進“漢芯”參與鑒定的四位知名專家學者之一，2006年5月12日,上海交通大學證實漢芯造假�！皾h芯”騙取中國政府巨額科研經(jīng)費。

鄒世昌 - 離子束技術(shù)

20世紀70年代初，經(jīng)受過“文化大革命”批判的鄒世昌回到了研究工作崗位，此時他的研究領(lǐng)域已轉(zhuǎn)到研究離子束與固體材料的相互作用及其在半導體材料與器件方面的應用。當時“文化大革命”還在繼續(xù)，能用的設備是國內(nèi)制造的第一臺20萬電子伏特能量離子注入機，性能很不穩(wěn)定。鄒世昌先參加了CMOS集成電路（電子手表分頻器）閾值電壓控制的后期部分工作，這是在中國首次將離子注入應用于半導體集成電路。1974 年與上海原子核研究所合作在該離子注入機上配置束流準直器及精密定角器，建立了背散射能譜測量及溝道效應分析系統(tǒng)，應用于離子注入半導體的表面層組分濃度分布的測定、晶格損傷的分析以及摻雜原子晶格定位，于1975年完成了氖離子背面注入損傷吸收硅中重雜質(zhì)以改善p-n結(jié)反向漏電特性的研究工作。同年9月，鄒世昌在西德卡爾斯魯厄“離子束表面分析”國際學術(shù)會議上發(fā)表了這篇論文，引起國際同行好評。令他們十分驚訝的是國際上一般都要用百萬以上電子伏特能量加速器及精密儀器進行的實驗，中國竟在自制的設備上完成了。這是中國第一篇在國際學術(shù)界發(fā)表的利用離子背散射能譜分析開展半導體研究的論文。1978年又與上海光機所合作在國內(nèi)率先開展了半導體激光退火的研究工作。在建立了上述技術(shù)的基礎(chǔ)上，鄒世昌領(lǐng)導的離子束實驗室對離子束與固體材料的相互作用進行了系統(tǒng)的研究并應用于材料的改性、合成、加工、分析，陸續(xù)完成了以下一些研究工作。

（1）半導體離子注入：研究了離子注入硅的損傷及其退火行為，獨創(chuàng)性地提出了用二氧化碳激光從背面照射對離子注入半導體進行退火及合金化的新方法，這項工作獲中國科學院1982年重大科技成果二等獎。研究了用雙離子注入的辦法在磷化銦中得到了最高的載流子濃度及摻雜電激活率，并用全離子注入技術(shù)率先研制出國內(nèi)第一塊120門砷化鎵門陣列電路和高速分頻器，獲中國科學院1990年科技進步獎一等獎。

（2）SOI技術(shù)：對SOI技術(shù)進行了系統(tǒng)的研究，用離子注入和激光再結(jié)晶方法合成了SOI新材料。解決了激光再結(jié)晶SOI 材料適于制作電路的表面質(zhì)量問題，獲得一項發(fā)明專利。在深入分析SOI材料光學效應的基礎(chǔ)上，提出了一套非破壞性的表征技術(shù)，進而研制成功新型的CMOS/SOI電路。該項目獲中國科學院1990年自然科學獎二等獎。近年來SOI材料已進入實用并將成為21世紀硅集成電路的基礎(chǔ)技術(shù)，說明鄒世昌對這一新研究領(lǐng)域的高瞻遠矚。

（3）離子束微細加工：研究了低能離子束轟擊材料表面引起的濺射、損傷和貌相變化等物理現(xiàn)象，并用反應離子束微細加工在石英基片上刻蝕出中國第一批實用閃耀全息光柵，閃耀角可控，工藝重復穩(wěn)定，衍射效率大為提高，這是光柵制造技術(shù)的重大突破，獲中國科學院1987年科技進步二等獎與1989年國家科技進步獎三等獎。

（4）離子束增強沉積：負責國家“863高技術(shù)材料領(lǐng)域材料表面優(yōu)化”專題，建立并掌握了可控、可預置和可重復的離子束增強沉積技術(shù)，合成了與基體有很強粘附力，低摩擦系數(shù)和高耐磨性的氮化硅、氮化鈦薄膜。

由于這些成績，鄒世昌被選為國際離子束領(lǐng)域兩個主要學術(shù)會議（離子注入技術(shù)——IIT和離子束材料改性——IBMM）的國際委員會委員。1989年被評為上海市勞動模范。

鄒世昌 - 重視人才

20世紀80～90年代年輕科技人員流失的問題相當嚴重。鄒世昌十分清楚面臨的資金不足，住房緊張，陳舊的論資排輩思想等等難題。經(jīng)過反復思考，到了90年代初，鄒世昌認為是下決心的時候了。

“人才是關(guān)系到研究所興衰存亡的大問題，一個研究單位的競爭能力，歸根到底取決于科技隊伍的素質(zhì)與水準。作為所長，我在位一天，就要創(chuàng)造一切條件讓年輕人盡快成長起來�！编u世昌終于說話了。他鐵了心，采取超常規(guī)的政策和措施吸引、穩(wěn)定、留住年輕人，于是天平開始向年輕人傾斜。在晉升高級專業(yè)技術(shù)職稱中，至少有20%～30%的比例用于青年科技人員；吸收、選拔他們參加所學術(shù)、學位評定、職稱評審3個委員會和擔任各級領(lǐng)導；出國考察要優(yōu)先考慮年輕人；在住房分配中，青年科技人員的比例不少于20%；對優(yōu)秀青年人才要一事一議，特事特辦，歡迎他們來所；要給青年人壓擔子，要為他們創(chuàng)造脫穎而出的環(huán)境與條件。

為吸引優(yōu)秀的年輕人，他逐個找他們談心，以自己的親身經(jīng)歷進行言傳身教，要求他們把發(fā)展祖國的科技事業(yè)作為自己的責任，同時為他們排憂解難，以真誠之情打動人心。1992年，一位留德博士研究生來信，表示愿學成后回國。鄒世昌親自復信，表示一定盡責安排好回國以后的工作和生活條件。祖國的呼喚，所長的關(guān)懷，使游子回來了。他自己培養(yǎng)的20多名博士碩士中就有一半在國外進修后回國效力，他們以優(yōu)異的業(yè)績晉升為研究員并分別擔任國家重點實驗室、開放實驗室主任，有的已被推上了所長助理、副所長的領(lǐng)導崗位。

鄒世昌是一個視事業(yè)為第一生命的人。他愛祖國、愛人民，愛干了大半輩子的科學研究事業(yè)。鄒世昌在一則自述中深情地寫上了這么一段：“我出生于這塊飽經(jīng)蹂躪侵略、貧窮落后的土地上，我的命運就和祖國的前途緊緊相連，我的歷史責任是要竭盡全力去改變她的面貌，建設一個繁榮昌盛、科技發(fā)達的新中國”，這是鄒世昌在科學事業(yè)上拼搏奮進50載的心路歷程和真實寫照。

鄒世昌獲國家級、中國科學院和上海市自然科學獎、科技進步獎、發(fā)明獎等共14項，發(fā)表論文200多篇，是國際“離子注入”及“材料改性”兩個學術(shù)會議的國際委員會委員。另外，他在1986年當選為中國共產(chǎn)黨上海市第五屆委員會候補委員，1992年當選為中國共產(chǎn)黨第十四屆中央委員會候補委員�，F(xiàn)任中國科學院上海冶金研究所研究員、博士生導師；上海華虹集團公司董事，上海華虹NEC電子有限公司、上海華虹集成電路有限公司、上海新康電子有限公司副董事長，上海眾華電子有限公司董事長；上海市集成電路行業(yè)協(xié)會理事長；上海浦東新區(qū)科學技術(shù)協(xié)會主席。