鄭有炓 - 個(gè)人簡(jiǎn)介

鄭有炓，1935年9月生，籍貫福建大田，1957年南京大學(xué)物理系(北京大學(xué)等五校聯(lián)合半導(dǎo)體專業(yè))畢業(yè)。1984—1

986年美國(guó)紐約州立大學(xué)(布法羅)訪問(wèn)教授。先后11次赴美、德希臘、荷蘭等國(guó)參加國(guó)際學(xué)術(shù)交流活動(dòng)和訪問(wèn)。現(xiàn)任南京大學(xué)物理系教授、博士生導(dǎo)師，中國(guó)科學(xué)院院士，國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃信息科學(xué)領(lǐng)域?qū)＜易稍兘M成員、國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部專家咨詢委員會(huì)委員。長(zhǎng)期致力于新型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件物理研究，領(lǐng)導(dǎo)創(chuàng)建半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究實(shí)驗(yàn)室,主持多項(xiàng)國(guó)家重大科研任務(wù),迄今發(fā)表論文356篇,SCI收錄155篇，SCI引用論文437篇。在南大培養(yǎng)造就了一支輕學(xué)術(shù)梯隊(duì)，教授博導(dǎo)6人(包括長(zhǎng)江特聘教授1人)，獲國(guó)家杰出青年基金3人，獲“2001年全國(guó)優(yōu)秀博士學(xué)位論文獎(jiǎng)”1人。

鄭有炓 - 人物新聞

2006年5月15日，由深圳中國(guó)科學(xué)院院士活動(dòng)基地和深圳市教育局共同組織，在深圳市電子技術(shù)學(xué)校舉辦了院士報(bào)告會(huì)。邀請(qǐng)中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)物理系鄭有炓教授以“當(dāng)代信息高科技的挑戰(zhàn)”為主題作了專題報(bào)告。深圳市電子技術(shù)學(xué)校院副院長(zhǎng)歐陽(yáng)文偉主持報(bào)告會(huì)，電子技術(shù)學(xué)校全體教師及優(yōu)秀學(xué)生代表200余人聆聽(tīng)了報(bào)告。

鄭有炓院士的報(bào)告，從三個(gè)部分深入淺出的介紹了”當(dāng)前飛速發(fā)展的信息高科技、信息化與信息社會(huì)的內(nèi)涵及如何面對(duì)當(dāng)代信息高科技的挑戰(zhàn)”。鄭院士還闡述了“百年電子技術(shù)發(fā)展史到微電子學(xué)，計(jì)算機(jī)誕生，光通信技術(shù)，微波無(wú)線通信及顯示與照明技術(shù)”等。鄭院士指出，面對(duì)當(dāng)今的知識(shí)經(jīng)濟(jì)，高技術(shù)蓬勃發(fā)展的信息社會(huì)時(shí)代，科技發(fā)展日新月異，知識(shí)更新周期越來(lái)越短。我們必須努力培養(yǎng)提高自已的科技素質(zhì)，樹(shù)立正確地世界觀，科學(xué)發(fā)展觀和嚴(yán)謹(jǐn)，求實(shí)的科學(xué)精神。
放眼高科技蓬勃發(fā)展的信息社會(huì)，學(xué)好基礎(chǔ)知識(shí)，勇于參加科學(xué)實(shí)踐，一步一個(gè)腳印，為中華民族的偉大復(fù)興，為早日進(jìn)入小康社會(huì)作出貢獻(xiàn)。
鄭院士用生動(dòng)實(shí)翔的例子，將一個(gè)一個(gè)深?yuàn)W的科學(xué)理論和技術(shù)講得十分通俗易懂，臺(tái)下觀眾不時(shí)報(bào)以熱烈的掌聲。

2008年6月18日，中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)物理系鄭有炓教授和中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科技大學(xué)物理系俞昌旋教授應(yīng)邀蒞臨我院訪問(wèn)和指導(dǎo)工作。醫(yī)學(xué)光電科學(xué)與技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)常務(wù)副主任謝樹(shù)森教授、翁祖雄書記、陳榮副院長(zhǎng)和李步洪副院長(zhǎng)等向來(lái)訪的兩位院士簡(jiǎn)要匯報(bào)了我院在重點(diǎn)學(xué)科、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和學(xué)位點(diǎn)建設(shè)，以及人才培養(yǎng)和引進(jìn)等方面情況。接著，兩位院士饒有興趣地參觀了教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，他們對(duì)實(shí)驗(yàn)室近年來(lái)所取得的成績(jī)給予了高度的評(píng)價(jià)，同時(shí)也對(duì)實(shí)驗(yàn)室今后的發(fā)展提出了建設(shè)性的意見(jiàn)。

鄭有炓 - 事跡報(bào)告

憑著吃苦耐勞的精神和對(duì)科學(xué)的向往，鄭有炓從閩南山區(qū)考到了金陵古都，就讀于南京大學(xué)物理系。1956年，國(guó)家出臺(tái)“十二年科學(xué)遠(yuǎn)景規(guī)劃”，致力于發(fā)展半導(dǎo)體、原子能、計(jì)算機(jī)等新科學(xué)技術(shù)，因此北大、南大、復(fù)旦等五所高校聯(lián)合舉辦半導(dǎo)體專業(yè)，大學(xué)三年級(jí)的他被選拔到北大讀書。畢業(yè)后，又在中國(guó)科學(xué)院進(jìn)修了一年。

1958年，鄭有炓和幾位同事回到南京大學(xué)，在吳汝麟、熊子舤兩位老教授的帶領(lǐng)下，努力創(chuàng)辦物理系半導(dǎo)體專

業(yè)。四十多年來(lái)，他的生命軌跡就和南大半(下轉(zhuǎn)第四版)(上接第一版)導(dǎo)體專業(yè)的發(fā)展緊緊交織在一起。
多年來(lái)雖然國(guó)家一直倡導(dǎo)半導(dǎo)體研究，但真正與國(guó)際接軌一直到了改革開(kāi)放以后。從80年代初開(kāi)始，鄭有炓致力于新型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件研究。1984年，他獲得一個(gè)機(jī)會(huì)到美國(guó)紐約州立大學(xué)（布法羅）任訪問(wèn)學(xué)者，開(kāi)始進(jìn)行半導(dǎo)體科學(xué)前沿高科技研究，使他開(kāi)闊了視野�；貒�(guó)后，經(jīng)過(guò)和同事、學(xué)生的多方討論，他決定開(kāi)展國(guó)際上剛剛萌芽的鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料研究。

轉(zhuǎn)向高技術(shù)領(lǐng)域，當(dāng)然離不開(kāi)高精尖的儀器設(shè)備。80年代國(guó)家科研經(jīng)費(fèi)短缺，雖然國(guó)外有好的設(shè)備，當(dāng)時(shí)就值100多萬(wàn)美元，加上巨額的運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)，買不起也用不起。面對(duì)幾乎一窮二白的硬件條件，憑借創(chuàng)新的點(diǎn)子和一腔熱情，科研工作硬是拉開(kāi)了序幕。鄭有炓和年青教師、學(xué)生一起，總結(jié)當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體所用的新技術(shù)，發(fā)展了鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料光輻射加熱超低壓CVD生長(zhǎng)方法，自己設(shè)計(jì)、利用南京工廠的加工條件，竟然用超低的十多萬(wàn)元經(jīng)費(fèi)，研制出一套計(jì)算機(jī)控制的生長(zhǎng)設(shè)備，制備出優(yōu)質(zhì)鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。
事實(shí)證明，鄭先生當(dāng)初的決斷是正確的，十多年過(guò)去了，鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料依然是當(dāng)前半導(dǎo)體研發(fā)的熱點(diǎn)。

科研工作首戰(zhàn)告捷，鄭有炓信心更足了。他緊抓住半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)發(fā)展的前沿?zé)狳c(diǎn)，既有重要的科學(xué)意義，又有技術(shù)應(yīng)用價(jià)值。結(jié)合承擔(dān)的國(guó)家863計(jì)劃、攀登計(jì)劃、973項(xiàng)目及國(guó)家自然科學(xué)基金等科研任務(wù)，他帶領(lǐng)研究組師生開(kāi)展一系列研究，在鍺硅、Ⅲ族氮化物和氧化鋅寬帶隙半導(dǎo)體研究領(lǐng)域里，支撐起一片屬于南大、屬于中國(guó)的天地。在鍺硅、Ⅲ族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究中，發(fā)展了生長(zhǎng)鍺硅、Ⅲ族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的新方法、新技術(shù)，從極化能帶級(jí)帶工程出發(fā)，創(chuàng)新發(fā)展了多種新器件；提出并實(shí)現(xiàn)了鐵電體/氮化鎵、鐵磁體/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)新體系；發(fā)現(xiàn)鍺硅合金應(yīng)變誘導(dǎo)有序化新結(jié)構(gòu)，提出新模型；揭示Ⅲ族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)極化、二維電子氣及其相關(guān)性質(zhì)，觀測(cè)到碲化鎘/銻化銦異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣及占據(jù)子帶規(guī)律，開(kāi)拓Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ族異質(zhì)體系二維電子氣研究領(lǐng)域；提出基于鍺硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)二氧化硅/硅界面量子限制硅納米結(jié)構(gòu)。

在開(kāi)展科學(xué)研究的同時(shí)，鄭有炓從未間斷過(guò)教書育人的工作。他相信只有培養(yǎng)更多的青年英才，才會(huì)使科學(xué)研究薪火相傳。十多年來(lái)，他努力建立起一支學(xué)術(shù)梯隊(duì)。培養(yǎng)年輕教授6人，包括長(zhǎng)江特聘教授1人，博導(dǎo)6人，國(guó)家杰出青年基金3人，培養(yǎng)了一大批碩士生、博士生，其中1人獲2001年全國(guó)優(yōu)秀博士學(xué)位論文獎(jiǎng)。他本人則多次獲江蘇省“優(yōu)秀學(xué)科帶頭人”、“優(yōu)秀高校教師”和“優(yōu)秀科學(xué)工作者”榮譽(yù)。

鄭有炓形容他們的研究組就像一個(gè)平等的大家庭，倡導(dǎo)的是科學(xué)民主的氛圍，他說(shuō)：“我在科研中把握好前沿方向，剩下的，就要充分調(diào)動(dòng)年輕人的積極性�！�

鄭有炓待人一向很客氣，那么多年，沒(méi)有跟別人紅過(guò)臉。即使對(duì)學(xué)生，他也抱著尊重愛(ài)護(hù)的態(tài)度。
學(xué)生遇到實(shí)驗(yàn)事故，把儀器燒壞了。鄭有炓安慰他們：“不用怕。工作就要大膽去做，把儀器抱在懷里，怎么出成果？”

學(xué)生出國(guó)深造了，他總是高高興興地送他們走。鄭有炓說(shuō)：“我主張他們多出去看看�，F(xiàn)在國(guó)內(nèi)科研有經(jīng)費(fèi)，有奔頭，不比國(guó)外差，我安心地放飛，他們回來(lái)會(huì)發(fā)揮更大作用”。事實(shí)證明，他的研究組年輕教師如愿地個(gè)個(gè)成為學(xué)術(shù)骨干，成為敢于和善于攀登科技高峰的闖將。

愛(ài)人者，人恒愛(ài)之。前幾天公布新增院士評(píng)選結(jié)果時(shí)，遠(yuǎn)在異國(guó)他鄉(xiāng)的學(xué)生們紛紛發(fā)來(lái)了賀信賀電。在瑞典皇家工學(xué)院工作的王永賓同學(xué)最早發(fā)來(lái)了賀信，并在EMAL中發(fā)來(lái)了78級(jí)半導(dǎo)體專業(yè)畢業(yè)生精心制作的賀卡。望著賀卡中學(xué)生們一張張今昔對(duì)應(yīng)的臉龐，鄭有炓由衷地感到了一種幸福！

“我喜歡物理�！蹦晟贂r(shí)的興趣使鄭有炓走上了科研道路。然如果沒(méi)有過(guò)人的毅力，這條科研之路不會(huì)走得那么遠(yuǎn)。文革期間，他被下放到溧陽(yáng)，在半導(dǎo)體工廠車間工作。他感到很“幸運(yùn)”：“好了，總算搭著專業(yè)的邊，還可以訓(xùn)練動(dòng)手能力�！�

在美國(guó)任訪問(wèn)學(xué)者期間，他全力以赴地?fù)湓诳蒲猩�，以至有同學(xué)不解地問(wèn)：“鄭老師，你都是教授了，怎么還跟學(xué)生那樣一天到晚鉆在實(shí)驗(yàn)室呢？”

回國(guó)自己搞科研，還要教學(xué)，為了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，常常幾天幾夜不睡覺(jué)，從實(shí)驗(yàn)室里出來(lái)喘口氣，再晚也得把明天上課的教案?jìng)浜谩?/p>

歲至晚年，他還堅(jiān)持學(xué)會(huì)了使用電腦，學(xué)術(shù)報(bào)告、科研論文，都是自己編排打印完成。

屈指算來(lái)，鄭先生也已年近古稀，身邊的老同事早一一退休了。68歲當(dāng)選院士，一個(gè)新的人生平臺(tái)又展現(xiàn)在眼前。鄭先生動(dòng)情地說(shuō)：“感謝多年來(lái)學(xué)校和課題組的支持，我會(huì)繼續(xù)發(fā)揮我的能量，為學(xué)校發(fā)展獻(xiàn)計(jì)獻(xiàn)策，為我們的課題組多作一些貢獻(xiàn)�！�

面對(duì)這樣一位慈祥智慧、藹如春風(fēng)的長(zhǎng)者，我想，誰(shuí)都會(huì)衷心祝福他——愿先生一曲晚唱更動(dòng)人！

鄭有炓 - 學(xué)術(shù)論文

1、測(cè)量MOS結(jié)構(gòu)界面特性的變頻C-V法，南京大學(xué)學(xué)報(bào)，vol.26,no.2,212,1990
2、測(cè)量金屬－半導(dǎo)體界面態(tài)的肖特基電容譜技術(shù)，電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào)，vol.3,no.1,12,1989
3、GaInAs/Al2O3的界面研究，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，vol.10,no.10,1989
4、N-溝增強(qiáng)型InPMISFET研究，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，vol.9,no.3,1988
5、導(dǎo)電聚合物P3MT的熒光譜，物理學(xué)報(bào)，vol.37,no.3,1988
6、聚乙炔半導(dǎo)體熱激電流譜研究，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，vol.9,no.6,1988
7、計(jì)算機(jī)控制和處理的深能級(jí)瞬態(tài)譜研究，電子學(xué)保，vol.16,no.4,1988
8、GaInAs/InP異質(zhì)結(jié)二維電子氣，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，vol.8,no.5,1987
9、PECVDSiO2-InPMIS結(jié)構(gòu)研究，固態(tài)電子學(xué)研究與進(jìn)展，vol.7,no.3,1987
10、注硅InP的包封與無(wú)包封熱退火，固態(tài)電子系研究與進(jìn)展，vol.7,no.1,1987
11、SiO2/InPMIS結(jié)構(gòu)界面態(tài)和體深能級(jí)研究，南京大學(xué)學(xué)報(bào)，vol.22,no.4,1986
12、PECVDSiO2/InP結(jié)構(gòu)的AES和XPS分析，南京大學(xué)學(xué)報(bào)，vol.22,no.4,1986
13、分子束外延生長(zhǎng)CdTe/InSb異質(zhì)結(jié)輸運(yùn)性質(zhì)研究，半導(dǎo)體物理與教學(xué)，p.209，1986
14、用橢偏光學(xué)方法研究GeSi超晶格結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，1992
15、GaAs/Si異質(zhì)外延的新進(jìn)展，，vol.11,no.4,324,1991
16、GeSi/Si異質(zhì)界哦故的近紅外吸收光譜測(cè)量，半導(dǎo)體光電，vol.12,no.4,399,1991
17、RRH/VLP-CVD低溫外延硅薄膜電學(xué)性質(zhì)，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，vol.12,no.7,1991
18、用橢偏光學(xué)方法研究GexSi1-x/Si超晶格結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，1992
19、Ga0.47In0.53As/SiO2與Ga0.47In0.53As/Al2O3的界面性質(zhì)，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，vol.10,no.10,1989
20、PhononPartic:pationinthelightemissionprocessofPorousGeSilayer,Chinesephys.Lett.,vol.10,no.5,1993
21.、hestructureandpropertyofSiGe/Siquantumwells,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
22、RamanscatteringspectroscotyofGeSi/Sistrainedlayersuperlattice,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
23、NovelPhotocurrentResponefoaporoussilicon,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
24、PhaseformationandGesegregationinthethremalreactionbetweenPtandGeSi/SiHetewostructure,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
25、鍺硅基區(qū)異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(GeSi-HBT)的研制，固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，vol.12,no.4,1992
26、鍺硅應(yīng)變層超晶格生長(zhǎng)研究，物理學(xué)進(jìn)展，no.1,1993
27、SiGe/Si應(yīng)變層超晶格量子阱微結(jié)構(gòu)材料的生長(zhǎng)與摻雜技術(shù)，鍺硅應(yīng)變層超晶格材料與器件應(yīng)用（國(guó)家科委信息領(lǐng)域辦，863光電子主題專家組出版）
28、SiGe/Si應(yīng)變層超晶格量子阱材料的優(yōu)化設(shè)計(jì)及新器件的發(fā)展展望，鍺硅應(yīng)變層超晶格材料與器件應(yīng)用（國(guó)家科委信息領(lǐng)域辦，863光電子主題專家組出版）
29、StudyofGemovementduringthermalreactionsbetweenPtandGe/Siheterostructures,Appl.phys.lett,vol.62,no.25,1993
30、Si基GaN的微結(jié)構(gòu)表征，光散射學(xué)報(bào).2003,15(4)
31、用MOCVD方法制備的GaN1-xPx三元合金的喇曼與紅外光譜，半導(dǎo)體學(xué)報(bào).2004,25(1)
32、耦合雙量子點(diǎn)中基態(tài)電子的隧穿特性，半導(dǎo)體學(xué)報(bào).2004,25(1)
33、p溝道鍺／硅異質(zhì)納米結(jié)構(gòu)MOSFET存儲(chǔ)器及其邏輯陣列，半導(dǎo)體學(xué)報(bào).2004,25(2)
34、InfluenceofPolarizationEffectsontheEnergyBandofAlGaN／GaN／AlGaNHeterostructures,ChinesePhysicsLetters（中國(guó)物理快報(bào)：英文版）.2004,21(4)
35、AlGaN／GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)歐姆接觸的研制，固體電子學(xué)研究與進(jìn)展.2004,24(1)
36、藍(lán)寶石襯底上6H-SiC單晶薄膜的化學(xué)氣相淀積生長(zhǎng)，功能材料.2004,35(2)
37、Zn1-xMgxO薄膜的低壓MOCVD生長(zhǎng)與性質(zhì)，半導(dǎo)體學(xué)報(bào).2004,25(7)
38、ZnO納米島的MOCVD自組裝生長(zhǎng)，半導(dǎo)體學(xué)報(bào).2004,25(7)
39、GaNGrowthwithLow-TemperatureGaNBufferLayersDirectlyonSi（111）byHydrideVapourPhaseEpitaxy,ChinesePhysicsLetters（中國(guó)物理快報(bào)：英文版）.2004,21(9)

鄭有炓 - 科研項(xiàng)目

1、1991-1995，負(fù)責(zé)國(guó)家八六三計(jì)劃項(xiàng)目“GeSi超晶格材料與應(yīng)用”
2、1991-1995，負(fù)責(zé)國(guó)家重大基礎(chǔ)研究項(xiàng)目“GeSi超晶格材料生長(zhǎng)、物性和器件開(kāi)發(fā)”
3、1992-1994，負(fù)責(zé)國(guó)防科工委項(xiàng)目“GeSi紅外探測(cè)器”
4、1992-1994，負(fù)責(zé)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目“GeSi基區(qū)異質(zhì)結(jié)晶體管研究”
5、1991-1995，負(fù)責(zé)省科委項(xiàng)目“GeSi材料與器件研究開(kāi)發(fā)”
6、1991-1992，負(fù)責(zé)省科委項(xiàng)目“新型GeSi紅外探測(cè)器研究”
7、1993-1995，負(fù)責(zé)國(guó)家高技術(shù)863計(jì)劃項(xiàng)目“應(yīng)變層結(jié)構(gòu)GeSi/Si的穩(wěn)定性及其改善對(duì)策研究”
8、1993-1995，負(fù)責(zé)國(guó)家高技術(shù)863計(jì)劃項(xiàng)目“GeSi/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)研究”
9、1993-1995，指導(dǎo)國(guó)家教委博士點(diǎn)基金項(xiàng)目“GeSi/Si超晶格材料表征研究”
10、1993-1995，指導(dǎo)南京大學(xué)基金項(xiàng)目“GeSi/Si超晶格選擇外延研究”
11、1993-1995，負(fù)責(zé)江蘇省科委項(xiàng)目“新型GeSi材料與器件研究開(kāi)發(fā)

鄭有炓 - 科研成果

1、1991.6，“快速輻射加熱，超低壓化學(xué)氣相淀積原子級(jí)外延方法與系統(tǒng)”通過(guò)國(guó)家科委鑒定
2、1990，“半導(dǎo)體界面測(cè)試的變頻C-V技術(shù)”通過(guò)江蘇省科委鑒定
3、1990.1，“一種獲得半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)與超晶格材料的方法及設(shè)備”獲中國(guó)專利局發(fā)明專利，專利號(hào)：90105603.0
4、1990.12.30，“半導(dǎo)體界面態(tài)變頻C-V測(cè)量?jī)x”獲國(guó)家專利，專利號(hào)：90227508
5、1992，“一種獲得低表面分凝Si－GeSi異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)方法”獲國(guó)家專利，專利號(hào)：92109725.5

鄭有炓 - 獲獎(jiǎng)情況

1、1989，“聚合物半導(dǎo)體薄膜及其應(yīng)用的基礎(chǔ)研究”獲江蘇省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)

2、1988，“InP-MIS界面與InP-MIS晶體管研究”獲江蘇省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)
3、1990，“半導(dǎo)體變頻C-V/G-V方法和VFC-1型微機(jī)變頻C-V測(cè)試系統(tǒng)”獲江蘇省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)
4、1991.9，獲江蘇省優(yōu)秀教育工作者獎(jiǎng)
5、1992，獲國(guó)防科工委光華科技基金一等獎(jiǎng)
6、1992，獲國(guó)家科委國(guó)家高技術(shù)八六三計(jì)劃先進(jìn)工作者一等獎(jiǎng)
7、1992，獲江蘇省優(yōu)秀科技工作者稱號(hào)
8、1992，獲國(guó)務(wù)院頒發(fā)政府特殊津貼