鄭有炓 - 個人簡介
鄭有炓，1935年9月生，籍貫福建大田，1957年南京大學(xué)物理系(北京大學(xué)等五校聯(lián)合半導(dǎo)體專業(yè))畢業(yè)。1984—1
986年美國紐約州立大學(xué)(布法羅)訪問教授。先后11次赴美、德希臘、荷蘭等國參加國際學(xué)術(shù)交流活動和訪問�，F(xiàn)任南京大學(xué)物理系教授、博士生導(dǎo)師，中國科學(xué)院院士，國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃信息科學(xué)領(lǐng)域?qū)＜易稍兘M成員、國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部專家咨詢委員會委員。長期致力于新型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件物理研究，領(lǐng)導(dǎo)創(chuàng)建半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究實驗室,主持多項國家重大科研任務(wù),迄今發(fā)表論文356篇,SCI收錄155篇，SCI引用論文437篇。在南大培養(yǎng)造就了一支輕學(xué)術(shù)梯隊，教授博導(dǎo)6人(包括長江特聘教授1人)，獲國家杰出青年基金3人，獲“2001年全國優(yōu)秀博士學(xué)位論文獎”1人。
鄭有炓 - 人物新聞
2006年5月15日，由深圳中國科學(xué)院院士活動基地和深圳市教育局共同組織，在深圳市電子技術(shù)學(xué)校舉辦了院士報告會。邀請中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)物理系鄭有炓教授以“當(dāng)代信息高科技的挑戰(zhàn)”為主題作了專題報告。深圳市電子技術(shù)學(xué)校院副院長歐陽文偉主持報告會，電子技術(shù)學(xué)校全體教師及優(yōu)秀學(xué)生代表200余人聆聽了報告。
鄭有炓院士的報告，從三個部分深入淺出的介紹了”當(dāng)前飛速發(fā)展的信息高科技、信息化與信息社會的內(nèi)涵及如何面對當(dāng)代信息高科技的挑戰(zhàn)”。鄭院士還闡述了“百年電子技術(shù)發(fā)展史到微電子學(xué)，計算機誕生，光通信技術(shù)，微波無線通信及顯示與照明技術(shù)”等。鄭院士指出，面對當(dāng)今的知識經(jīng)濟(jì)，高技術(shù)蓬勃發(fā)展的信息社會時代，科技發(fā)展日新月異，知識更新周期越來越短。我們必須努力培養(yǎng)提高自已的科技素質(zhì)，樹立正確地世界觀，科學(xué)發(fā)展觀和嚴(yán)謹(jǐn)，求實的科學(xué)精神。
放眼高科技蓬勃發(fā)展的信息社會，學(xué)好基礎(chǔ)知識，勇于參加科學(xué)實踐，一步一個腳印，為中華民族的偉大復(fù)興，為早日進(jìn)入小康社會作出貢獻(xiàn)。
鄭院士用生動實翔的例子，將一個一個深奧的科學(xué)理論和技術(shù)講得十分通俗易懂，臺下觀眾不時報以熱烈的掌聲。
2008年6月18日，中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)物理系鄭有炓教授和中國科學(xué)院院士、中國科技大學(xué)物理系俞昌旋教授應(yīng)邀蒞臨我院訪問和指導(dǎo)工作。醫(yī)學(xué)光電科學(xué)與技術(shù)教育部重點實驗室學(xué)術(shù)委員會常務(wù)副主任謝樹森教授、翁祖雄書記、陳榮副院長和李步洪副院長等向來訪的兩位院士簡要匯報了我院在重點學(xué)科、重點實驗室和學(xué)位點建設(shè)，以及人才培養(yǎng)和引進(jìn)等方面情況。接著，兩位院士饒有興趣地參觀了教育部重點實驗室，他們對實驗室近年來所取得的成績給予了高度的評價，同時也對實驗室今后的發(fā)展提出了建設(shè)性的意見。
鄭有炓 - 事跡報告
憑著吃苦耐勞的精神和對科學(xué)的向往，鄭有炓從閩南山區(qū)考到了金陵古都，就讀于南京大學(xué)物理系。1956年，國家出臺“十二年科學(xué)遠(yuǎn)景規(guī)劃”，致力于發(fā)展半導(dǎo)體、原子能、計算機等新科學(xué)技術(shù)，因此北大、南大、復(fù)旦等五所高校聯(lián)合舉辦半導(dǎo)體專業(yè)，大學(xué)三年級的他被選拔到北大讀書。畢業(yè)后，又在中國科學(xué)院進(jìn)修了一年。
1958年，鄭有炓和幾位同事回到南京大學(xué)，在吳汝麟、熊子舤兩位老教授的帶領(lǐng)下，努力創(chuàng)辦物理系半導(dǎo)體專
業(yè)。四十多年來，他的生命軌跡就和南大半(下轉(zhuǎn)第四版)(上接第一版)導(dǎo)體專業(yè)的發(fā)展緊緊交織在一起。
多年來雖然國家一直倡導(dǎo)半導(dǎo)體研究，但真正與國際接軌一直到了改革開放以后。從80年代初開始，鄭有炓致力于新型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件研究。1984年，他獲得一個機會到美國紐約州立大學(xué)（布法羅）任訪問學(xué)者，開始進(jìn)行半導(dǎo)體科學(xué)前沿高科技研究，使他開闊了視野�；貒�，經(jīng)過和同事、學(xué)生的多方討論，他決定開展國際上剛剛萌芽的鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料研究。
轉(zhuǎn)向高技術(shù)領(lǐng)域，當(dāng)然離不開高精尖的儀器設(shè)備。80年代國家科研經(jīng)費短缺，雖然國外有好的設(shè)備，當(dāng)時就值100多萬美元，加上巨額的運轉(zhuǎn)費，買不起也用不起。面對幾乎一窮二白的硬件條件，憑借創(chuàng)新的點子和一腔熱情，科研工作硬是拉開了序幕。鄭有炓和年青教師、學(xué)生一起，總結(jié)當(dāng)時半導(dǎo)體所用的新技術(shù)，發(fā)展了鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料光輻射加熱超低壓CVD生長方法，自己設(shè)計、利用南京工廠的加工條件，竟然用超低的十多萬元經(jīng)費，研制出一套計算機控制的生長設(shè)備，制備出優(yōu)質(zhì)鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。
事實證明，鄭先生當(dāng)初的決斷是正確的，十多年過去了，鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料依然是當(dāng)前半導(dǎo)體研發(fā)的熱點。
科研工作首戰(zhàn)告捷，鄭有炓信心更足了。他緊抓住半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)發(fā)展的前沿?zé)狳c，既有重要的科學(xué)意義，又有技術(shù)應(yīng)用價值。結(jié)合承擔(dān)的國家863計劃、攀登計劃、973項目及國家自然科學(xué)基金等科研任務(wù)，他帶領(lǐng)研究組師生開展一系列研究，在鍺硅、Ⅲ族氮化物和氧化鋅寬帶隙半導(dǎo)體研究領(lǐng)域里，支撐起一片屬于南大、屬于中國的天地。在鍺硅、Ⅲ族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究中，發(fā)展了生長鍺硅、Ⅲ族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的新方法、新技術(shù)，從極化能帶級帶工程出發(fā)，創(chuàng)新發(fā)展了多種新器件；提出并實現(xiàn)了鐵電體/氮化鎵、鐵磁體/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)新體系；發(fā)現(xiàn)鍺硅合金應(yīng)變誘導(dǎo)有序化新結(jié)構(gòu)，提出新模型；揭示Ⅲ族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)極化、二維電子氣及其相關(guān)性質(zhì)，觀測到碲化鎘/銻化銦異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣及占據(jù)子帶規(guī)律，開拓Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ族異質(zhì)體系二維電子氣研究領(lǐng)域；提出基于鍺硅技術(shù)實現(xiàn)二氧化硅/硅界面量子限制硅納米結(jié)構(gòu)。
在開展科學(xué)研究的同時，鄭有炓從未間斷過教書育人的工作。他相信只有培養(yǎng)更多的青年英才，才會使科學(xué)研究薪火相傳。十多年來，他努力建立起一支學(xué)術(shù)梯隊。培養(yǎng)年輕教授6人，包括長江特聘教授1人，博導(dǎo)6人，國家杰出青年基金3人，培養(yǎng)了一大批碩士生、博士生，其中1人獲2001年全國優(yōu)秀博士學(xué)位論文獎。他本人則多次獲江蘇省“優(yōu)秀學(xué)科帶頭人”、“優(yōu)秀高校教師”和“優(yōu)秀科學(xué)工作者”榮譽。
鄭有炓形容他們的研究組就像一個平等的大家庭，倡導(dǎo)的是科學(xué)民主的氛圍，他說：“我在科研中把握好前沿方向，剩下的，就要充分調(diào)動年輕人的積極性�！�
鄭有炓待人一向很客氣，那么多年，沒有跟別人紅過臉。即使對學(xué)生，他也抱著尊重愛護(hù)的態(tài)度。
學(xué)生遇到實驗事故，把儀器燒壞了。鄭有炓安慰他們：“不用怕。工作就要大膽去做，把儀器抱在懷里，怎么出成果？”
學(xué)生出國深造了，他總是高高興興地送他們走。鄭有炓說：“我主張他們多出去看看。現(xiàn)在國內(nèi)科研有經(jīng)費，有奔頭，不比國外差，我安心地放飛，他們回來會發(fā)揮更大作用”。事實證明，他的研究組年輕教師如愿地個個成為學(xué)術(shù)骨干，成為敢于和善于攀登科技高峰的闖將。
愛人者，人恒愛之。前幾天公布新增院士評選結(jié)果時，遠(yuǎn)在異國他鄉(xiāng)的學(xué)生們紛紛發(fā)來了賀信賀電。在瑞典皇家工學(xué)院工作的王永賓同學(xué)最早發(fā)來了賀信，并在EMAL中發(fā)來了78級半導(dǎo)體專業(yè)畢業(yè)生精心制作的賀卡。望著賀卡中學(xué)生們一張張今昔對應(yīng)的臉龐，鄭有炓由衷地感到了一種幸福！
“我喜歡物理�！蹦晟贂r的興趣使鄭有炓走上了科研道路。然如果沒有過人的毅力，這條科研之路不會走得那么遠(yuǎn)。文革期間，他被下放到溧陽，在半導(dǎo)體工廠車間工作。他感到很“幸運”：“好了，總算搭著專業(yè)的邊，還可以訓(xùn)練動手能力�！�
在美國任訪問學(xué)者期間，他全力以赴地?fù)湓诳蒲猩希灾劣型瑢W(xué)不解地問：“鄭老師，你都是教授了，怎么還跟學(xué)生那樣一天到晚鉆在實驗室呢？”
回國自己搞科研，還要教學(xué)，為了實驗數(shù)據(jù)，常常幾天幾夜不睡覺，從實驗室里出來喘口氣，再晚也得把明天上課的教案備好。
歲至晚年，他還堅持學(xué)會了使用電腦，學(xué)術(shù)報告、科研論文，都是自己編排打印完成。
屈指算來，鄭先生也已年近古稀，身邊的老同事早一一退休了。68歲當(dāng)選院士，一個新的人生平臺又展現(xiàn)在眼前。鄭先生動情地說：“感謝多年來學(xué)校和課題組的支持，我會繼續(xù)發(fā)揮我的能量，為學(xué)校發(fā)展獻(xiàn)計獻(xiàn)策，為我們的課題組多作一些貢獻(xiàn)�！�
面對這樣一位慈祥智慧、藹如春風(fēng)的長者，我想，誰都會衷心祝福他——愿先生一曲晚唱更動人！
鄭有炓 - 學(xué)術(shù)論文
1、測量MOS結(jié)構(gòu)界面特性的變頻C-V法，南京大學(xué)學(xué)報，vol.26,no.2,212,19902、測量金屬－半導(dǎo)體界面態(tài)的肖特基電容譜技術(shù)，電子測量與儀器學(xué)報，vol.3,no.1,12,1989
3、GaInAs/Al2O3的界面研究，半導(dǎo)體學(xué)報，vol.10,no.10,1989
4、N-溝增強型InPMISFET研究，半導(dǎo)體學(xué)報，vol.9,no.3,1988
5、導(dǎo)電聚合物P3MT的熒光譜，物理學(xué)報，vol.37,no.3,1988
6、聚乙炔半導(dǎo)體熱激電流譜研究，半導(dǎo)體學(xué)報，vol.9,no.6,1988
7、計算機控制和處理的深能級瞬態(tài)譜研究，電子學(xué)保，vol.16,no.4,1988
8、GaInAs/InP異質(zhì)結(jié)二維電子氣，半導(dǎo)體學(xué)報，vol.8,no.5,1987
9、PECVDSiO2-InPMIS結(jié)構(gòu)研究，固態(tài)電子學(xué)研究與進(jìn)展，vol.7,no.3,1987
10、注硅InP的包封與無包封熱退火，固態(tài)電子系研究與進(jìn)展，vol.7,no.1,1987
11、SiO2/InPMIS結(jié)構(gòu)界面態(tài)和體深能級研究，南京大學(xué)學(xué)報，vol.22,no.4,1986
12、PECVDSiO2/InP結(jié)構(gòu)的AES和XPS分析，南京大學(xué)學(xué)報，vol.22,no.4,1986
13、分子束外延生長CdTe/InSb異質(zhì)結(jié)輸運性質(zhì)研究，半導(dǎo)體物理與教學(xué)，p.209，1986
14、用橢偏光學(xué)方法研究GeSi超晶格結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體學(xué)報，1992
15、GaAs/Si異質(zhì)外延的新進(jìn)展，，vol.11,no.4,324,1991
16、GeSi/Si異質(zhì)界哦故的近紅外吸收光譜測量，半導(dǎo)體光電，vol.12,no.4,399,1991
17、RRH/VLP-CVD低溫外延硅薄膜電學(xué)性質(zhì)，半導(dǎo)體學(xué)報，vol.12,no.7,1991
18、用橢偏光學(xué)方法研究GexSi1-x/Si超晶格結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體學(xué)報，1992
19、Ga0.47In0.53As/SiO2與Ga0.47In0.53As/Al2O3的界面性質(zhì)，半導(dǎo)體學(xué)報，vol.10,no.10,1989
20、PhononPartic:pationinthelightemissionprocessofPorousGeSilayer,Chinesephys.Lett.,vol.10,no.5,1993
21.、hestructureandpropertyofSiGe/Siquantumwells,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
22、RamanscatteringspectroscotyofGeSi/Sistrainedlayersuperlattice,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
23、NovelPhotocurrentResponefoaporoussilicon,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
24、PhaseformationandGesegregationinthethremalreactionbetweenPtandGeSi/SiHetewostructure,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
25、鍺硅基區(qū)異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(GeSi-HBT)的研制，固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，vol.12,no.4,1992
26、鍺硅應(yīng)變層超晶格生長研究，物理學(xué)進(jìn)展，no.1,1993
27、SiGe/Si應(yīng)變層超晶格量子阱微結(jié)構(gòu)材料的生長與摻雜技術(shù)，鍺硅應(yīng)變層超晶格材料與器件應(yīng)用（國家科委信息領(lǐng)域辦，863光電子主題專家組出版）
28、SiGe/Si應(yīng)變層超晶格量子阱材料的優(yōu)化設(shè)計及新器件的發(fā)展展望，鍺硅應(yīng)變層超晶格材料與器件應(yīng)用（國家科委信息領(lǐng)域辦，863光電子主題專家組出版）
29、StudyofGemovementduringthermalreactionsbetweenPtandGe/Siheterostructures,Appl.phys.lett,vol.62,no.25,1993
30、Si基GaN的微結(jié)構(gòu)表征，光散射學(xué)報.2003,15(4)
31、用MOCVD方法制備的GaN1-xPx三元合金的喇曼與紅外光譜，半導(dǎo)體學(xué)報.2004,25(1)
32、耦合雙量子點中基態(tài)電子的隧穿特性，半導(dǎo)體學(xué)報.2004,25(1)
33、p溝道鍺／硅異質(zhì)納米結(jié)構(gòu)MOSFET存儲器及其邏輯陣列，半導(dǎo)體學(xué)報.2004,25(2)
34、InfluenceofPolarizationEffectsontheEnergyBandofAlGaN／GaN／AlGaNHeterostructures,ChinesePhysicsLetters（中國物理快報：英文版）.2004,21(4)
35、AlGaN／GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)歐姆接觸的研制，固體電子學(xué)研究與進(jìn)展.2004,24(1)
36、藍(lán)寶石襯底上6H-SiC單晶薄膜的化學(xué)氣相淀積生長，功能材料.2004,35(2)
37、Zn1-xMgxO薄膜的低壓MOCVD生長與性質(zhì)，半導(dǎo)體學(xué)報.2004,25(7)
38、ZnO納米島的MOCVD自組裝生長，半導(dǎo)體學(xué)報.2004,25(7)
39、GaNGrowthwithLow-TemperatureGaNBufferLayersDirectlyonSi（111）byHydrideVapourPhaseEpitaxy,ChinesePhysicsLetters（中國物理快報：英文版）.2004,21(9)
鄭有炓 - 科研項目
1、1991-1995，負(fù)責(zé)國家八六三計劃項目“GeSi超晶格材料與應(yīng)用”
2、1991-1995，負(fù)責(zé)國家重大基礎(chǔ)研究項目“GeSi超晶格材料生長、物性和器件開發(fā)”
3、1992-1994，負(fù)責(zé)國防科工委項目“GeSi紅外探測器”
4、1992-1994，負(fù)責(zé)國家自然科學(xué)基金項目“GeSi基區(qū)異質(zhì)結(jié)晶體管研究”
5、1991-1995，負(fù)責(zé)省科委項目“GeSi材料與器件研究開發(fā)”
6、1991-1992，負(fù)責(zé)省科委項目“新型GeSi紅外探測器研究”
7、1993-1995，負(fù)責(zé)國家高技術(shù)863計劃項目“應(yīng)變層結(jié)構(gòu)GeSi/Si的穩(wěn)定性及其改善對策研究”
8、1993-1995，負(fù)責(zé)國家高技術(shù)863計劃項目“GeSi/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料生長研究”
9、1993-1995，指導(dǎo)國家教委博士點基金項目“GeSi/Si超晶格材料表征研究”
10、1993-1995，指導(dǎo)南京大學(xué)基金項目“GeSi/Si超晶格選擇外延研究”
11、1993-1995，負(fù)責(zé)江蘇省科委項目“新型GeSi材料與器件研究開發(fā)
鄭有炓 - 科研成果
1、1991.6，“快速輻射加熱，超低壓化學(xué)氣相淀積原子級外延方法與系統(tǒng)”通過國家科委鑒定2、1990，“半導(dǎo)體界面測試的變頻C-V技術(shù)”通過江蘇省科委鑒定
3、1990.1，“一種獲得半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)與超晶格材料的方法及設(shè)備”獲中國專利局發(fā)明專利，專利號：90105603.0
4、1990.12.30，“半導(dǎo)體界面態(tài)變頻C-V測量儀”獲國家專利，專利號：90227508
5、1992，“一種獲得低表面分凝Si－GeSi異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延生長方法”獲國家專利，專利號：92109725.5
鄭有炓 - 獲獎情況
1、1989，“聚合物半導(dǎo)體薄膜及其應(yīng)用的基礎(chǔ)研究”獲江蘇省科技進(jìn)步三等獎
2、1988，“InP-MIS界面與InP-MIS晶體管研究”獲江蘇省科技進(jìn)步三等獎
3、1990，“半導(dǎo)體變頻C-V/G-V方法和VFC-1型微機變頻C-V測試系統(tǒng)”獲江蘇省科技進(jìn)步三等獎
4、1991.9，獲江蘇省優(yōu)秀教育工作者獎
5、1992，獲國防科工委光華科技基金一等獎
6、1992，獲國家科委國家高技術(shù)八六三計劃先進(jìn)工作者一等獎
7、1992，獲江蘇省優(yōu)秀科技工作者稱號
8、1992，獲國務(wù)院頒發(fā)政府特殊津貼
